KR970072416A - 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 서로 인접한 단위셀의 스토리지 전극을 절연막을 사이에 두고 서로 중첩되도록 형성하여 하나의 스토리지 전극이 평면적으로 4개의 단위셀이 차지하는 영역에 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 스토리지 전극의 표면적을 극대화시킬 수 있으므로 고집적 반도체 기억장치에 적합한 셀 커패시터를 구현할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 셀 커패시터를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (4)
- 복수의 단위셀이 2차원적으로 배열된 셀 어레이 영역을 구비하는 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상에 제1 내지 제3절연막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제3절연막 상에 상기 단위셀이 차지하는 면적보다 큰 면적을 가지면서 서로 일정간격을 유지하는 복수의 제1도전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 제4절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막 패턴들 사이의 중심부분 및 상기 제1도전막 패턴의 중심부분을 각각 관통하면서 그 아래의 반도체기판을 노출시키는 제1콘택홀 및 제2콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2콘택홀을 채우면서 상기 제4절연막 상게 제2도전막을 형성하는 단계; 상기 제2콘택홀 주변의 제4절연막이 노출되도록 상기 제2도전막을 패터닝하여 상기 제2콘택홀을 채우는 제2도전막 매립층 및 상기 제1콘택홀을 채우면서 그 양 옆의 제4절연막 상에 제2도전막 패턴을 형성하므로써, 상기 제1도전막 패턴과 상기 제2도전막 매립층으로 구성되는 제1스토리지 전극 및 상기 제2도전막 패턴으로 이루어진 제2스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2스토리지 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 제4절연막 및 상기 제3절연막을 제거하는 단계; 및 상기 결과물 전면에 유전막 플레이트 전극을 차례로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막, 상기 제3절연막, 및 상기 제4절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 실리콘질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012534A KR970072416A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012534A KR970072416A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072416A true KR970072416A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012534A KR970072416A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 기억장치의 셀 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072416A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100641924B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2006-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012534A patent/KR970072416A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100641924B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2006-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
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