CN1156996A - 用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备 - Google Patents
用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1156996A CN1156996A CN95194873A CN95194873A CN1156996A CN 1156996 A CN1156996 A CN 1156996A CN 95194873 A CN95194873 A CN 95194873A CN 95194873 A CN95194873 A CN 95194873A CN 1156996 A CN1156996 A CN 1156996A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amine
- organometallics
- metal
- family
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 11
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 title abstract description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 27
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical group CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- -1 alkyl tertiary amine Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 claims description 3
- OYWRDHBGMCXGFY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazinane Chemical compound C1CNNNC1 OYWRDHBGMCXGFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000000182 1,3,5-triazines Chemical class 0.000 claims description 2
- JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 2H-pyrrole Chemical class C1C=CC=N1 JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 13
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 11
- LVKCSZQWLOVUGB-UHFFFAOYSA-M magnesium;propane;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].C[CH-]C LVKCSZQWLOVUGB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- NAMYKGVDVNBCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-bromopropane Chemical compound CC(C)Br NAMYKGVDVNBCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 description 4
- CKGXVGFLQCIASW-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)indigane Chemical compound CC(C)[In](C(C)C)C(C)C CKGXVGFLQCIASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- RBEXEKTWBGMBDZ-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)stibane Chemical compound CC(C)[Sb](C(C)C)C(C)C RBEXEKTWBGMBDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromopropane Chemical compound CCCBr CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 2
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-AHCXROLUSA-N indium-111 Chemical compound [111In] APFVFJFRJDLVQX-AHCXROLUSA-N 0.000 description 2
- 229940055742 indium-111 Drugs 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/50—Organo-phosphines
- C07F9/505—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation
- C07F9/5063—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation from compounds having the structure P-H or P-Heteroatom, in which one or more of such bonds are converted into P-C bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
用通式为MR3的金属有机化合物或其胺加合物在基体上通过外延半导体层的生长制备的半导体器件，R是烷基基团。所说的金属有机化合物是用格利雅试剂在胺类溶剂中与金属卤化物反应制备的。
Description
本发明涉及半导体器件及其生产。
虽然通过化学束外延法(CBE)生长InP/InGaAs具有很大的意义，尤其是在选择性生长领域，但是没有很好地建立GaAs/AlGaAs系统。除了异质接面二极管(HBT’s)和高电子迁移率晶体管(HEMTS’s)的非常令人鼓舞的数据以外，用CBE生长的AlGaAs合金的质量一般低于用金属有机化合物气相外延法或分子束外延法生长的AlGaAs合金。材料质量的降低是因为III族金属烷基化合物和氧的混入。因此在发展新的前驱体方面已经作了许多努力，以减少在外延AlGaAs层中的杂质的混入。
已经建立了混入CBE法生长的AlGaAs中的氧浓度和用原位调整光束质谱法(MBMS)检测的III族金属有机化合物前驱体中的痕量二乙醚之间的直接关系。痕量的乙醚是合成三烷基金属MR3残留的，包括在乙醚溶剂中用格利雅试剂RMgX进行的金属三卤化物的烷基化过程。随后进行提纯过程以除去金属有机化合物前驱体中的含氧的乙醚溶剂和其它杂质。但是，这些方法不是完全成功的。
本发明的第一个目的是提供生长半导体层的一种方法，其中，消除了或至少是有效地降低了上述的氧杂质问题。
本发明的第二个目的是提供半导体器件，其中，消除了或至少是有效地降低了上述的氧杂质问题。
根据本发明的第一个方面，提供了一种用通式为MR3的金属有机化合物在基体上生长半导体层的方法，R是烷基基团，其中，用格利雅试剂与金属卤化物反应制备所说的金属有机化合物，其特征在于所说的反应是在胺类溶剂中进行的。
根据本发明的第二个方面，提供了一种半导体器件，包括一个用通式为MR3的金属有机化合物在基体上生长的半导体层。其中，用格利雅试剂与金属卤化物反应制备金属有机化合物，其特征在于所说的反应在胺类溶剂中进行。
优选的是用于制备所说的金属有机化合物的格利雅试剂在胺类溶剂中制备，尤其是在制备所说的金属有机化合物所用的胺中制备。
所说的胺优选的是叔胺，例如，烷基叔胺或杂环叔胺。用于制备所说的金属有机化合物和/或格利雅试剂的胺优选的是在一般为18～20℃的室温下是液体。优选的烷基叔胺的通式为
其中R1、R2、R3是具有1～4个碳原子的烷基基团，R1、R2、R3可以是相同的，或其中两个是相同的。用于本发明的优选的胺是三乙胺和二甲基乙基胺。
用于本发明的合适的杂环胺可以包括吡啶，2H-吡咯，嘧啶，吡嗪，哒嗪，1，3，5-三嗪和六氢化三嗪。
制备金属有机化合物的方法可以产生一种胺加合物，这种胺加合物可以用在本方法中代替单独的金属有机化合物。
合适的金属有机化合物的胺加合物的通式为
MR3·A
其中，M是金属，R是烷基，A是叔胺，如通式为
的烷基叔胺，其中，R1、R2、R3是如上定义的，或杂环叔胺。
可以用任何合适的方法制备格利雅试剂，一般是通过镁与一种烷基卤化物反应制备，其中，烷基基团是所说的金属有机化合物要求的。
优选的是金属有机化合物和金属有机化合物的胺加合物的制备按下列步骤顺序进行：
1、在NR3溶剂中合成RMgX；
2、将MCl3县浮在戊烷中；
3、把RMgX添加到NR3/戊烷中的MCl3中；
4、通过蒸馏除去挥发物并分离MR3(NR3)；
5、从MR3(NR3)中除去挥发性杂质；
6、加合物的分离或MR3(NR3)的热分解和NR3的分馏排除。
可以用于本发明中的金属有机化合物包括II族、III族和V族金属的烷基化合物，这样的化合物的实例包括二烷基锌、二烷基镉、三烷基铝、三烷基镓、三烷基铟、三烷基磷、三烷基砷和三烷基锑。
胺的形成使得可以从金属有机化合物中除去挥发性的金属的和非金属的微小杂质。通过蒸馏可以容易地从加合物中除去杂质。通过除去胺(例如通过加热)可以分解所说的加合物，从而为某些用途提供单独的金属有机化合物，例如作为MOVPE或CBE的前驱体。另一种选择是可以使用加合物本身作为前驱体，通过MOVPE、CBE和其它气相外延技术沉积III-V族或II-VI族层，如砷化镓、砷化铝镓和硒化锌。
本发明的方法一般可以用于III-V族半导体器件结构的生长。本发明的方法一般包括所有的气相生长技术，如MOVPE、CBE和MOMBE。
本发明的方法可以用于电子设备的半导体器件的生产，例如晶体管(FET，HEMT和HBT器件)，二极管、超晶格电流发射器和混频二极管。也可以生产光设备器件，例如，激光器(垂直腔(VCSEL)和水平腔)、光发射二极管、反射器和调制器(包括用作VCSEL、光检测器、发光二极管和光波导器的部件的调制器)。
可以使用选择性生长技术的上述方法的任意组合得到侧面的集成，例如，用于激光器和波导器的集成。本发明的方法还可以用来生产用于长波红外线检测器和光源的II-VI族器件的沉积。
本发明的方法还可以用于生产金属涂层，如Al、Ga和In的沉积。
通过三烷基镓的胺加合物(一般是具有一种AlH的胺加合物的三异丙基镓和砷)的气相沉积，尤其是通过化学束外延法可以生产AlGaAs层。
本发明的方法可以用于，例如，InSb的低温有机金属气相外延生长，优选的是用三异丙基锑作为前驱体。一般用三异丙基锑和三甲基铟在GaAs上生长InSb外延层。类似地，可以用三异丙基锑和三甲基镓通过MOVPE生长GaSb。
按本发明的一个优选的方法中，把有机金属化合物在高真空没有载气的情况下送到基体上并在基体上裂解。可以使用有机金属化合物或其胺的加合物。基体一般是III至V族的单晶，如砷化镓的单晶。这种方法特别适用于III族金属，尤其是镓的沉积，尤其适用于用三异丙基镓进行沉积。
锑也可以用类似的方法沉积到基体上，但是也可以象其它金属一样进行沉积，即，用MOVPE技术从金属有机化合物或其胺的加合物进行沉积，其中，使用载气在2～760Torr的压力下输送金属有机化合物汽气到基体上(如III～V族的单晶基体)，并在基体上裂解形成要求的涂层。
可以用本发明制备的典型的半导体器件包括CD激光器和高速晶体管。
现在将用下列实施例进一步描述本发明。下述的每一个反应是在干燥的/无氧的氮气气氛下，用通过标准提纯方法干燥并脱氧的反应物进行的。
实施例1
本实施例说明用三乙胺作溶剂生产三异丙基镓。
通过向搅拌的三乙胺，NEt3(1000cm3)中的金属镁(60g，2.5mol)悬浮液中滴加溴代异丙烷，i-PrBr(280g，2.3mol)制备异丙基溴化镁，i-PrMgBr的三乙胺溶液。这导致了一个强烈的放热反应。已经发现通过加入铟的晶体可以更容易地开始这个反应。在i-PrBr完全加入后，反应混合物在室温下搅拌4小时。
然后随着搅拌把三氯化镓(125g，0.7mol)的戊烷(500cm3)溶液缓慢加入到i-PrMgBr的NEt3溶液中。这导致了一个强烈的放热反应。在三氯化镓的戊烷溶液完全加入后，反应混合物在室温下搅拌4小时以保证完全反应。
通过在真空中的蒸馏除去挥发物以后，通过真空蒸馏(100℃)到液氮(大约-196℃)冷却的回收器中分离粗产品。通过在真空中的蒸馏(25～50℃)除去挥发性杂质，然后通过真空蒸馏(80℃)到冷却的回收器中(大约-106℃)得到纯的液体产品。
用质子NMR谱鉴定所得的金属有机化合物产品是三异丙基镓的三乙胺加合物，i-Pr3Ga(NEt3)0.6。
质子NMR数据总结如下：
(ppm) (归属)
0.8(三重态，5.4H) NCH2CH3
1.0(多重态，3H) GaCH(CH3)2
1.4(双重态，18H) GaCH(CH3)2
2.4(四重态，3.6H) NCH2CH3
用感应耦合等离子发射谱(ICP-ES)进一步分析这种i-Pr3Ga-NEt3的痕量金属杂质。检测到的仅有的杂质是硅(0.03ppm w.r.t.Ga)和锌(0.2ppm w.r.t.Ga)。
得到49.4g的i-Pr3Ga(NEt3)0.6。
发现这种iPr3Ga加合物的蒸气压在13℃时为0.9mBar。
用上述方法制备的三异丙基镓用于在下列条件下用化学束外延法在砷化镓基体上生长AlGaAs涂层：
基体温度： 540℃
AlGaAs生长速率 1/hr
V族前驱体- 热裂解砷
III族前驱体- 三异丙基镓的三乙胺加合物+AlH3-NMe2Et
用这种方法生长的AlGaAs涂层(铝的组成为18％)表明，氧含量小于4×1016cm-3(用二次离子质谱，SIMS测定)。这种涂层优于用传统方法(即用乙醚作溶剂)合成的三异丙基镓和AlH3(NMe2Et)生长的AlGaAs涂层(铝的组成为25％)，其中，用SIMS检测，具有高得多的氧含量，即9×1016cm-3。在氧含量方面，用三异丙基镓加合物生长的AlGaAs涂层可以与目前为止在完全相同的CBE生长条件下，用三异丙基镓和AlH3(NMe2Et)得到的最好的涂层相比。
附图1和2分别表示根据本实施例制备的三异丙基镓的蒸气压和生长速率与用传统方法制备的三异丙基镓的对比。可以看出，所说的加合物具有更高的蒸气压和生长速率，这对化学气相沉积过程是有利的。
实施例2
本实施例说明用二甲基乙基胺作溶剂生产三异丙基镓。
通过向搅拌的二甲基乙基胺，NMe2Et(500ml)中的金属镁(48g，2.0mol)悬浮液中滴加溴代异丙烷，i-PrBr(166g，1.4mol)制备异丙基溴化镁，i-PrMgBr的二甲基乙基胺溶液。这导致了一个强烈的放热反应，通过加入少量的铟可以更容易地开始这个反应。在i-PrBr完全加入后，反应混合物在室温下搅拌4小时。
然后随着搅拌把三氯化镓(69g，0.4mol)的戊烷(260cm3)溶液缓慢加入的到i-PrMgBr的NMe2Et溶液中。这导致了一个强烈的放热反应。在三氯化镓的戊烷溶液完全加入后，反应混合物在室温下搅拌4小时以保证完全反应。
通过在大气压下的蒸馏(60℃)除去挥发物以后，通过真空蒸馏(100℃)到液氮(大约-196℃)冷却的回收器中分离粗产品。通过在真空中的蒸馏除去挥发性杂质，然后通过减压蒸馏(70℃)到回收器中得到纯的液体产品。
用质子NMR谱鉴定所得的金属有机化合物产品是三异丙基镓的二甲基乙基胺加合物，i-Pr3Ga(NMe2Et)。质子NMR数据总结如下：
(ppm) (归属)
0.6(三重态，3H) NCH2CH3
0.9(多重态，3H) GaCH(CH3)2
1.4(双重态，18H) GaCH(CH3)2
1.9(单重态，6H) NCH3
2.4(四重态，2H) NCH2CH3
用ICP-ES进一步分析这种i-Pr3Ga-(NMe2Et)加合物中的痕量金属杂质。检测到的仅有的杂质是硅(0.2ppm w.r.t.Ga)和锌(4.6ppm w.r.t.Ga)。
得到58.5g的i-Pr3Ga(NMe2Et)。
实施例3
本实施例说明用三乙胺作溶剂生产三异丙基铟。
通过滴加i-PrBr(72g，0.6mol)到NEt3(200ml)中制备i-PrMgBr的NEt3溶液。这导致了一个强烈的放热反应。在i-PrBr完全加入后，反应混合物在室温下搅拌4小时。
然后随着搅拌把i-PrMgBr的NEt3溶液滴加到三氯化铟，InCl3(35g，0.2mol)的NEt3(200cm3)溶液中。这导致了一个强烈的放热反应。在i-PrMgBr/NEt3溶液完全加入后，反应混合物在回流条件下煮沸2小时。
通过在真空下的蒸馏除去挥发物以后，通过真空蒸馏(100℃)到冷却的回收器中(约-196℃)得到粗产品。通过在真空中的蒸馏除去挥发性杂质，然后通过真空蒸馏(70℃)在回收器中(约-196℃)得到纯的液体产品。
用质子NMR谱鉴定所得的金属有机化合物产品是三异丙基铟的三乙胺加合物，i-Pr3In(NEt3)。质子NMR数据总结如下：
(ppm) (归属)
0.8(三重态，9H) NCH2CH3
1.1(多重态，3H) InCH(CH3)2
1.6(双重态，18H) InCH(CH3)2
2.4(四重态，6H) NCH2CH3
用ICP-ES进一步分析这种i-Pr3In-(NEt3)中的痕量金属杂质。检测到的仅有的杂质是硅(0.04ppm w.r.t.In)和锌(3.8ppm w.r.t.In)。
得到8g的i-Pr3In(NEt3)。
实施例4
本实施例说明用二甲基乙基胺作溶剂生产三异丙基铟。
通过向搅拌的NMe2Et(400ml)中的金属镁(56g，2.3mol)悬浮液中滴加i-PrBr(192g，1.6mol)制备i-PrMgBr的NMe2Et溶液。
这导致了一个强烈的放热反应。在i-PrBr完全加入后，反应混合物在室温下搅拌4小时。
然后随着搅拌把i-PrMgBr的NMe2Et溶液滴加到三氯化铟(72g，0.3mol)的戊烷溶液中。这导致了一个强烈的放热反应。在i-PrMgBr/NMe2Et溶液完全加入后，反应混合物在回流条件下煮沸2小时。
通过在大气压下的蒸馏(60℃)除去挥发物以后，通过减压蒸馏(85～90℃)到回收器中得到粗产品。通过真空蒸馏(25℃)除去挥发性杂质。
然后通过真空蒸馏(85～90℃)到冷却到约-196℃的回收器中得到纯的液体产品。
用质子NMR谱鉴定所得的草黄色液体是三异丙基铟的二甲基乙基胺加合物，i-Pr3Ga(NMe2Et)。质子NMR数据总结如下：
(ppm) (归属)
0.8(三重态，3H) NCH2CH3
1.0(多重态，3H) InCH(CH3)2
1.5(双重态，18H) InCH(CH3)2
2.0(单重态，6H) NCH3
2.3(四重态，2H) NCH2CH3
用ICP-EAS进一步分析这种i-Pr3In-NMe2Et加合物中的痕量金属杂质。检测到的仅有的杂质是硅(＜1ppm w.r.t.In)和锌(0.12ppm w.r.t.In)。
得到81.7g的i-Pr3In(NMe2Et)。
Claims (26)
1、一种用通式为MR3的金属有机化合物在基体上外延生长半导体层方法，R是烷基，其中，用格利雅试剂与金属卤化物反应制备所说的金属有机化合物，其特征在于所说的反应在胺类溶剂中进行。
2、一种根据权利要求1的方法，其特征在于，使用金属有机化合物的胺加合物。
3、一种根据权利要求1或2的方法，其特征在于在胺类溶剂中制备所说的格利雅试剂。
4、一种根据权利要求3的方法，其特征在于用于制备格利雅试剂的胺类溶剂与用于与金属卤化物反应的胺类溶剂相同。
5、一种根据权利要求1～4的任一个的方法，其特征在于所说的胺是叔胺。
6、一种根据权利要求1～5的任一个的方法，其特征在于所说的胺选自烷基叔胺和杂环叔胺。
7、一种根据权利要求1～6的任一个的方法，其特征在于所说的胺在室温下是液体。
8、一种根据权利要求1～7的任一个的方法，其特征在于所说的胺具有下列通式：
其中，R1、R2和R3是具有1～4个碳原子的烷基基团，其中R1、R2和R3是相同的或其中两种是相同的。
9、一种根据权利要求1～6的任一个的方法，其特征在于所说的胺选自三乙胺和二甲基乙基胺。
10、一种根据权利要求1～7的任一个的方法，其特征在于所说的胺选自吡啶，2H-吡咯，嘧啶，吡嗪，哒嗪，1，3，5-三嗪和六氢化三嗪。
11、一种根据权利要求1～10的任一个的方法，其特征在于用镁与烷基卤化物反应制备所说的格利雅试剂，其烷基基团是所说的金属有机化合物要求的。
12、一种根据权利要求1～11的任一个的方法，其特征在于所说的金属有机化合物是选自II族、III族和V族金属的一种金属的烷基化合物。
13、一种根据权利要求12的方法，其特征在于所说的金属有机化合物选自二烷基锌、二烷基镉、三烷基铝、三烷基镓、三烷基铟、三烷基磷、三烷基砷和三烷基锑。
14、一种根据权利要求12或13的方法，其中，所说的烷基基团是异丙基。
15、一种根据权利要求1～14的任一个的方法，其中所说的金属有机化合物的通式为：
MR3·A
其中，M是金属；
R是烷基基团；
A是烷基叔胺或杂环叔胺，烷基叔胺的通式为
其中，R1、R2和R3是具有1～4个碳原子的烷基基团，其中R1、R2和R3是相同的或其中两种是相同的。
16、一种根据权利要求15的方法，其中，MR3的烷基基团是C1-5的直链或支链烷基基团。
17、一种根据权利要求16的方法，其中，所说的烷基基团是异丙基。
18、一种根据权利要求1～17的任一个的方法，其特征在于所说的金属有机化合物或其胺加合物以蒸气的形式送到基体上并在基体上热解。
19、一种根据权利要求18的方法，其特征在于所说的基体是III～V族的单晶。
20、一种根据权利要求19的方法，其特征在于所说的基体是砷化镓。
21、一种根据权利要求19或20的方法，其特征在于所说的金属有机化合物是三烷基镓。
22、一种根据权利要求21的方法，其特征在于所说的金属有机化合物是三异丙基镓。
23、一种根据权利要求22的方法，其特征在于所说的三异丙基镓与V族前驱体一起送入，形成III～V族的涂层。
24、一种根据权利要求23的方法，其特征在于把第二种III族前驱体也送到基体上。
25、一种根据权利要求24的方法，其中，所说的IV族前驱体是砷，第二种III族前驱体是AlH3的胺加合物。
26、一种用权利要求1～26的任一个的方法在其上形成金属层的半导体器件。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9417707A GB9417707D0 (en) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Metaloganic compounds |
| GB9417707.8 | 1994-09-02 | ||
| GB9508702.9 | 1995-04-28 | ||
| GBGB9508702.9A GB9508702D0 (en) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | Metalorganic compounds |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1156996A true CN1156996A (zh) | 1997-08-13 |
| CN1051553C CN1051553C (zh) | 2000-04-19 |
Family
ID=26305554
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN95194873A Expired - Fee Related CN1051553C (zh) | 1994-09-02 | 1995-09-04 | 用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备 |
| CN95194877A Expired - Fee Related CN1051554C (zh) | 1994-09-02 | 1995-09-04 | 金属有机化合物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN95194877A Expired - Fee Related CN1051554C (zh) | 1994-09-02 | 1995-09-04 | 金属有机化合物 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5886203A (zh) |
| EP (2) | EP0778837B1 (zh) |
| JP (2) | JPH10505355A (zh) |
| KR (2) | KR100367023B1 (zh) |
| CN (2) | CN1051553C (zh) |
| AT (1) | ATE170525T1 (zh) |
| CA (2) | CA2198453C (zh) |
| DE (2) | DE69526092T2 (zh) |
| GB (2) | GB2306165B (zh) |
| MY (2) | MY112590A (zh) |
| WO (2) | WO1996007660A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105473598A (zh) * | 2013-08-22 | 2016-04-06 | 优美科股份公司及两合公司 | 用于生产烷基铟化合物的方法及其用途 |
| CN106349293A (zh) * | 2016-08-27 | 2017-01-25 | 广东先导稀材股份有限公司 | 高纯三乙基锑的制备方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2382116A1 (en) | 1999-08-26 | 2001-03-08 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | Process for the preparation of indole derivatives or salts thereof |
| JP4757370B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2011-08-24 | 住友化学株式会社 | エピタキシャル基板の製造方法 |
| AU2002337310A1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-06 | Epichem Limited | Improved precursors for chemical vapour deposition |
| TW200619222A (en) * | 2004-09-02 | 2006-06-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making organometallic compounds |
| JP4470682B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2010-06-02 | 住友化学株式会社 | トリメチルガリウムの製造方法 |
| JP5300713B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2013-09-25 | 大塚化学株式会社 | ６−ヒドロキシエチルペナム化合物の製造方法 |
| US11470981B2 (en) | 2010-05-03 | 2022-10-18 | Levitation Sciences Llc | Four-in-one mattress management system |
| US9145612B2 (en) * | 2012-07-06 | 2015-09-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition of N-metal films comprising aluminum alloys |
| US9389181B2 (en) * | 2014-06-06 | 2016-07-12 | International Business Machines Corporation | Methods and apparatus for detecting metals in liquids |
| US9656239B2 (en) | 2014-06-16 | 2017-05-23 | International Business Machines Corporation | Apparatus for controlling metals in liquids |
| US11673903B2 (en) | 2018-04-11 | 2023-06-13 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| US10787466B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
| TW202404985A (zh) | 2018-06-21 | 2024-02-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 包含溶劑與單烷基錫三烷氧化物之混合物的溶液 |
| KR102261084B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2021-06-07 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | 유기 금속 박막 전구체 및 이의 제조 방법 |
| US11966158B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-04-23 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with low metal contamination and/or particulate contamination, and corresponding methods |
| US11498934B2 (en) | 2019-01-30 | 2022-11-15 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with particulate contamination and corresponding methods |
| US12072626B2 (en) | 2021-02-19 | 2024-08-27 | Inpria Corporation | Organometallic radiation patternable coatings with low defectivity and corresponding methods |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2111998A (en) * | 1981-11-25 | 1983-07-13 | Secr Defence | The preparation of adducts which may be used in the preparation of compound semiconductor materials |
| JPS5988039A (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | ライオン株式会社 | イスパグ−ラハスク含有食品生地 |
| GB8316605D0 (en) * | 1983-06-17 | 1983-07-20 | Secr Defence | Preparation of metal alkyls |
| GB2185256B (en) * | 1985-04-09 | 1988-04-07 | Secr Defence | Preparation of group ii metal alkyls |
| ATE92276T1 (de) * | 1989-03-16 | 1993-08-15 | Procter & Gamble | Psyllium enthaltende kekse mit hohem fasergehalt. |
| JPH0360805A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 熱延鋼帯コイルの保熱方法および装置 |
| JPH0430765A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Fuji Oil Co Ltd | 粒状繊維食品とその製造方法及び栄養強化パンの製造方法 |
| DE4017966C2 (de) * | 1990-06-05 | 1996-05-30 | Ppm Pure Metals Gmbh | Verwendung elementorganischer Verbindungen zur Abscheidung aus der Gasphase |
-
1995
- 1995-09-01 MY MYPI95002600A patent/MY112590A/en unknown
- 1995-09-01 MY MYPI95002599A patent/MY112170A/en unknown
- 1995-09-04 AT AT95930631T patent/ATE170525T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-09-04 JP JP8509296A patent/JPH10505355A/ja active Pending
- 1995-09-04 CA CA002198453A patent/CA2198453C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 WO PCT/GB1995/002087 patent/WO1996007660A1/en active IP Right Grant
- 1995-09-04 US US08/793,809 patent/US5886203A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 EP EP95930631A patent/EP0778837B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-04 CN CN95194873A patent/CN1051553C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 GB GB9704270A patent/GB2306165B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 KR KR1019970701390A patent/KR100367023B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-04 JP JP8509298A patent/JPH10505199A/ja not_active Withdrawn
- 1995-09-04 KR KR1019970701389A patent/KR100367022B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-04 DE DE69526092T patent/DE69526092T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 CA CA002198588A patent/CA2198588C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 EP EP95930633A patent/EP0778838B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-04 DE DE69504526T patent/DE69504526T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 WO PCT/GB1995/002089 patent/WO1996007661A1/en active IP Right Grant
- 1995-09-04 US US08/793,810 patent/US5980978A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-04 CN CN95194877A patent/CN1051554C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-04 GB GB9703701A patent/GB2306960B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105473598A (zh) * | 2013-08-22 | 2016-04-06 | 优美科股份公司及两合公司 | 用于生产烷基铟化合物的方法及其用途 |
| CN105473598B (zh) * | 2013-08-22 | 2018-05-08 | 优美科股份公司及两合公司 | 用于生产烷基铟化合物的方法及其用途 |
| US10239892B2 (en) | 2013-08-22 | 2019-03-26 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| US10745421B2 (en) | 2013-08-22 | 2020-08-18 | Umicore Ag & Co. Kg | Method for producing alkyl-indium compounds and the use thereof |
| CN106349293A (zh) * | 2016-08-27 | 2017-01-25 | 广东先导稀材股份有限公司 | 高纯三乙基锑的制备方法 |
| CN106349293B (zh) * | 2016-08-27 | 2018-07-06 | 广东先导稀材股份有限公司 | 高纯三乙基锑的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2306960A (en) | 1997-05-14 |
| CA2198453C (en) | 2002-02-19 |
| DE69504526D1 (de) | 1998-10-08 |
| CN1051554C (zh) | 2000-04-19 |
| DE69526092D1 (de) | 2002-05-02 |
| EP0778837A1 (en) | 1997-06-18 |
| ATE170525T1 (de) | 1998-09-15 |
| JPH10505199A (ja) | 1998-05-19 |
| US5886203A (en) | 1999-03-23 |
| CN1051553C (zh) | 2000-04-19 |
| CA2198588A1 (en) | 1996-03-14 |
| EP0778837B1 (en) | 1998-09-02 |
| DE69526092T2 (de) | 2002-11-21 |
| GB9703701D0 (en) | 1997-04-09 |
| GB2306165A (en) | 1997-04-30 |
| JPH10505355A (ja) | 1998-05-26 |
| WO1996007660A1 (en) | 1996-03-14 |
| EP0778838A1 (en) | 1997-06-18 |
| EP0778838B1 (en) | 2002-03-27 |
| CA2198588C (en) | 2001-08-21 |
| MY112590A (en) | 2001-07-31 |
| GB2306165B (en) | 1998-07-01 |
| DE69504526T2 (de) | 1999-05-27 |
| US5980978A (en) | 1999-11-09 |
| CA2198453A1 (en) | 1996-03-14 |
| GB9704270D0 (en) | 1997-04-16 |
| CN1158131A (zh) | 1997-08-27 |
| WO1996007661A1 (en) | 1996-03-14 |
| GB2306960B (en) | 1998-07-08 |
| KR970705568A (ko) | 1997-10-09 |
| MY112170A (en) | 2001-04-30 |
| KR100367022B1 (ko) | 2003-04-10 |
| KR100367023B1 (ko) | 2003-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1051553C (zh) | 用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备 | |
| JP5052774B2 (ja) | 有機金属化合物および有機金属化合物を製造する方法 | |
| Jones | Developments in metalorganic precursors for semiconductor growth from the vapour phase | |
| JP2007137883A (ja) | 有機金属化合物精製 | |
| JP4689969B2 (ja) | Ｉｖａ族およびｖｉａ族化合物の調製 | |
| US7989323B2 (en) | Doping method | |
| EP0251555B1 (en) | Gallium hydride/trialkylamine adducts, and their use in deposition of iii-v compound films | |
| JP2003064090A (ja) | トリアルキルｖａ族金属化合物 | |
| JP4774776B2 (ja) | トリアルキルガリウムの製造方法 | |
| CN1445230A (zh) | 有机铟化合物 | |
| JPH0456836B2 (zh) | ||
| US20040122248A1 (en) | Preparation of organometal compounds | |
| CN1445233A (zh) | 烷基va族金属化合物 | |
| Zhang et al. | GaN Substrate Material for III–V Semiconductor Epitaxy Growth | |
| KR102228897B1 (ko) | 갈륨 클로라이드의 저장 및/또는 수송 방법 | |
| US6956127B2 (en) | Alkyl group VA metal compounds | |
| CA1322935C (en) | Branched monoalkyl group v a compounds as mocvd element sources | |
| CN1160929A (zh) | 化合物半导体的n型掺杂方法和用此法生产的电子及光器件 | |
| JPH04145682A (ja) | 化合物半導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |