KR970060214A - 반도체 기억장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다른 어드레스를 가지며, 복수 비트의 병렬 데이타의 입출력이 행해지는 복수의 메모리 셀 영역을 배열하는 동시에, 리랙스트(relaxed) 센스 증폭기 방식을 채용하는 반도체 기억장치(예컨대, DRAM)에 관한 것으로, 복잡한 프로그램을 작성하지 않아도 메모리 셀사이의 간섭시험을 용이하게 행할 수 있고, 또한 메모리 블록 및 센스 증폭기열이 배열된 코어부의 회로 레이아웃에 부담을 끼치지 않으며, 칩 면적의 증대를 초래하지 않도록 하기 위해 센스 버퍼 기록(write) 증폭기열(61)과 데이타 입출력 회로(70)와의 사이에 데이타 전송로 전환회로(200)를 설치한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예의 제1형태의 주요부의 회로구성을 도시하는 도면.
제2도는 본 발명의 실시예의 제1형태가 설치하는 데이타 전송로 전환회로의 회로구성을 도시하는 도면.
제3도는 본 발명의 실시예의 제1형태가 설치하는 데이타 전송로 전환회로를 구성하는 전환 스위치 회로의 회로구성을 도시하는 도면.
Claims (12)
- 다른 어드레스를 가지며, 복수 비트의 병렬 데이타의 입출력이 행해지는 복수의 메모리 셀 영역을 배열한 메모리 셀 영역열과, 상기 복수 비트의 병렬 데이타의 전송을 행하는 복수의 제1 데이타 전송선로와, 상기 복수 비트의 병렬 데이타가 입출력되는 복수의 데이타 입출력 단자를 갖는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 복수의 제1 데이타 전송선로와, 상기 복수의 데이타 입출력 단자와의 사이에 데이타 전송로의 일부를 전환하는 데이타 전송로 전환회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 데이타 전송로 전환회로는 상기 복수의 데이타 입출력 단자 각각이 데이타의 입출력에 있어서 각 메모리 셀 영역에 위치적으로 대응하는 메모리 셀에 대응하도록 데이타 전송로를 전환할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 메모리 셀 영역열은 메모리 셀이 접속되며 제1방향으로 연장되는 제2 데이타 전송선로를 상기 제1방향과 직교하는 제2방향에 배열하여 이루어진 제1, 제2…제n의 어드레스를 갖는 제1, 제2…제n의 메모리 셀 영역을 상기 제1방향으로 배열하여 이루어진 메모리 셀 영역별 또는 상기 제1, 제2…제n의 어드레스를 갖는 제1, 제2…제n의 메모리 셀 영역을 상기 제1방향으로 배열하여 이루어진 메모리 셀 영역열을 상기 제1방향으로 배열하여 이루어진 메모리 셀 영역열으로 각 메모리 셀 영역의 상기 제2 데이타 전송선로에 대하여 센스 증폭기를 일단측 및 타단측에 교대로 배열하며; 메모리 셀 영역에 사이에 삽입한 센스 증폭기는 양측의 메모리 셀 영역에 공용되도록 센스 증폭기를 배열하여 각 메모리 셀 영역을 사이에 삽입되도록 상기 제2방향에 설치된 복수의 센스 증폭기열과 각 센스 증폭기열에 대응하여 설치되고, 각 센스 증폭기열 내의 센스 증폭기에 공용되는 복수의 제3 데이타 전송선로를 가지며; 상기 복수의 제1 데이타 전송선로 각각은 상기 복수의 제2 데이타 전송선로중 복수의 제2 데이타 전송선로에 공용되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 독출시에 상기 복수의 제1 데이타 전송선로를 전송되어 오는 데이타를 독출하는 복수의 독출회로와, 상기 복수의 독출회로의 출력을 입력하고 출력 데이타를 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 출력하는 복수의 데이타 출력 버퍼를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 독출회로의 일부와 상기 복수의 데이타 출력 버퍼의 일부의 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 기록시에 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 입력되는 입력 데이타를 입력하는 복수의 데이타 입력 버퍼와, 상기 복수의 데이타 입력 버퍼의 출력을 입력하고 상기 복수의 제1 데이타 전송선로에 데이타를 출력하는 복수의 기록회로를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 데이타 입력 버퍼의 일부와 상기 복수의 기록회로의 일부의 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 독출시에 상기 복수의 제1 데이타 전송선로를 전송되어 오는 데이타를 독출하는 복수의 독출회로와, 상기 복수의 독출회로의 출력을 입력하고 출력 데이타를 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 출력하는 복수의 데이타 출력 버퍼를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 제1 데이타 전송선로의 일부와 상기 복수의 독출회로의 일부의 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 기록시에 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 입력되는 입력 데이타를 입력하는 복수의 데이타 입력 버퍼와, 상기 복수의 데이타 입력 버퍼의 출력을 입력하고 상기 복수의 제1 데이타 전송선로에 데이타를 출력하는 복수의 기록회로를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 기록회로의 일부와 상기 복수의 제1 데이타 전송선로의 일부와의 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 도는 제2항에 있어서, 독출시에 상기 복수의 제1 데이타 전송선로를 전송되어 오는 데이타를 독출하는 복수의 독출회로와, 상기 복수의 독출회로의 출력을 입력하고 출력 데이타를 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 출력하는 복수의 데이타 출력 버퍼를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 독출회로 중 일부의 독출회로의 출력측 또는 입력측에 독출회로의 일부로서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 기록시에 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 입력되는 입력 데이타를 입력하는 복수의 데이타 입력 버퍼와, 상기 복수의 데이타 입력 버퍼의 출력을 입력하고 상기 복수의 제1 데이타 전송선로에 데이타를 출력하는 복수의 기록회로를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 기록회로중 일부의 기록회로의 입력측 또는 출력측에 기록회로의 일부로서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 독출시에 상기 복수의 제1 데이타를 전송선로를 전송되어 오는 데이타를 독출하는 복수의 독출회로와, 상기 복수의 독출회로의 출력을 입력하고 출력 데이타를 상기 복수의 데이타 출력 단자에 출력하는 복수의 데이타 출력 버퍼를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 데이타 출력 버퍼중 일부의 데이타 출력 버퍼의 입력측에 데이타 출력 버퍼의 일부로서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 기록시에 상기 복수의 데이타 입출력 단자에 입력되는 입력 데이타를 입력하는 복수의 데이타 입력 버퍼와, 상기 복수의 데이타 입력 버퍼의 출력을 입력하고 상기 복수의 제1 데이타 전송선로에 데이타를 출력하는 복수의 기록회로를 가지며; 상기 데이타 전송로 전환회로의 일부는 상기 복수의 데이타 입력 버퍼중 일부의 데이타 입력 버퍼의 출력측에 데이타 입력 버퍼의 일부로서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 데이타 전송로 전환회로에서의 전환동작을 제어하는 데이타 전송로 전환 신호로서 어드레스 신호 또는 어드레스 신호에 준하는 신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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