JPS62213127A - 半導体ウエハ−の洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハ−の洗浄装置Info
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハーの洗浄装置に関するものである
。
。
従来、この種の洗浄装置は液体の酸およびアルカリの洗
浄液を適当な比率で混合し、洗浄装置内に霧状に噴出す
ることにより洗浄を行うものであり、また各洗浄液を適
宜切り替えることにより。
浄液を適当な比率で混合し、洗浄装置内に霧状に噴出す
ることにより洗浄を行うものであり、また各洗浄液を適
宜切り替えることにより。
複雑な洗浄工程を単一の処理槽内で行うようになってい
た。
た。
上述した従来の洗浄装置においては、洗浄剤として液体
を用いる方法となっているため、液体中の微粒子が除去
しに＜＜、半導体ウェハーの表面に微粒子が多く残留す
るという欠点がある。
を用いる方法となっているため、液体中の微粒子が除去
しに＜＜、半導体ウェハーの表面に微粒子が多く残留す
るという欠点がある。
また従来の洗浄方法では、複数の洗浄工程を実施する場
合、前の工程で使用した洗浄液が導入管内に残存する可
能性があり、この残存物が次の工□程の洗浄液と反応し
、導入管内に反応生成物が堆積する可能性があるという
欠点がある。
合、前の工程で使用した洗浄液が導入管内に残存する可
能性があり、この残存物が次の工□程の洗浄液と反応し
、導入管内に反応生成物が堆積する可能性があるという
欠点がある。
本発明の目的は液体中の微粒子を除去し、かつ処理工程
間の洗浄液の置換を完全ならしめた半導体ウェハーの洗
浄装置を提供することにある。
間の洗浄液の置換を完全ならしめた半導体ウェハーの洗
浄装置を提供することにある。
本発明は半導体ウェハーを保持しこれを回転させる保持
装置と、超純水を霧状に噴出する給水ノズルと、洗浄液
の原料としての各種反応ガスを封入したガスボンベと、
無水弗化水素酸を気化させる気化器と、気体中の微粒子
を除去するガスフィルタとを有し、前記処理槽内で前記
反応ガスおよび気化した無水弗化水素酸を噴出して前記
給水ノズルから噴出された超純水と混合して洗浄液を合
成するようにしたことを特徴とする半導体ウェハーの洗
浄装置である。
装置と、超純水を霧状に噴出する給水ノズルと、洗浄液
の原料としての各種反応ガスを封入したガスボンベと、
無水弗化水素酸を気化させる気化器と、気体中の微粒子
を除去するガスフィルタとを有し、前記処理槽内で前記
反応ガスおよび気化した無水弗化水素酸を噴出して前記
給水ノズルから噴出された超純水と混合して洗浄液を合
成するようにしたことを特徴とする半導体ウェハーの洗
浄装置である。
以下１本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、処理槽１内に、半導体ウェハーを保持
しこれを回転させる保持装置３を設置し。
しこれを回転させる保持装置３を設置し。
保持装置３と対向させて給水ノズル９を設置する。
さらに、処理槽１に、ガスフィルタ５を介して窒素ボン
ベ４．亜硫酸ガスボンベ６、酸素ボンベ７、オゾン発生
器８、塩酸ガスボンベ１０、アンモニアガスボンベ１１
．無水弗化水素酸気化器１２をそれぞれ接続する。
ベ４．亜硫酸ガスボンベ６、酸素ボンベ７、オゾン発生
器８、塩酸ガスボンベ１０、アンモニアガスボンベ１１
．無水弗化水素酸気化器１２をそれぞれ接続する。
処理槽１中において、半導体ウェハー２を収納した保持
装置３は常に回転している。また常に窒素ボンベ４から
フィルタ５を通して清浄な窒素ガスが処理槽１中に送ら
れている。
装置３は常に回転している。また常に窒素ボンベ４から
フィルタ５を通して清浄な窒素ガスが処理槽１中に送ら
れている。
硫酸を用いる工程においては亜硫酸ガスボンベ６からフ
ィルタ５を通し、同時に酸素ボンベ７からオゾン発生器
を通し酸素をオゾンに変換した後フィルタ５を通し、開
気体を処理槽１に導入し、ここに給水ノズル９より超純
水を霧状に噴出させる。このとき、亜硫酸ガスとオゾン
および水が反応し、硫酸が生成され、洗浄が行われる。
ィルタ５を通し、同時に酸素ボンベ７からオゾン発生器
を通し酸素をオゾンに変換した後フィルタ５を通し、開
気体を処理槽１に導入し、ここに給水ノズル９より超純
水を霧状に噴出させる。このとき、亜硫酸ガスとオゾン
および水が反応し、硫酸が生成され、洗浄が行われる。
塩酸を用いる工程においては塩酸ガスボンベ１０から塩
酸ガスを処理槽１に導入し、給水ノズル９より超純水を
噴出させることにより、塩酸を生成し、洗浄が行われる
。
酸ガスを処理槽１に導入し、給水ノズル９より超純水を
噴出させることにより、塩酸を生成し、洗浄が行われる
。
アンモニア水を用いる工程においてはアンモニアガスボ
ンベ１１からアンモニアガスを、給水ノズル９から超純
水を噴出させることにより、アンモニア水を生成し、洗
浄に用いる。
ンベ１１からアンモニアガスを、給水ノズル９から超純
水を噴出させることにより、アンモニア水を生成し、洗
浄に用いる。
弗化水素酸を用いる工程においては無水弗化水素酸を２
０℃以上に加熱する気化器１２により気化した弗化水素
ガスをフィルタ５に通し、また給水ノズル９より霧状超
純水をそれぞれ処理槽１に導入することにより１粒子数
の少ない弗化水素酸が生成され洗浄が行われる。
０℃以上に加熱する気化器１２により気化した弗化水素
ガスをフィルタ５に通し、また給水ノズル９より霧状超
純水をそれぞれ処理槽１に導入することにより１粒子数
の少ない弗化水素酸が生成され洗浄が行われる。
各洗浄工程の間の洗浄工程においては、給水ノズル９か
ら超純水を噴出させ、同時に窒素ボンベ４からフィルタ
５を通し清浄な窒素ガスを導入する。この窒素ガスは、
前の工程で残ったガスを置換すると同時に処理槽内を清
浄に保つ。
ら超純水を噴出させ、同時に窒素ボンベ４からフィルタ
５を通し清浄な窒素ガスを導入する。この窒素ガスは、
前の工程で残ったガスを置換すると同時に処理槽内を清
浄に保つ。
乾燥工程においては窒素ガスを処理槽１内に導入し、保
持装置３の回転速度を上昇させることにより乾燥が行わ
れる。
持装置３の回転速度を上昇させることにより乾燥が行わ
れる。
以上の処理で用いられた洗浄液は、すべて処理槽１内で
気体から合成され、またその気体はフィルタを通してい
る。一般的に気体に対するフィルタの微粒子の捕獲能の
方が、液体に対するフィルタの微粒子の捕獲能よりも優
れているので、最初から液体を用いる従来方法に比べ洗
浄液中の微粒子数が少ない。
気体から合成され、またその気体はフィルタを通してい
る。一般的に気体に対するフィルタの微粒子の捕獲能の
方が、液体に対するフィルタの微粒子の捕獲能よりも優
れているので、最初から液体を用いる従来方法に比べ洗
浄液中の微粒子数が少ない。
また、各工程の間の洗浄液の置換が本発明においては気
体を用いるために従来方法に比べ容易に行われる。
体を用いるために従来方法に比べ容易に行われる。
以上説明したように本発明は処理槽内でガスと超純水を
用いて洗浄液を合成することにより、従来技術で用いて
いた液体の洗浄剤よりも微粒子数を少なく抑えることが
でき、かつ気体を用いることにより、処理工程間の洗浄
剤の置換がより完全にできる効果がある。
用いて洗浄液を合成することにより、従来技術で用いて
いた液体の洗浄剤よりも微粒子数を少なく抑えることが
でき、かつ気体を用いることにより、処理工程間の洗浄
剤の置換がより完全にできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハーを保持しこれを回転させる保持装
置と、超純水を霧状に噴出する給水ノズルと、洗浄液の
原料としての各種反応ガスを封入したガスボンベと、無
水弗化水素酸を気化させる気化器と、気体中の微粒子を
除去するガスフィルタとを有し、処理槽内で前記反応ガ
スおよび気化した無水弗化水素酸を噴出して前記給水ノ
ズルから噴出された超純水と混合して洗浄液を合成する
ようにしたことを特徴とする半導体ウェハーの洗浄装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5575886A JPS62213127A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体ウエハ−の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5575886A JPS62213127A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体ウエハ−の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213127A true JPS62213127A (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=13007742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5575886A Pending JPS62213127A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体ウエハ−の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213127A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0199221A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
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| JPH01146330A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Res Dev Corp Of Japan | シリコン固体の表面清浄化方法 |
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-
1986
- 1986-03-13 JP JP5575886A patent/JPS62213127A/ja active Pending
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