CN1947870B - 一种废硅料清洗方法 - Google Patents
一种废硅料清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1947870B CN1947870B CN2006100507261A CN200610050726A CN1947870B CN 1947870 B CN1947870 B CN 1947870B CN 2006100507261 A CN2006100507261 A CN 2006100507261A CN 200610050726 A CN200610050726 A CN 200610050726A CN 1947870 B CN1947870 B CN 1947870B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon material
- alkali lye
- concentration
- pure water
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
本发明属于半导体材料清洗处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表面污物的废硅料清洗方法，包括下列步骤：(1)硅料投放于碱液中浸泡；(2)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(3)投放于第二个碱液中浸泡；(4)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡；(6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡，捞取并烘干。经本发明清洗后的废硅料完全清除了硅料表层的污染物，清洗过的废硅料符合制作半导体元器件的清洁要求。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料清洗处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表面污物的清洗工艺。
背景技术
硅是一种非常重要的半导体材料，可用于制做二极管、三极管、发光器件、压敏元件、太阳能电池等元器件，广泛应用于无线电工程、自动化领域、信号设备、动力工程等领域。但硅作为一种不可再生资源，其存储量有限。随着现代化建设的快速发展，硅材料的供应无法满足日益增长的工业需求。
半导体元器件生产的技术要求都较高，一件含硅半导体元器件的制成，往往需要复杂工艺程序才能完成，在每道工序中都不可避免地产生不合格品。此外，许多含硅产品设备经过使用后，就被作为废品处理。如果将上述含硅的不合格品及报废品径直当成废品处理，则极大地浪费硅资源，不利于解决目前硅料紧缺的问题，也不符合国家提倡节约型社会的要求。
废硅料的表面由于在使用、运输等过程中会沾污，有些甚至会渗透到硅料表层，影响硅料的质量，因此，必须对硅料经过表面清洗工艺，将其表面所含的污染物除去，硅料才能被回收利用。传统的清洗工艺是采用冲洗方式清理废硅料表面杂质，但这种方法不能保证硅料表面的污染物被完全清除。
发明内容
本发明的目的是设计一种使硅料表面污染物质清除干净、操作简便的清洗工艺。
本发明的目的通过以下技术方案实现：一种废硅料清洗方法，包括下列步骤：
(1)硅料投放于碱液中浸泡；
(2)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；
(3)投放于第二个碱液中浸泡；
(4)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；
(5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡；
(6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡，捞取并烘干。
所述的废硅料清洗方法，碱液为氢氧化钠溶液，浓度大于等于30％。
所述的废硅料清洗方法，硅料在第一次碱液中浸泡2-10分钟，在第二次碱液中浸泡1-5分钟，碱溶液的温度为80-100摄氏度。
所述的废硅料清洗方法，混合液由浓度为36％-38％的盐酸、浓度为28％-32％的过氧化氢和水配制而成，硅料的浸泡时间不少于10分钟。
本发明使用的碱液槽、混合液槽和纯水液容槽可由聚四氟乙烯等耐腐蚀材料制成，每一容槽可放置30-35kg硅料。
硅料表层经二次碱液强烈腐蚀，表面污染物脱落，但还有部分污物滞留于硅料表面的缝隙，经纯水多级冲洗后，大部分的杂质被清除，然后将硅料投放于盐酸、过氧化氢和水的中和混合液中，使硅料表面碱液与酸液中和。然后投放于纯水中浸泡，使在硅料表层缝隙中的杂质、离子完全渗出并释放，将硅料从纯水浸泡槽中捞取并烘干。
经本发明清洗后的废硅料完全清除了硅料表层的污染物，清洗过的废硅料符合制作半导体元器件的清洁要求，同时，对所采用的溶液经过中和和冲洗液进行排放处理，不会污染环境。
附图说明
图1为本发明清洗流程图。
如图所示，碱液由固体氢氧化钠配制而成，浓度大于等于30％，碱溶液温度在80-100摄氏度，并盛入碱液槽中；投入待清洗的废硅料，在碱液中浸泡2-10分钟，直至上浮，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；然后，硅料投入第二个碱液槽中，该碱液也由固体氢氧化钠配制而成，浓度大于30％，碱溶液温度在80-100摄氏度，浸泡1-5分钟，直至上浮，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；投入混合液槽中，混合液由浓度为36-38％的盐酸、浓度为28-32％的过氧化氢和水以1∶1∶6配制而成，用压缩空气鼓泡，经中和的硅料捞取后投入纯水槽中浸泡，浸泡不少于10分钟，捞取并烘干。
硅料清洗处理完毕后，将两个碱液槽中的碱液及纯水冲洗槽中的水溶液抽排处理，而纯水浸泡槽中的水溶液可排放入纯水冲洗槽中重复利用，也可以直接排放处理，不会污染环境。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步说明。
在碱液槽中，用水和固体氢氧化钠配制浓度为40％的碱液，温度为85摄氏度；把废硅料沉浸于上述的碱液中，浸泡5分钟。在此过程中，硅料表层的污染物与碱反应，表层所含污物被去除；然后用纯水(去离子水)对碱液处理后的硅料冲洗；对硅料表面进行清理，冲洗后的硅料浸泡于另一个碱液槽中，该槽中的碱液也由水和固体氢氧化钠配制而成，其浓度为40％，温度为85摄氏度，硅料进一步去除残留在表面的污质，用纯水冲洗，沥干；把硅料投入由浓度为36％的盐酸、浓度为30％的过氧化氢和水以1∶1∶6配制而成的混合溶液中，硅料表面，滞留的碱液与酸液中和；中和后的硅料投入纯水槽中浸泡15分钟，压缩空气鼓泡，使硅料的残留杂质污物完全冲洗；最后捞取硅料并烘干。
Claims (2)
1.一种废硅料清洗方法，其特征在于：包括下列步骤：
(1)硅料投放于第一个碱液中浸泡，碱液为氢氧化钠溶液，浓度大于等于30％；
(2)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；
(3)投放于第二个碱液中浸泡，该碱液由固体氢氧化钠配制而成，浓度大于30％；
(4)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；
(5)投放于盐酸、过氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡，混合溶液由浓度为36％-38％的盐酸、浓度为28％-32％的过氧化氢和水配制而成，硅料的浸泡时间不少于10分钟；
(6)将所述混合溶液中浸泡的硅料投放于纯水中浸泡，捞取并烘干。
2.根据权利要求1所述的废硅料清洗方法，其特征在于：硅料在第一个碱液中浸泡2-10分钟，在第二个碱液中浸泡1-5分钟，两个碱溶液的温度均为80-100摄氏度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2006100507261A CN1947870B (zh) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | 一种废硅料清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2006100507261A CN1947870B (zh) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | 一种废硅料清洗方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1947870A CN1947870A (zh) | 2007-04-18 |
| CN1947870B true CN1947870B (zh) | 2011-01-19 |
Family
ID=38017553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006100507261A Expired - Fee Related CN1947870B (zh) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | 一种废硅料清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1947870B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011527279A (ja) * | 2008-07-09 | 2011-10-27 | ガルボ・エッセ・エッレ・エッレ | 光発電用途向け原料の浄化および圧縮の方法 |
| CN101428252B (zh) * | 2008-12-16 | 2013-03-20 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种混有杂质的废硅料的分选方法 |
| CN102001715A (zh) * | 2010-10-23 | 2011-04-06 | 浙江硅宏电子科技有限公司 | 一种单晶硅片清洗用水的回收利用方法 |
| CN102151668B (zh) * | 2010-11-24 | 2013-03-06 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 一种清洗废弃硅材料小方片的方法 |
| CN102344144A (zh) * | 2011-09-30 | 2012-02-08 | 巨锋 | 一种废晶体硅的自动酸碱清洗反应设备 |
| CN103170467B (zh) * | 2011-12-23 | 2016-02-10 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 铸锭循环料清洁处理方法 |
| CN102744227A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-10-24 | 安徽未来表面技术有限公司 | 一种用于太阳能发电装置上的硅片清洗方法 |
| CN103769383B (zh) * | 2012-10-23 | 2016-05-04 | 宿迁宇龙光电科技有限公司 | 一种硅原料的清洗方法 |
| CN105061490B (zh) * | 2015-08-19 | 2017-10-27 | 湖北兴瑞化工有限公司 | 一种降低有机硅dmc中杂质含量的方法 |
| CN106583053A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-04-26 | 晶科能源有限公司 | 一种硅料浮选清洗的方法 |
| CN108941037A (zh) * | 2017-05-19 | 2018-12-07 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种硅料回收清洗方法及装置 |
| CN110571134B (zh) * | 2019-08-06 | 2021-10-22 | 成都拓维高科光电科技有限公司 | 一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺 |
| CN114392961A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-26 | 广东金湾高景太阳能科技有限公司 | 一种硅片线切割加工用清洗工艺 |
-
2006
- 2006-05-12 CN CN2006100507261A patent/CN1947870B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1947870A (zh) | 2007-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1947870B (zh) | 一种废硅料清洗方法 | |
| CN1947869B (zh) | 一种硅料清洁方法 | |
| CN103464415B (zh) | 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法 | |
| CN103537453B (zh) | 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法 | |
| CN105280477B (zh) | 一种蓝宝石晶片的清洗工艺 | |
| CN111508824B (zh) | 一种制绒清洗方法及异质结电池 | |
| CN102010797B (zh) | 硅料清洗剂及硅料清洗的方法 | |
| CN102304444A (zh) | 环保型太阳能级硅片水基清洗剂 | |
| CN101974785A (zh) | 一种硅多晶原料的清洗方法 | |
| CN105154268A (zh) | 一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液及清洗方法 | |
| CN111112215A (zh) | 一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法 | |
| CN104377119A (zh) | 一种锗单晶抛光片的清洗方法 | |
| CN107658246A (zh) | 一种太阳能硅片清洗工艺 | |
| WO2011040966A2 (en) | Improved post-texturing cleaning method for photovoltaic silicon substrates | |
| CN1866466A (zh) | 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法 | |
| CN1973970A (zh) | 一种陶瓷超滤膜用清洗剂及其制备方法和应用 | |
| CN103170467B (zh) | 铸锭循环料清洁处理方法 | |
| CN106833954A (zh) | 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用 | |
| CN202290646U (zh) | 一种硅片清洗机 | |
| CN110137302A (zh) | 硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法和硅异质结太阳电池 | |
| CN106955686A (zh) | 硅藻土负载多金属氧化物的臭氧氧化催化剂的制备方法及应用 | |
| CN109604245A (zh) | 一种有机玻璃表面污染物清洗处理方法 | |
| CN205442658U (zh) | 一种节能环保硅料清洗机 | |
| KR101296797B1 (ko) | 폐태양전지로부터 고순도 폴리 실리콘을 회수하는 방법 | |
| CN113083818A (zh) | 一种聚四氟乙烯反应釜的清洁再利用的处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110119 Termination date: 20150512 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |