KR970052719A - 기판 세정방법 및 그 장치 - Google Patents

기판 세정방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970052719A
KR970052719A KR1019960069456A KR19960069456A KR970052719A KR 970052719 A KR970052719 A KR 970052719A KR 1019960069456 A KR1019960069456 A KR 1019960069456A KR 19960069456 A KR19960069456 A KR 19960069456A KR 970052719 A KR970052719 A KR 970052719A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
ice
gas
supplying
pure water
Prior art date
Application number
KR1019960069456A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100240209B1 (ko
Inventor
다카마사 사카이
사다오 히라에
미노부 마쯔나가
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR970052719A publication Critical patent/KR970052719A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100240209B1 publication Critical patent/KR100240209B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0014Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by incorporation in a layer which is removed with the contaminants
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0092Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B23/00Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
    • G11B23/50Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
    • G11B23/505Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

기판세정장치가, 기판을 빙점이하로 냉각하는 냉각시스템과, 냉각수단에 의해 냉각된 기판의 표면에 안개 상태의 물을 포함한 가스를 공급하여 상기 기판의 표면상에 얼음이 형성되도록 하는 습식가스 공급시스템과, 기판의 표면상에 형성된 얼음을 제거하는 얼음 제거부를 구비한다. 이 장치는 비교적 큰 오염입자 뿐만 아니라 미세한 오염입자도 기판으로부터 제거된다.

Description

기판세정방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정장치의 구조를 나타내는 개략도.

Claims (20)

  1. 기판을 빙점 이하로 냉각시키는 단계와; 빙점 이하로 냉각된 상기 기판의 표면에 안개상태의 물을 포함하는 가스를 공급하여 상기 기판 표면에 얼음을 형성시키는 단계와; 상기 기판의 표면상에 형성된 얼음을 제거하는 단계를 구비하는 기판 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 빙점이하로 냉각된 냉각판 상에 놓여짐으로써 냉각되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 얼음은 상기 기판의 표면상에 고압으로 가스를 분사함으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 얼음은 상기 기판의 표면 상에 고압으로 가스를 분사함으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판은 고압가스의 분사중 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  6. 제4항에 있어서, 고압가스에 의해 얼음이 제거되는 단계후에 상기 기판의 표면에 순수를 스프레이하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  7. 제1항에 있어서, 안개상태의 물을 포함한 상기 가스는 질소가스를 안개상태의 순수와 혼합함으로써 만들어지는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  8. 기판을 빙점이하로 냉각시키는 냉각수단과; 냉각수단에 의해 냉각된 상기 기판의 표면에 안개상태의 물을 포함하는 가스를 공급하여 상기 기판의 표면에 얼음을 형성시키는 습식가스 공급수단과; 상기 기판의 표면상에 형성된 얼음을 제거하는 얼음 제거수단을 구비하는 기판 세정장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 냉각수단은, 상기 기판이 놓여지는 냉각판과; 냉매를 흘리기 위해 상기 냉각판내에 마련되는 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 냉매는 액화 질소인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 습식가스 공급수단은 안개상태의 물을 포함하는 질소가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 습식가스 공급수단은, 질소가스를 공급하는 질소가스 공급기와; 안개상태의 순수를 공급하는 순수 안개공급기와; 상기 질소가스와 상기 안개상태의 순수를 혼합하는 혼합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 얼음 제거수단은 고압 가스분사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 얼음 제거수단은, 상기 기판을 지지하는 회전 지지대와; 상기 회전지지대를 회전시키는 구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 얼음 제거수단은 상기 기판의 표면에 순수를 공급하는 순수공급기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  16. 제8항에 있어서, 상기 습식가스 공급수단은 안개상태의 물을 포함하는 질소가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 습식가스 공급수단은, 질소가스를 공급하는 질소가스 공급기와; 안개상태의 순수를 공급하는 순수 안개공급기와; 상기 질소가스와 상기 안개상태의 순수를 혼합하는 혼합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  18. 제8항에 있어서, 상기 얼음 제거수단은 고압 가스분사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  19. 제8항에 있어서, 상기 냉각수단 및 상기 기판을 둘러싸는 밀봉용기와; 상기 밀봉용기의 내부를 진공으로 만드는 진공장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  20. 제19항에 있어서, 건조가스를 밀봉용기 내로 공급하는 건조가스 공급기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960069456A 1995-12-28 1996-12-21 기판 세정방법 및 그 장치 KR100240209B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-343147 1995-12-28
JP34314795A JP3343013B2 (ja) 1995-12-28 1995-12-28 基板洗浄方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052719A true KR970052719A (ko) 1997-07-29
KR100240209B1 KR100240209B1 (ko) 2000-01-15

Family

ID=18359286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960069456A KR100240209B1 (ko) 1995-12-28 1996-12-21 기판 세정방법 및 그 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5857474A (ko)
JP (1) JP3343013B2 (ko)
KR (1) KR100240209B1 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3676912B2 (ja) * 1997-08-07 2005-07-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体製造装置およびその異物除去方法
US6332470B1 (en) * 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
KR100853000B1 (ko) * 2001-03-16 2008-08-19 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘 웨이퍼 보관용수 및 보관방법
US6783599B2 (en) * 2001-07-19 2004-08-31 International Business Machines Corporation Method of cleaning contaminants from the surface of a substrate
US20040016442A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Cawlfield B. Gene Megasonically energized liquid interface apparatus and method
US6864458B2 (en) * 2003-01-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Iced film substrate cleaning
AU2003220242A1 (en) * 2003-03-12 2004-10-11 Mattson Technology Inc. Systems and methods for cleaning semiconductor substrates using a reduced volume of liquid
JP4246159B2 (ja) * 2003-03-25 2009-04-02 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造装置及び製造方法
TW200608453A (en) * 2004-08-20 2006-03-01 Aqua Science Corp Object treating device and method
DE102004054320A1 (de) * 2004-11-10 2006-05-11 Universität Konstanz Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen und Verwendung eines Reinigungsmittels
JP2006332396A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4514700B2 (ja) * 2005-12-13 2010-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW200739710A (en) * 2006-04-11 2007-10-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4767138B2 (ja) * 2006-09-13 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法
JP4895774B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4877783B2 (ja) * 2006-11-28 2012-02-15 大日本スクリーン製造株式会社 裏面洗浄装置、基板処理装置および裏面洗浄方法
JP2008135557A (ja) 2006-11-28 2008-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008244327A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd パーティクル測定方法、パーティクル測定装置及び記憶媒体
JP5243165B2 (ja) * 2008-09-25 2013-07-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
KR101229775B1 (ko) * 2008-12-26 2013-02-06 엘지디스플레이 주식회사 기판 세정장치
KR101097509B1 (ko) * 2009-07-17 2011-12-22 주식회사 엠엠티 기판 세정장치
TWI480937B (zh) 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5715831B2 (ja) 2011-01-20 2015-05-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2013051301A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US10872634B2 (en) * 2017-04-27 2020-12-22 Seagate Technology Llc Methods and devices for conditioning disks
US10675945B2 (en) * 2018-03-15 2020-06-09 Waymo Llc Sensor condensation prevention
JP7224981B2 (ja) * 2019-03-15 2023-02-20 キオクシア株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN112934863A (zh) * 2021-03-11 2021-06-11 洛阳正扬冶金技术股份有限公司 一种板带表面快速清洁及干燥方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491484A (en) * 1981-11-24 1985-01-01 Mobile Companies, Inc. Cryogenic cleaning process
JPS62213127A (ja) * 1986-03-13 1987-09-19 Nec Corp 半導体ウエハ−の洗浄装置
JPH084063B2 (ja) * 1986-12-17 1996-01-17 富士通株式会社 半導体基板の保存方法
JPH0323635A (ja) * 1989-06-21 1991-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の洗浄方法およびそれに用いる洗浄装置
JPH0330315A (ja) * 1989-06-27 1991-02-08 Tokyo Erekutoron Kyushu Kk 被処理体処理装置
JPH03131026A (ja) * 1989-10-17 1991-06-04 Seiko Epson Corp 洗浄装置
JPH03234021A (ja) * 1990-02-09 1991-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法
JPH03261142A (ja) * 1990-03-12 1991-11-21 Fujitsu Ltd 半導体基板洗浄方法
JP3046835B2 (ja) * 1990-11-05 2000-05-29 大陽東洋酸素株式会社 半導体ウエハの洗浄装置
JPH04188828A (ja) * 1990-11-22 1992-07-07 Taiyo Sanso Co Ltd 基板洗浄装置
JPH05144793A (ja) * 1991-03-18 1993-06-11 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面の洗浄装置
JP2504916B2 (ja) * 1993-09-20 1996-06-05 株式会社芝浦製作所 基板洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5857474A (en) 1999-01-12
KR100240209B1 (ko) 2000-01-15
JP3343013B2 (ja) 2002-11-11
JPH09186123A (ja) 1997-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970052719A (ko) 기판 세정방법 및 그 장치
KR910007593A (ko) 강제 유체대류에 의한 오염 입자 제거장치 및 방법
US6203406B1 (en) Aerosol surface processing
JPH02130921A (ja) 固体表面洗浄装置
CA2204946A1 (en) Apparatus and method for actively cooling instrumentation in a high temperature environment
CN102592970A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR20030001306A (ko) 세정방법 및 그 장치
KR20020022222A (ko) 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템
KR20100111455A (ko) 드라이아이스 분무식 세정장치
DE60326679D1 (de) Verfahren zum Betreiben eines Adsorptionskühlsystems
CO4560387A1 (es) Metodo y disposicion para enfriar esponja de hierro en briquetas calientes
CA2357197A1 (en) Ice cream vending machine
KR100385431B1 (ko) 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템
KR20010061607A (ko) 반도체 장비 세정 장치 및 방법
JPH0547732A (ja) 精密洗浄方法および精密洗浄装置
JP3484533B2 (ja) 研削加工の冷風冷却方法及び冷風冷却装置
JP2020174208A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JPH0650114Y2 (ja) 冷却油供給装置
JP3600386B2 (ja) スラッシュ水素製造方法及びその為の磁気冷凍装置
KR102386417B1 (ko) 안정기를 이용한 이산화탄소 세정장치
JP2000205722A (ja) 飲料用ボトル急速冷却装置
JP3323304B2 (ja) 物体の洗浄装置及び洗浄方法
KR20000009210A (ko) 급속 냉각장치
KR960026310A (ko) 웨이퍼 건조장치 및 건조방법
JPH0268186A (ja) 洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091009

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee