KR910013575A - 열산화막중의 인성분 조절을 이용하는 실리콘 반도체 집적회로 제조방법 - Google Patents
열산화막중의 인성분 조절을 이용하는 실리콘 반도체 집적회로 제조방법 Download PDFInfo
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조 순서를 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판(1)에 베이스영역(2)을 한정하고 인 성분을 함유한 산화막(4)을 에미터 제조를 위하여 형성시킨 후 이를 확산시켜 에미터영역(5)을 만들고 열산화막(3)을 성장시킨 후 인 성분을 함유한 산화막(4)만을 제거하고 금속선(6) 인출부위 식각과 금속선 인출을 하도록 함을 특징으로 하는 열 산화막증의 인성분 조절을 이용하는 실리콘 반도체 집적회로 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019890018823A KR0147365B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 열산화막중의 인성분 조절을 이용하는 실리콘 반도체 집적회로 제조방법 |
Publications (2)
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| KR0147365B1 KR0147365B1 (ko) | 1998-08-01 |
Family
ID=19293089
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0147365B1 (ko) |
-
1989
- 1989-12-18 KR KR1019890018823A patent/KR0147365B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147365B1 (ko) | 1998-08-01 |
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