KR940004819A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

반도체 집적회로 장치 Download PDF

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KR940004819A
KR940004819A KR1019930015728A KR930015728A KR940004819A KR 940004819 A KR940004819 A KR 940004819A KR 1019930015728 A KR1019930015728 A KR 1019930015728A KR 930015728 A KR930015728 A KR 930015728A KR 940004819 A KR940004819 A KR 940004819A
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마나부 쓰노자키
교오코 이시이
고오이치 노자키
히로시 요시오카
요시히사 고야마
신지 우도오
히데토모 아오야기
신이치 미야타케
마코토 모리노
아키히코 호시다
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가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
스즈키 진이치로오
히타치죠오 엘. 에스. 아이. 엔지니어링 가부시키가이샤
스즈키 시게루
히타치 홋카이 세미콘다쿠타 가부시키가이샤
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    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • G—PHYSICS
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    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract

메모리 셀이 매트릭스 배치되게 되는 메모리 매트와 그 미소판독신호를 증폭하는 센서 엠프들이 복수조 설치됨과 동시에 각 센스앰프에서의 판독신호를 입출력선으로 송출 또는 비송출하는 것을 선택하는 수단과 선택신호를 전달하는 Y선택권을 가지고, 그 선택에 관한 디코더 회로는 Y선택선의 거의 중간부분에 배치된다. X,Y 각 어드레스바퍼는 X,Y 각 용장회로보다도 칩 중앙부에 보다 가까운 위치로 배치해서 각각 근접시킨다. 기준전압발생회로는 출력 바퍼회로에 비교해서 칩단부에 보다 가깝게 배치시킨다. 각 메모리 매트내의 각 용장선에 의한 구제를 선택하는 회로는 대상으로 되는 메모리 매트마다에 동일 메모리 매트내의 각 용장선을 선택하는 회로를 인접해서 배치시킨다. 센스앰프의 배선의 적어도 일부가 Y선택선과 동일 배선층으로 구성되고, 해당 센스앰프군의 틈을 복수의 동일 노드인 Y선택선을 통과시킨다. 쉐어드 MOS, 비트선 프리차지 NMOS는 메모리 셀과 동일 다양의 불순물 이온 주입량 또는 이온 종류로 한다. 매트 콘트롤러 신호에서 입출력선의 이켈라이즈 제어신호를 복수발생하는 동일의 논리회로를 복수개 배치하여 동일의 메모리 매트내의 복수의 입출력선 이켈라이즈 회로로 각각 동시에 공급한다.

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 다이나믹형 RAM의 일실시예의 칩 레이아웃 배치도,
제2도는 제1도의 블럭 1에 대응한 레이아웃도,
제3도는 제1도의 블럭 2에 대응한 레이아웃도,
제4도는 본 발명에 관한 X계 용장회로의 일실시예의 블럭배치도,
제5도는 제4도의 블럭 1에 대응한 회로도,
제6도는 제4도의 블럭 2에 대응한 회로도.

Claims (7)

  1. 복수의 워드선과, 상기 워드선에 교차되는 복수의 데이타선쌍과, 상기 워드선과 상기 데이타선쌍에 접속되는 메모리 셀이 매트릭스 모양으로 배치되어 있는 복수의 메모리 매트와, 상기 메모리 매트 중 적어도 2개로 구성되는 메모리 매트쌍의 사이에 각각 배치되어, 상기 메모리 셀에서 판독되어진 신호를 증폭하기 위한 복수의 센스앰프들을 포함하는 복수의 메모리 블럭과, 상기 센스앰프에서 출력되는 증폭신호를 외부로 전달하기 위한 복수의 입출력 선과, 상기 센스앰프에서 출력되는 증폭신호를 각각 상기 입출력 선으로 전달하는 것을 선택하기 위한 선택수단, 상기 선택수단에서 공급되는 선택신호를 전달하기 위한 복수의 선택선들을 구비하고, 상기 선택수단은 상기 선택선의 거의 중간부분에 배치되고, 상기 선택수단은, 상기 선택수단에서 일방향으로 연장하는 상기 선택선의 적어도 하나와 반대방향으로 연장하는 상기 선택선의 적어도 하나를 동시에 선택하는 것을 특징으로 하는 하나의 칩으로 형성된 반도체 집적회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 선택신호에 의해서 상기 입출력선과 상기 데이타선쌍을 각각 선택적으로 결합하기 위한 결합수단을 더 포함하는 하나의 칩으로 형성된 반도체 집적회로 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 결합수단은 상기 선택신호를 게이트로 받는 N채널 MOSFET를 포함하는 하나의 칩으로 형성된 집적회로 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 센스앰프는 상기 메모리 매트쌍에 대해서 공통으로 사용되고, 상기 센스앰프를 중심으로 상기 데이타선쌍의 한쪽과 다른쪽을 대칭적으로 배치하는 쉐어드 센스앰프인 하나의 칩으로 형성된 반도체 집적회로 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 메모리 블럭은 상기 칩의 종 및 횡방향을 1/2로 분할하는 양영역에서 종중앙부와 횡중앙부로 되는 +자형 에러이에 의해 분할된 4개의 영역으로 배치되는 하나의 칩으로 형성된 반도체 집적회로 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 +자형 에러이의 상기 횡중앙부에 배치되는 로계 및 컬럼계 어드레스 바퍼 회로를 더 포함하는 하나의 칩으로 형성된 반도체 집적회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 메모리 매트에 각각 포함되는 복수의 용장워드선과, 상기 횡중앙부에 배치되어 상기 용장워드선을 선택하기 위한 용장수단을 더 포함하고, 상기 용장수단은 상기 어드레스 바퍼회로 보다도 칩단부에 보다 가깝게 배치되는 하나의 칩으로 형성된 반도체 집적회로 장치.
KR1019930015728A 1992-08-19 1993-08-13 반도체집적회로장치 KR100299948B1 (ko)

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JP4242751A JPH0668667A (ja) 1992-08-19 1992-08-19 半導体集積回路装置

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KR940004819A true KR940004819A (ko) 1994-03-16
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