MD930G2 - Procedeu de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasă - Google Patents
Procedeu de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasăInfo
- Publication number
- MD930G2 MD930G2 MD97-0123A MD970123A MD930G2 MD 930 G2 MD930 G2 MD 930G2 MD 970123 A MD970123 A MD 970123A MD 930 G2 MD930 G2 MD 930G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- obtaining
- base
- prescribed
- growing
- gas
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia materialelor şi aparatelor cu semiconductori, în special la obţinerea straturilor şi structurilor cu semiconductori prin metoda epitaxială din vapori.Procedeul de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasă are la bază transferul de vapori din zona sursei în zona de creştere de un flux purtător de gaze. Transferul se realizează prin aducerea în contact a vaporilor cu conţinutul dat cu substratul care se menţine la temperatura dată şi deecranarea periodică a substraturilor din contul deplasării de du-te-vino, iar viteza de deplasare a sAubstraturilor se alege în conformitate cu viteza de creştere a straturilor şi grosimea stratului obţinută la o deplasare a substratului.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în obţinerea straturilor de materiale semiconductoare omogene după compoziţie şi grosime.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD97-0123A MD930G2 (ro) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Procedeu de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasă |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD97-0123A MD930G2 (ro) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Procedeu de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasă |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD930G2 true MD930G2 (ro) | 1999-01-31 |
Family
ID=62142712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD97-0123A MD930G2 (ro) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Procedeu de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasă |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD930G2 (ro) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| MD176Z (ro) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Procedeu de fabricare a diodei de tensiune înaltă |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU496873A1 (ru) * | 1974-03-15 | 1975-12-25 | Государственный Ордена Октябрьской Революции Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности (Гиредмет) | Способ получени эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы |
-
1997
- 1997-04-09 MD MD97-0123A patent/MD930G2/ro unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU496873A1 (ru) * | 1974-03-15 | 1975-12-25 | Государственный Ордена Октябрьской Революции Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности (Гиредмет) | Способ получени эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| MD176Z (ro) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Procedeu de fabricare a diodei de tensiune înaltă |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BR8205600A (pt) | Dispositivo e processo para depositar uma massa de um material sobre um substrato | |
| EP0651431A3 (en) | Method of crystallizing a silicone layer and semiconductor devices obtained by using the method | |
| CA2312790A1 (en) | Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers | |
| TW350143B (en) | Method for producing semiconductor device | |
| EP0099724A3 (en) | Deposition of coatings upon substrates utilising a high pressure, non-local thermal equilibrium arc plasma | |
| JPS52140267A (en) | Vapor epitaxial crystal growing device | |
| KR920007116A (ko) | 내층 절연막 형성방법 | |
| FR2605647B1 (fr) | Procede de depot en phase vapeur par flash thermique d'une couche isolante sur un substrat en materiau iii-v, application a la fabrication d'une structure mis | |
| EP0328970A3 (en) | Method of depositing tungsten on silicon in a non-self-limiting cvd process and semi-conductor device manufactured thereby | |
| CA2204086A1 (en) | Production of diamond film | |
| FR2717472B1 (fr) | Revêtement haute température, en deux couches, sur substrat céramique, son obtention et ses applications . | |
| MD930G2 (ro) | Procedeu de obţinere a straturilor de materiale semiconductoare din fază gazoasă | |
| FR2397876A1 (fr) | Procede de production de couches epitaxiales de materiaux semi-conducteurs | |
| JPS5423386A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| TW259890B (en) | Semiconductor device and process thereof | |
| EP0305195A3 (en) | Continuous chemical vapor deposition growth of strain layer superlattices using conventional cvd reactors | |
| JPS5249772A (en) | Process for production of semiconductor device | |
| SE9700215L (sv) | Förfarande för framställning av ett halvledarskikt av SiC av 3C-polytypen ovanpå ett halvledarsubstratskikt utnyttjas wafer-bindningstekniken | |
| FR2717471B1 (fr) | Revêtement haute température, monocouche, sur substrat céramique, son obtention et applications. | |
| FR2623014B1 (fr) | Procede de depot selectif d'un siliciure de metal refractaire sur des zones de silicium | |
| JPS5434676A (en) | Vapor growth method and apparatus for high-purity semiconductor layer | |
| WO2003073480A3 (en) | Emission layer formed by rapid thermal formation process | |
| JPS53146300A (en) | Production of silicon carbide substrate | |
| JPS5378775A (en) | Preparation for semiconductor device | |
| JPS53146299A (en) | Production of silicon carbide substrate |