KR980005791A - 플라즈마 에칭 전극 및 그 제조방법 - Google Patents

플라즈마 에칭 전극 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 반도체 집적회로(예컨대, IC 및 LSIC) 또는 광통신용 가이드웨이브의 제조에 사용되는 평행판 타입 플라즈마 에칭 전극 및 플라즈마 에칭 전극 제조방법에 관한 것이다.1
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 종래의 문제점을 극복하고, 분진 발생이 최소화되며 균일한 에칭을 할 수 있는 플라즈마 에칭 전극 및 플라즈마 에칭 전극의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 0.0001-40cm의 전기저항, (100)의 결정면을 가지며, 붕소 또는 인으로 도핑되고, 표면이 산으로 에칭처리되며, 진공상태에서 열처리된 단결정 실실콘으로 만든 플라즈마 에칭 전극 또는 0.0001-40cm의 전기 저항을 가지며, 붕소 또는 인으로 도핑되고, 표면이 산으로 에칭처리되면, 진공상태에서 열처리된 단결정 실리콘으로 만든 플라즈마 에칭 전극, 및 금속 실리콘을 봉소 또는 인으로 도핑하는 단계, 생성되는 물질의 표면을 산으로 에칭처리하는 단계, 및 표면 에칭 물질을 진공상태에서 열처리하는 단계를 포함하는 플라즈마 에칭 전극의 제조방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명에 따라 생성된 플라즈마 에칭 전극에 따라, 실리콘 탈착에 의해 유발되는 분진 생성이 쵯화되며, 오염원이 발생되지 않는다. 따라서, 본 발명에 따른 전극은 높은 정밀도를 가지는 플라즈마 에칭을 제공한다.

Description

플라즈마 에칭 전극 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 0.0001-40cm의 전기저항, (100)의 결정면을 가지며, 붕소 또는 인으로 도핑되고, 표면이 산으로 에칭처리되며, 진공상태에서 열처리된 단결정 실실콘으로 만든 플라즈마 에칭 전극.
  2. 제1항에 있어서, 붕소에 의한 도핑량이 1×10-4내지 1×10-3PPM인 것을 특징으로 하는 프라즈마 에칭 전극.
  3. 제1항에 있어서, 인에 의한 도핑량이 1×10-4PPM 내지 10%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 전극.
  4. 0.0001-40cm의 전기저항을 가지며, 붕소 또는 인으로 도핑되고, 표면이 산으로 에칭처리되며, 진공상태에서 열처리된 단결정 실리콘으로 만든 플라즈마 에칭 전극.
  5. 제4항에 있어서, 붕소에 의한 도핑량이 1×10-4내지 1×10-3PPM인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 전극.
  6. 제4항에 있어서, 인에 의한 도핑량이 3×10-4내지 10%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 전극.
  7. 금속 실리콘을 붕소 또는 인으로 도핑하는 단계, 생성되는 물질의 표면을 산으로 애칭처리하는 단계, 및 표면 에칭 물질을 진공상태에서 열처리하는 단계를 포함하는 플라즈마 에칭 전극의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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