KR980006513A - 고주파 반도체 장치 - Google Patents

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무라따 미치히로
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Abstract

본 발명의 고주파 반도체 장치는 반도체 기판에 형성된 활성 영역(active area) 상에 소스 전극(source electrode), 게이트 전극(gate electrode) 및 드레인 전극(drain electrode)을 서로 대칭적으로 배치한다. 활성 영역의 한 단측에는, 양 게이트 전극에 전기적으로 접속된 게이트 패드부(gate pad section)를 배치하며, 활성 영역의 다른 단측에는 양 드레인 전극에 전기적으로 접속된 드레인 패드부(drain pad section)를 배치한다. 한 소스 전극에 전기적으로 접속된 소스 패드부(source pad section)는 게이트 패드부와 드레인 패드부의 한 단측에 배치하며, 다른 소스 전극에 전기적으로 접속된 소스 패드부는 게이트 패드부와 드레인 패드부의 다른 단측에 배치한다. 게이트 패드부와 소스 패드부의 사이에 입력측의 슬롯 선로(input slot line)를 형성하며, 드레인 패드부와 소스 패드부의 사이에 출력측의 슬롯 선로를 형성한다.

Description

고주파 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 한 구현예에 따른 고주파 반도체 장치의 구조를 도시하는평면도이다.

Claims (8)

  1. 반도체 기판에 형성된 활성 영역(active area) 상에, 소스 전극(source elec trode)과 드레인 전극(drain electrod)을 그 사이에 게이트 전극(gate electrode)이 형성되게 배치하며; 상기한 반도체 기판의 활성 영역의 한 단측에는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 드레인 패드부(drain pad section)를 형성하며, 다른 단측에는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 드레인 패드부(drain pad section)를 형성하며; 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 소스 패드부(source pad section)를 상기한 게이트 패드부와 상기한 드레인 패드부에 대향하게 배치하며; 상기한 게이트 패드부와 상기한 소스 패드부의 사이와, 상기한 드레인 패드부와 상기한 소스 패드부의 사이에 슬롯 선로(solt line)를 형성함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  2. 반도체 기판에 형성된 다수의 각 활성 영역 상에, 소스 전극과 드레인 전극을 그 사이에 게이트 전극이 형성되게 배치시킨 고주파 반도체 장치로서, 인접한 활성 영역에 상기한 소스 전극들, 상기한 게이트 전극들 및 상기한 드레인 전극들 서로 대칭적으로 배치하며; 상기한 인접한 활성 영역에 설치된 양 게이트 전극에 전기적으로 접속된 게이트 패드부를 상기한 반도체 기판 상의 한 측면의 영역에 배치하며, 상기한 인접한 활성 영역에 설치된 양 드레인 전극에 전기적으로 접속된 드레인 패드부를 상기한 반도체 기판 상의 다른 측면의 영역에 배치하며; 상기한 인접한 활성 영역에 설치된 상기한 소스 전극들에 전기적으로 접속된 소스 패드부들을 상기한 게이트 패드부와 상기한 드레인 패드부의 양 측면에 배치하며, 상기한 게이트 패드부와 상기한 소스 패드부들의 사이와, 상기한 드레인 패드부와 상기한 소스 패드부들의 사이에 슬롯 선로를 형성함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기한 게이트 패드부의 중앙 선로에 게이트 바이어스 (bias)를 인가하며, 상기한 드레인 패드부의 중앙 선로에 드레인 바이어스를 인가함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  4. 제 2항 및 제 3항에 있어서, 상기한 게이트 전극의 게이트 길이가 0.12~0.18㎛이며, 게이트 폭은 80~120㎛일 때, 상기한 슬롯 선로의 폭은 0.04~0.12mm의 범위임을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  5. 반도체 기판에 형성된 활성 영역 상에서 소스 전극과 드레인 전극을 그 사이에 게이트 전극이 형성되게 배치하며; 상기한 반도체 기판의 활성 영역 상의 한 단측에는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 게이트 패드부를 형성하며, 다른 단측에는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 소스 패드부를 형성하며; 상기한 드레인 전극에 전기적으로 접속된 드레인 패드부를 상기한 게이트 패드부와 상기한 소스 패드부에 대향하게 배치하며; 상기한 게이트 패드부와 상기한 드레인 패드부의 사이와, 상기한 드레인 패드부와 상기한 소스 패드부의 사이에 슬롯 선로를 형성함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  6. 반도체 기판에 형성된 다수의 각 활성 영역 상에서 소스 전극과 드레인 전극을 그 사이에 게이트 전극이 형성되게 배치되는 고주파 반도체 장치로서, 인접한 활성 영역에 상기한 소스 전극들, 상기한 게이트 전극들 및 상기한 드레인 전극들을 서로 대칭적으로 배치하며; 상기한 인접한 활성 영 역에설치된 양 게이트 전극에 전기적으로 접속된 게이트 패드부를 상기한 반도체 기판 상의 한 측면의 영역에 배치하며, 상기한 인접한 활성 영역에 설치된 양 소스 전극에 전기적으로 접속된 소스 패드부를 상기한 반도체 기판 상의 다른 측면의 영역에 배치하며; 상기한 인접한 활성 영역에 설치된 상기한 드레인 전극들에 전기적으로 접속된 드레인 패드부들을 상기한 게이트 패드부와 상기한 소스 패드부의 양 측면에 배치하며; 상기한 게이트 패드부와 상기한 드레인 패드부의 사이와, 상기한 드레인 패드부와 상기한 소스 패드부의 사이에 슬롯 선로를 형성함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기한 게이트 패드부의 중앙 선로에 게이트 바이어스를 인가하며, 상기한 소스 패드부의 중앙 선로에 소스 바이어스를 인가함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기한 게이트 전극의 게이트 길이가 0.12~0.18㎛이며 게이트 폭은 80~120㎛일 때, 상기한 슬롯 선로의 폭은 0.04~0.12mm의 범위임을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
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