JP5630710B2 - プラズマエッチング用シリコン電極板 - Google Patents
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Description
従来のシリコン電極板では、プラズマエッチング時に対向する被エッチング物との間に生じたプラズマによって表面が徐々に消耗して凹凸が生じ、この凹凸によって異常放電が生じるおそれがあった。異常放電が生じると、エッチングの均一性が悪化してしまうという不都合がある。
このようなプラズマエッチングによる表面の凹凸は、平面内において比抵抗値にバラツキが存在しているため、対向する被エッチング物との間のプラズマ密度が不均一になって生じると考えられる。したがって、表面の凹凸を抑えるためには、比抵抗値の面内バラツキを抑える必要があるが、ドーパント含有量に面内差があるため、比抵抗値の面内バラツキを抑えることは困難であった。特に、高比抵抗値では、ドーパント含有量の面内差が大きく影響するため、比抵抗値の面内バラツキを抑えることが難しい。このように従来では、被エッチング物との間のプラズマ密度を均一に保持することが困難なため、被エッチング物であるウエハ面内のエッチングレートを均一化させることが難しいという問題があった。
なお、添加するNi,Crのうち一種以上の濃度を上記下限値以上に設定した理由は、2×1013atoms/cm3未満であると、上述した比抵抗値の面内均一性の効果が明確に現れないためである。
すなわち、このプラズマエッチング用シリコン電極板では、Ni,Crのうち一種以上の濃度が、3×1013atoms/cm3以下であるので、単結晶化率の低下を抑制することができる。添加するNi,Crのうち一種以上の濃度を上記上限値以下に設定した理由は、5×1013atoms/cm3を超えるとSi単結晶化の阻害要因となり単結晶化率(インゴット中の単結晶部の割合)が小さくなってしまい、製造歩留まりが低下するためである。
すなわち、本発明に係るプラズマエッチング用シリコン電極板によれば、Ni,Crのうち一種以上とBとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成されているので、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を極めて少なくすることができる。したがって、本発明のプラズマエッチング用シリコン電極板をプラズマエッチング装置に採用することによって、異常放電を抑制することができ、面内均一性の高いプラズマエッチングが可能になる。
このプラズマエッチング装置では、貫通細孔5を通してエッチングガス7をシリコンウエハ4に向って流しながら高周波電源6によりシリコン電極板12と架台3との間に高周波電圧を印加し、高周波電圧の印加によりシリコン電極板12と架台3との間の空間にプラズマ10を発生させ、このプラズマ10による物理反応と、シリコン−エッチングガス7による化学反応とにより、シリコンウエハ4の表面をエッチングする。
まず、石英ルツボ中でSiを溶解させるが、この際にBと共にNi,Crのうち一種以上を上記の所定濃度となるように添加する。なお、NiやCrの添加量は微量であるため、Si中にNi,Crのうち一種以上を高濃度(1×1016〜1×1017atoms/cm3程度)で含有した多結晶Si塊を予め作製し、この多結晶Si塊を破砕してNi,Crのうち一種以上を含有した多結晶Si粉末とし、該多結晶Si粉末を必要なNiやCrの濃度となるように秤量して石英ルツボ中のSiに添加する。
また、Ni,Crのうち一種以上の濃度が、2×1013〜3×1013atoms/cm3であるので、良好な比抵抗値の面内均一性が得られると共に、単結晶化率の低下を抑制することができる。
このように本実施例のシリコン電極板では、比抵抗値の高い面内均一性を有している。
Claims (2)
- プラズマエッチング装置の真空容器内の架台上に載置された被エッチング物の上方に対向状態で配されるプラズマエッチング用シリコン電極板であって、
Ni,Crのうち一種以上とBとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、
Ni,Crのうち一種以上の濃度が、2×1013atoms/cm3以上であることを特徴とするプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング用シリコン電極板において、
Ni,Crのうち一種以上の濃度が、3×1013atoms/cm3以下であることを特徴とするプラズマエッチング用シリコン電極板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019181A JP5630710B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012160571A JP2012160571A (ja) | 2012-08-23 |
JP5630710B2 true JP5630710B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=46840862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011019181A Active JP5630710B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5630710B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3728021B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2005-12-21 | 日清紡績株式会社 | プラズマエッチング電極及びその製造方法 |
JP3411539B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2003-06-03 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2002068885A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコン製部品およびその表面金属不純物量の測定方法 |
JP2003007686A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコン製ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置 |
JP4849247B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-01-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 比抵抗値の面内バラツキの小さい複合シリコン電極およびその製造方法 |
JP2012028482A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
JP5713182B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2015-05-07 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
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2011
- 2011-01-31 JP JP2011019181A patent/JP5630710B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012160571A (ja) | 2012-08-23 |
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