KR970053007A - 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조 방법 - Google Patents
바이폴라 접합 트랜지스터의 제조 방법Info
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Abstract
본 발명은 고집적화를 이룰 수 있는 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명의 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법은 반도체 기판에 매몰 산화층, N형 SOI층, 산화막이 순차적으로 적층된 상태에서, 산화막을 식각하여 패턴을 형성하는 단계; 이미터 영역을 형성하기 위한 감광막 마스크를 형성한 상태에서 소정 에너지의 P+이온을 N형 SOI를 P형으로 변화시킬 수 있는 정도의 소정량만큼 단계; P+형 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 전면에 증착한 다음, 소정의 베이스 영역을 남기고 제거하는 단계; 베이스의 측벽에 측벽 산화막을 형성하고, N형의 불순물을 임계농도 이상으로 SOI층에 주입하여 이미터 및 컬렉터 영역을 형성하는 단계; 이미터, 베이스 및 컬렉터 영역에 실리사이드를 자기 정렬 방법으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부한 도면은 본 발명의 실시예에 따른 바이폴라 트랜지스터의 제조과정을 설명하기 위한 공정흐름도.
Claims (4)
- 반도체 기판에 매몰 산화층을 형성하는 단계; 매몰 산화층위에 N형 SOI층을 형성하는 단계; N형 SOI위에 저압 화학기상증착법으로 산화막을 소정두께만큼 형성하는 단계; 산화막위에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 산화막을 식각한 다음, 감광막 마스크를 제거하고 이미터 영역을 형성하기 위한 감광막 마스크를 형성한 상태에서 소정 에너지의 P+이온을 N형 SOI를 P형으로 변화시킬 수 있는 정도의 소정량만큼 이온주입하는 단계; 감광막을 제거하고 P+형 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 전면에 증착하는 단계; 증착된 P+형 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 전면에 증착하는 단계; 증착된 P+형 폴리실리콘의 소정 영역에 베이스 영역을 남겨두기 위한 감광막 마스크를 형성하는 단계; 노출된 도핑된 폴리실리콘을 제거하는 단계; 감광막을 제거하는 단계; 베이스의 측벽에 측벽 산화막을 형성하는 단계; 베이스에 감광막 마스크를 형성하는 단계; N형의 불순물을 임계농도이상으로 전면에 이온 주입 및 확산시켜 이미터 및 컬렉터 영역을 형성하는 단계; 감광막을 제거하고, 이미터, 베이스 및 컬렉터 영역에 금속막을 형성하는 단계; 금속막이 형성된 웨이퍼를 소정 온도에서 열처리하여 이미터, 베이스 및 컬렉터 표면에 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SOI층 위에 형성되는 산화막의 두께는 500~1,500Å범위인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 N-SOI층에 주입되는 불순물 이온의 주입량은 N형의 SOI를 P형으로 변화시킬 수 있는 정도의 양인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스의 폭은 0.2~0.5㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950068527A KR970053007A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950068527A KR970053007A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970053007A true KR970053007A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=60934168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950068527A KR970053007A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970053007A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950068527A patent/KR970053007A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |