KR970705568A - 에피택셜 반도체 층의 성장을 위한 금속유기화합물의 형성(formation of a metalorganic compound for growing epitaxial semiconductor layers) - Google Patents
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Links
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 28
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 claims abstract 4
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 4
- -1 metal organic compound amine Chemical class 0.000 claims 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 4
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 2
- OYWRDHBGMCXGFY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazinane Chemical compound C1CNNNC1 OYWRDHBGMCXGFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 2H-pyrrole Chemical compound C1C=CC=N1 JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical group [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 claims 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/50—Organo-phosphines
- C07F9/505—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation
- C07F9/5063—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation from compounds having the structure P-H or P-Heteroatom, in which one or more of such bonds are converted into P-C bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
R이 알킬기 또는 그 아민 부가물인 화학식 MR3의 금속유기 화합물로 이루어진 기판 위에 에피택셜 층을 성장시켜 반도체 장치를 제조한다. 상기 금속유기 화합물은 그리냐아르 시약과 금속 할라이드를 아민 용매에서 반응시킴으로써 제조한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (26)
- 그리냐아르 시약과 금속 할라이드와 반응함으로써 제조되고 알킬기 R을 갖는 화학식 MR3의 금속유기 화합물로 되어 있는 기판 위에 에피택셜 반도체 층의 성장방법으로서, 상기 반응은 아민 용매에서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속유기 화합물 아민은 아민 부가물로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그리냐아르 시약은 아민 용매에서 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 그리냐아르 시약을 제조하는 데에 사용되는 상기 아민 용매는 상기 금속 할라이드와의 반응에 사용되는 것과 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민은 3차 아민인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민은 3차 알킬 아민과 3차 헤테로사이클릭 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민은 상온에서 액체인 것을 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민은 하기와 같은 화학식 (1)을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.상기 식에서 R1, R2및 R3은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며 R1, R2및 R3은 모두 동일하거나 R1, R2및 R3중에서 둘은 동일하다.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민은 트리에틸아민과 디메틸에틸아민으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아민은 피리딘, 2H-피롤, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 1,3,5-트리아진 그리고 헥사히드로트리아진으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 그리냐아르 시약은 마그네슘과 상기 금속유기 화합물을 위하여 필요한 알킬기를 갖는 알킬할라이드와의 반응에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속유기 화합물은 그룹Ⅱ, 그룹Ⅲ 그리고 그룹Ⅴ금속으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 알킬 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 금속유기 화합물은 디알킬아연, 디알킬카드뮴, 트리알킬알루미늄, 트리알킬갈륨, 트리알킬인듐, 트리알킬인, 트리알킬비소 그리고 트리알킬안티모니로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 알킬기는 이소프로필기인 방법.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속유기 아민 부가물은 하기의 화학식 (2)로 나타내어지는 방법.MR3ㆍA (2)상기 식에서 M은 금속이고, R은 알킬기이며 A는 하기의 화학식 (1)의 3차 알킬아민이다.상기 식에서 R1, R2및 R3은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며 R1, R2및 R3은 모두 동일하거나 R1, R2및 R3중에서 둘은 동일하거나 3차 헤테로사이클릭아민이다.
- 제15항에 있어서, 상기 MR3의 알킬기는 C1-5직쇄 또는 알킬기인 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 알킬기는 이소프로필기인 방법.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속유기 화합물 또는 그 아민 부가물은 기판 및 열분해된 그 상부에 증기로 전달되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 기판은 그룹 Ⅲ-Ⅴ의 단결정인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 기판은 갈륨비소화물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 금속유기물은 트리알킬갈륨인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 금속유기물은 트리이소프로필갈륨인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 트리이소프로필갈륨은 그룹 Ⅴ 전구물질과 함께 전달되어 Ⅲ-Ⅴ층이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 2차 그룹 Ⅲ 전구물질도 상기 기판으로 전달되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 그룹Ⅳ 전구물질은 아르신이고 상기 2차 그룹 Ⅲ 전구물질은 A1H3아민 부가물인 방법.
- 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 금속층 상부에 형성된 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9417707.8 | 1994-09-02 | ||
| GB9417707A GB9417707D0 (en) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Metaloganic compounds |
| GBGB9508702.9A GB9508702D0 (en) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | Metalorganic compounds |
| GB9508702.9 | 1995-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970705568A true KR970705568A (ko) | 1997-10-09 |
| KR100367023B1 KR100367023B1 (ko) | 2003-04-11 |
Family
ID=26305554
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970701390A KR100367023B1 (ko) | 1994-09-02 | 1995-09-04 | 에피택셜반도체층의성장을위한금속유기화합물의형성 |
| KR1019970701389A KR100367022B1 (ko) | 1994-09-02 | 1995-09-04 | 금속유기화합물 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970701389A KR100367022B1 (ko) | 1994-09-02 | 1995-09-04 | 금속유기화합물 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5886203A (ko) |
| EP (2) | EP0778837B1 (ko) |
| JP (2) | JPH10505199A (ko) |
| KR (2) | KR100367023B1 (ko) |
| CN (2) | CN1051554C (ko) |
| AT (1) | ATE170525T1 (ko) |
| CA (2) | CA2198588C (ko) |
| DE (2) | DE69504526T2 (ko) |
| GB (2) | GB2306960B (ko) |
| MY (2) | MY112590A (ko) |
| WO (2) | WO1996007660A1 (ko) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515141B1 (en) | 1999-08-26 | 2003-02-04 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | Process for the preparation of indole derivatives or salts thereof |
| JP4757370B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2011-08-24 | 住友化学株式会社 | エピタキシャル基板の製造方法 |
| US7419698B2 (en) * | 2001-10-26 | 2008-09-02 | Sigma-Aldrich Co. | Precursors for chemical vapor deposition |
| TW200619222A (en) * | 2004-09-02 | 2006-06-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making organometallic compounds |
| JP4470682B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2010-06-02 | 住友化学株式会社 | トリメチルガリウムの製造方法 |
| ES2398258T3 (es) * | 2007-03-09 | 2013-03-14 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Procedimiento para producir un compuesto 6-hidroxieltil penam |
| US11470981B2 (en) | 2010-05-03 | 2022-10-18 | Levitation Sciences Llc | Four-in-one mattress management system |
| US9145612B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-09-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition of N-metal films comprising aluminum alloys |
| RU2016110114A (ru) | 2013-08-22 | 2018-11-23 | Умикоре Аг Унд Ко. Кг | Способ получения алкилиндиевых соединений и их применение |
| US9389181B2 (en) * | 2014-06-06 | 2016-07-12 | International Business Machines Corporation | Methods and apparatus for detecting metals in liquids |
| US9656239B2 (en) | 2014-06-16 | 2017-05-23 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling metals in liquids |
| CN106349293B (zh) * | 2016-08-27 | 2018-07-06 | 广东先导稀材股份有限公司 | 高纯三乙基锑的制备方法 |
| US10787466B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| US11673903B2 (en) | 2018-04-11 | 2023-06-13 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-09-01 MY MYPI95002600A patent/MY112590A/en unknown
- 1995-09-01 MY MYPI95002599A patent/MY112170A/en unknown
- 1995-09-04 EP EP95930631A patent/EP0778837B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-04 JP JP8509298A patent/JPH10505199A/ja not_active Withdrawn
- 1995-09-04 WO PCT/GB1995/002087 patent/WO1996007660A1/en active IP Right Grant
- 1995-09-04 DE DE69504526T patent/DE69504526T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 GB GB9703701A patent/GB2306960B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 GB GB9704270A patent/GB2306165B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 KR KR1019970701390A patent/KR100367023B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-04 CN CN95194877A patent/CN1051554C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 WO PCT/GB1995/002089 patent/WO1996007661A1/en active IP Right Grant
- 1995-09-04 US US08/793,809 patent/US5886203A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 CA CA002198588A patent/CA2198588C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 US US08/793,810 patent/US5980978A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-04 EP EP95930633A patent/EP0778838B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-04 CN CN95194873A patent/CN1051553C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 JP JP8509296A patent/JPH10505355A/ja active Pending
- 1995-09-04 DE DE69526092T patent/DE69526092T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 CA CA002198453A patent/CA2198453C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 KR KR1019970701389A patent/KR100367022B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-04 AT AT95930631T patent/ATE170525T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2198588A1 (en) | 1996-03-14 |
| DE69526092D1 (de) | 2002-05-02 |
| WO1996007661A1 (en) | 1996-03-14 |
| US5886203A (en) | 1999-03-23 |
| MY112170A (en) | 2001-04-30 |
| EP0778838A1 (en) | 1997-06-18 |
| CA2198588C (en) | 2001-08-21 |
| GB2306165B (en) | 1998-07-01 |
| JPH10505355A (ja) | 1998-05-26 |
| DE69504526T2 (de) | 1999-05-27 |
| CA2198453A1 (en) | 1996-03-14 |
| EP0778837A1 (en) | 1997-06-18 |
| GB9703701D0 (en) | 1997-04-09 |
| WO1996007660A1 (en) | 1996-03-14 |
| KR100367022B1 (ko) | 2003-04-10 |
| KR100367023B1 (ko) | 2003-04-11 |
| MY112590A (en) | 2001-07-31 |
| GB2306165A (en) | 1997-04-30 |
| DE69504526D1 (de) | 1998-10-08 |
| CN1156996A (zh) | 1997-08-13 |
| CN1051554C (zh) | 2000-04-19 |
| GB2306960A (en) | 1997-05-14 |
| ATE170525T1 (de) | 1998-09-15 |
| CN1158131A (zh) | 1997-08-27 |
| GB9704270D0 (en) | 1997-04-16 |
| US5980978A (en) | 1999-11-09 |
| JPH10505199A (ja) | 1998-05-19 |
| CN1051553C (zh) | 2000-04-19 |
| DE69526092T2 (de) | 2002-11-21 |
| GB2306960B (en) | 1998-07-08 |
| EP0778838B1 (en) | 2002-03-27 |
| EP0778837B1 (en) | 1998-09-02 |
| CA2198453C (en) | 2002-02-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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