MD930G2 - Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы - Google Patents

Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы

Info

Publication number
MD930G2
MD930G2 MD97-0123A MD970123A MD930G2 MD 930 G2 MD930 G2 MD 930G2 MD 970123 A MD970123 A MD 970123A MD 930 G2 MD930 G2 MD 930G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtaining
base
prescribed
growing
gas
Prior art date
Application number
MD97-0123A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Симион РАЕВСКИЙ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MD97-0123A priority Critical patent/MD930G2/ru
Publication of MD930G2 publication Critical patent/MD930G2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к получению полупроводниковых слоев и структур газофазной эпитаксией.Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы основан на переносе паровой фазы из зоны источника в зону роста потоком газа носителя. Перенос осуществляют приведением в контакт паров источника определенного состава с подложкой при заданной температуре и деэкранировании подложки за счет возвратно-поступательного движения a скорость перемещения подложки подбирается по заданной скорости роста и толщине выращиваемого слоя за время одного прохода подложки.Технический результат заключается в получении однородных по составу и толщине слоев полупроводниковых материалов.
MD97-0123A 1997-04-09 1997-04-09 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы MD930G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD97-0123A MD930G2 (ru) 1997-04-09 1997-04-09 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD97-0123A MD930G2 (ru) 1997-04-09 1997-04-09 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
MD930G2 true MD930G2 (ru) 1999-01-31

Family

ID=62142712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD97-0123A MD930G2 (ru) 1997-04-09 1997-04-09 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD930G2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU496873A1 (ru) * 1974-03-15 1975-12-25 Государственный Ордена Октябрьской Революции Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности (Гиредмет) Способ получени эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU496873A1 (ru) * 1974-03-15 1975-12-25 Государственный Ордена Октябрьской Революции Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности (Гиредмет) Способ получени эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR8205600A (pt) Dispositivo e processo para depositar uma massa de um material sobre um substrato
EP0651431A3 (en) Method of crystallizing a silicone layer and semiconductor devices obtained by using the method
CA2312790A1 (en) Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers
TW350143B (en) Method for producing semiconductor device
TW325601B (en) Process of manufacturing thin film semiconductor
EP0099724A3 (en) Deposition of coatings upon substrates utilising a high pressure, non-local thermal equilibrium arc plasma
JPS52140267A (en) Vapor epitaxial crystal growing device
ATE407748T1 (de) Artikel mit plasmapolymerer beschichtung
KR920007116A (ko) 내층 절연막 형성방법
KR890011029A (ko) 기상에피택셜 성장법
FR2605647B1 (fr) Procede de depot en phase vapeur par flash thermique d'une couche isolante sur un substrat en materiau iii-v, application a la fabrication d'une structure mis
EP0328970A3 (en) Method of depositing tungsten on silicon in a non-self-limiting cvd process and semi-conductor device manufactured thereby
CA2204086A1 (en) Production of diamond film
FR2717472B1 (fr) Revêtement haute température, en deux couches, sur substrat céramique, son obtention et ses applications .
MD930G2 (ru) Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы
KR890003983A (ko) 종래의 cvd 반응로를 사용한 스트레인층 초격자의 연속 화학 증착 성장 방법
JPS5423386A (en) Manufacture of semiconductor device
TW259890B (en) Semiconductor device and process thereof
SE9700215L (sv) Förfarande för framställning av ett halvledarskikt av SiC av 3C-polytypen ovanpå ett halvledarsubstratskikt utnyttjas wafer-bindningstekniken
JPS5249772A (en) Process for production of semiconductor device
FR2717471B1 (fr) Revêtement haute température, monocouche, sur substrat céramique, son obtention et applications.
JPS5434676A (en) Vapor growth method and apparatus for high-purity semiconductor layer
WO2003073480A3 (en) Emission layer formed by rapid thermal formation process
JPS53146300A (en) Production of silicon carbide substrate
JPS5378775A (en) Preparation for semiconductor device