MD626G2 - Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS - Google Patents

Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS

Info

Publication number
MD626G2
MD626G2 MD94-0004A MD940004A MD626G2 MD 626 G2 MD626 G2 MD 626G2 MD 940004 A MD940004 A MD 940004A MD 626 G2 MD626 G2 MD 626G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
cds
reactor
pgaas
pinp
inp
Prior art date
Application number
MD94-0004A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD626F2 (en
MD940004A (ro
Inventor
Vasile Botnariuc
Petru Gaugas
Андрей КОВАЛ
Andrei Chitoroaga
Valentin Plesca
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MD94-0004A priority Critical patent/MD626G2/ru
Publication of MD940004A publication Critical patent/MD940004A/xx
Publication of MD626F2 publication Critical patent/MD626F2/xx
Publication of MD626G2 publication Critical patent/MD626G2/ru

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении в открытой газотранспортной системе гетероструктур p+InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS для солнечных элементов и фотоэлементов.Для повышения производительности и качества электрофизических параметров солнечных элементов с помощью заявляемого способа, включающего рост структур p+InP-pInP и p+GaAs-pGaAs в хлоридной газотранспортной системе, химическое травление, расположение структур в реакторе, продувку реактора водородом, нагрев печи, выращивание слоя CdS выполняют после помещения реактора в печь и стабилизации температур, затем выдвигают реактор из печи, причем скорости потока водорода во время выращивания в зоне источника и роста равны, соответственно, 150 см3/мин. и 220...240 см3/мин., а во время стабилизации температуры и охлаждения - соответственно, 20...30 см3/мин. и 1000 см3/мин.Технический результат заключается в сокращении времени стабилизации температуры в реакторе, что обеспечивает сохранение электрофизических параметров слоев и компонента источника, торможение процесса взаимной диффузии компонентов гетероструктуры.
MD94-0004A 1994-01-13 1994-01-13 Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS MD626G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD94-0004A MD626G2 (ru) 1994-01-13 1994-01-13 Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD94-0004A MD626G2 (ru) 1994-01-13 1994-01-13 Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD940004A MD940004A (ro) 1995-07-31
MD626F2 MD626F2 (en) 1996-11-29
MD626G2 true MD626G2 (ru) 1997-06-30

Family

ID=19738508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD94-0004A MD626G2 (ru) 1994-01-13 1994-01-13 Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD626G2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.Choy Appl. Physics, v. 8, nr. 4, 1977 (M. Bettini, K. J. Bochmann. E. Buchler, J. L. Choy, S.Wagner "Preparation of CdS/InP solar cells by chemical vapor deposition of CdS", p. 1603-1606). *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Also Published As

Publication number Publication date
MD626F2 (en) 1996-11-29
MD940004A (ro) 1995-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW337031B (en) Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer
WO2003069027A3 (en) Energy efficient method for growing polycrystalline silicon
ATE471397T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines iii-v-nitridfilms
JPS5556098A (en) Method and apparatus for producing si single crystal rod
MY129966A (en) Method and device for producing monocrystals
MD626G2 (ru) Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS
JPS5740940A (en) Semiconductor device
JPS54136274A (en) Semiconductor device
JPS5717125A (en) Manufacture of semiconductor device
US3092462A (en) Method for the manufacture of rods of meltable material
JPS5645899A (en) Vapor phase growing method for gallium nitride
MY133116A (en) Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions
JPS55130897A (en) Silicon single crystal
Druminski Optimization of the Deposition Conditions for Epitaxial Silicon Films on Czochralski Sapphire in the Silane‐Hydrogen System
JPS55120129A (en) Method for gaseous-phase growth of semiconductor
JPS59137400A (ja) 低転位密度ｐ型砒化ガリウム単結晶およびその製造方法
JPS54106081A (en) Growth method in vapor phase
JPS59131598A (ja) ＧａＡｓ単結晶の製造方法
RU2057211C1 (ru) Способ получения монокристаллического кремния
JPS5795898A (en) Growing method for silicon single crystal
JPS5717496A (en) Liquid phase growing method for single crystal of compound semiconductor
JPS6421074A (en) Method for selectively growing thin metallic film
JPH03236219A (ja) 半導体基板の表面処理方法
JPS5948788B2 (ja) 気相エピタキシヤル成長方法
JPS57211725A (en) Liquid epitaxial growth method

Legal Events

Date Code Title Description
FG3A Granted patent for invention
IF99 Valid patent on 19990615

Free format text: EXPIRES: 20140113