JP3001634B2 - 超高純度液体を用いた高度精密電子部品の製造 - Google Patents
超高純度液体を用いた高度精密電子部品の製造Info
- Publication number
- JP3001634B2 JP3001634B2 JP4511640A JP51164092A JP3001634B2 JP 3001634 B2 JP3001634 B2 JP 3001634B2 JP 4511640 A JP4511640 A JP 4511640A JP 51164092 A JP51164092 A JP 51164092A JP 3001634 B2 JP3001634 B2 JP 3001634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- purity
- manufacturing
- precision electronic
- gaseous raw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 32
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical group F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 6
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 claims description 3
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 claims description 3
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000909 electrodialysis Methods 0.000 claims description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 3
- 101000963933 Dendroaspis polylepis polylepis Mambalgin-2 Proteins 0.000 claims 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 claims 1
- 230000000813 microbial effect Effects 0.000 claims 1
- PMOIAJVKYNVHQE-UHFFFAOYSA-N phosphanium;bromide Chemical compound [PH4+].[Br-] PMOIAJVKYNVHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 2
- XXQBEVHPUKOQEO-UHFFFAOYSA-N potassium superoxide Chemical compound [K+].[K+].[O-][O-] XXQBEVHPUKOQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 2
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical class [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- YVPYQUNUQOZFHG-UHFFFAOYSA-N amidotrizoic acid Chemical compound CC(=O)NC1=C(I)C(NC(C)=O)=C(I)C(C(O)=O)=C1I YVPYQUNUQOZFHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N barium peroxide Chemical compound [Ba+2].[O-][O-] ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052728 basic metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003818 basic metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- -1 diborane Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004972 metal peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の利用分野 本発明は高度精密電子部品並びにそのような部品を製
造するさまざまな製造工程に使用する液体化学物質の製
造および取扱いに関するものである。
造するさまざまな製造工程に使用する液体化学物質の製
造および取扱いに関するものである。
発明の背景 電子部品を製造する場合、どの製造過程においても最
も注意すべき事はコンタミネーションの混入である。コ
ンタミネーションの混入を制限することが製品の品質を
保つためには決定的に重要であり、製造環境が超高度に
クリーンで不純物がないことが満足すべき収率や収益を
得るためには不可欠である。このような要請は非常に高
密度の電子回路や超精密ベアリング、記録用ヘッド、LC
Dディスプレイなどの製造においては特に厳しいもので
ある。
も注意すべき事はコンタミネーションの混入である。コ
ンタミネーションの混入を制限することが製品の品質を
保つためには決定的に重要であり、製造環境が超高度に
クリーンで不純物がないことが満足すべき収率や収益を
得るためには不可欠である。このような要請は非常に高
密度の電子回路や超精密ベアリング、記録用ヘッド、LC
Dディスプレイなどの製造においては特に厳しいもので
ある。
コンタミネーションの混入源としては、製造施設由来
のものや人為的な原因によるもの、さらには加工のため
の器具に由来するものがある。多くの場合、コンタミネ
ーションの混入は例えば隔離や空気の濾過、作業員と製
造用具との接触を避けるための特殊な用具や服装といっ
た、いわゆる「クリーンルーム」技術を使用することに
よって許容水準にまで挿え込むことができる。超高度精
密製造業においては、許容できる欠陥の上限が特に低い
ため、コンタミネーションの混入源に関する制限はいっ
そう厳しいものになる。
のものや人為的な原因によるもの、さらには加工のため
の器具に由来するものがある。多くの場合、コンタミネ
ーションの混入は例えば隔離や空気の濾過、作業員と製
造用具との接触を避けるための特殊な用具や服装といっ
た、いわゆる「クリーンルーム」技術を使用することに
よって許容水準にまで挿え込むことができる。超高度精
密製造業においては、許容できる欠陥の上限が特に低い
ため、コンタミネーションの混入源に関する制限はいっ
そう厳しいものになる。
超高度密度製造業において問題を引き起こしうるコン
タミネーションの混入源には、製造工程で使われる液体
化学物質がある。洗浄剤やエッチング剤およびその他の
処理に使われる化学物質は非常に純度が高く、不純物粒
子を含んでいないものでなければ満足できる製品を高収
率で得ることはできない。しかし外部汚染源から製造区
域に侵入して来る化学物質は、それ自身がコンタミネー
ション（汚染物質）になりうる。化学物質の製造工程
も、その化学物質を輸送するときの包装作業やその包装
材も、またメーカーから送られてきた化学物質の取り扱
い作業も、さらには輸送または貯蔵している間の化学物
質の分解もコンタミネーション汚染の原因になりうる。
タミネーションの混入源には、製造工程で使われる液体
化学物質がある。洗浄剤やエッチング剤およびその他の
処理に使われる化学物質は非常に純度が高く、不純物粒
子を含んでいないものでなければ満足できる製品を高収
率で得ることはできない。しかし外部汚染源から製造区
域に侵入して来る化学物質は、それ自身がコンタミネー
ション（汚染物質）になりうる。化学物質の製造工程
も、その化学物質を輸送するときの包装作業やその包装
材も、またメーカーから送られてきた化学物質の取り扱
い作業も、さらには輸送または貯蔵している間の化学物
質の分解もコンタミネーション汚染の原因になりうる。
更に困難な問題が生じるのは、化学物質の輸送規定
（Depertment of Transportation regulations）にはな
い化学物質を扱う必要のある作業工程においてである。
なぜならばそのような化学物質は、規定に準処した方法
では輸送できないからである。そのような例としては、
濃度70％以上の硝酸、高純度オレウム（oleum）濃度28
％以上のアンモニア水、安定化剤を含まない過酸化水素
などがある。
（Depertment of Transportation regulations）にはな
い化学物質を扱う必要のある作業工程においてである。
なぜならばそのような化学物質は、規定に準処した方法
では輸送できないからである。そのような例としては、
濃度70％以上の硝酸、高純度オレウム（oleum）濃度28
％以上のアンモニア水、安定化剤を含まない過酸化水素
などがある。
満足すべき品質の超精密部品を高収率で生産できるだ
けの純度を持ち、日々進歩する電子工学の需要に見合う
化学的処理剤を供給するための信頼できる方法が必要で
あることは明らかである。
けの純度を持ち、日々進歩する電子工学の需要に見合う
化学的処理剤を供給するための信頼できる方法が必要で
あることは明らかである。
発明の要約 超精密電子材料の生産ラインに必要な超高純度液体化
学物質を供給するシステムがこれまでにも開発されてき
ている。化学的処理剤はそれが使用される生産施設の中
で合成されているが、こうすることによって処理剤の製
造工程や純度、組成を厳密にコントロールでき、それが
ひいては非常に高密度の半導体を満足すべき品質、高収
率で製造することを可能にしているのである。本発明に
よれば液体化学処理剤は使用現場で使用の直前に、半導
体製造基準に適合するレベルまで精製したガス状の出発
原料から合成される。化学物質は直接処理剤として使え
る濃度に合成されるので、荷造りや輸送をする必要はな
く、また、希釈剤や溶媒、その他のコンタミネーション
の潜在的原因となる化学物質との混合を行う必要もな
い。
学物質を供給するシステムがこれまでにも開発されてき
ている。化学的処理剤はそれが使用される生産施設の中
で合成されているが、こうすることによって処理剤の製
造工程や純度、組成を厳密にコントロールでき、それが
ひいては非常に高密度の半導体を満足すべき品質、高収
率で製造することを可能にしているのである。本発明に
よれば液体化学処理剤は使用現場で使用の直前に、半導
体製造基準に適合するレベルまで精製したガス状の出発
原料から合成される。化学物質は直接処理剤として使え
る濃度に合成されるので、荷造りや輸送をする必要はな
く、また、希釈剤や溶媒、その他のコンタミネーション
の潜在的原因となる化学物質との混合を行う必要もな
い。
本発明による化学処理剤は、精製したガス状の出発原
料を、他の同じように精製したガス状または液体状の物
質と反応させて望ましい液体状の生成物とすることで合
成される。これには、ガス状の出発原料を、精製して高
純度にした水またはその他の液体の霧またはストリーム
と接触させて溶液とする方法や、ガス状の出発物質を、
他の非常に純度の高いガス状または液体状の物質と反応
させてそれ自身液体の生成物を得る方法あるいはすぐに
液体状の溶媒に溶ける生成物に導く方法などがある。こ
うして得られた高純度処理液は生産ライン上の作業部位
に直接導かれ、そこでこの高純度処理液は貯蔵並びに輸
送のための容器といったコンタミネーションの潜在的混
入源や超クリーンではないなんらかの環境を通る事なく
処理すべき加工部品（workpiece）の表面に接触し、目
的とする機能を発揮できるのである。
料を、他の同じように精製したガス状または液体状の物
質と反応させて望ましい液体状の生成物とすることで合
成される。これには、ガス状の出発原料を、精製して高
純度にした水またはその他の液体の霧またはストリーム
と接触させて溶液とする方法や、ガス状の出発物質を、
他の非常に純度の高いガス状または液体状の物質と反応
させてそれ自身液体の生成物を得る方法あるいはすぐに
液体状の溶媒に溶ける生成物に導く方法などがある。こ
うして得られた高純度処理液は生産ライン上の作業部位
に直接導かれ、そこでこの高純度処理液は貯蔵並びに輸
送のための容器といったコンタミネーションの潜在的混
入源や超クリーンではないなんらかの環境を通る事なく
処理すべき加工部品（workpiece）の表面に接触し、目
的とする機能を発揮できるのである。
本発明は加工用液剤並びに洗浄用液剤一般に応用でき
るが、洗浄液や現像液、エッチング用液並びにストリッ
ピング用液には特に適しており、コンタミネーションを
全く含まない状態で加工部品（workpiece）を処理する
ことができるため、欠陥のない製品を得ることが可能に
なる。このようにして、非常に小さく精密で、凝縮され
た回路を持つ半導体や、ベアリング、ガラス、およびそ
の他の物質で、その働きが高い精密さに依存しているよ
うな物を高い収率で製造することが可能になる。
るが、洗浄液や現像液、エッチング用液並びにストリッ
ピング用液には特に適しており、コンタミネーションを
全く含まない状態で加工部品（workpiece）を処理する
ことができるため、欠陥のない製品を得ることが可能に
なる。このようにして、非常に小さく精密で、凝縮され
た回路を持つ半導体や、ベアリング、ガラス、およびそ
の他の物質で、その働きが高い精密さに依存しているよ
うな物を高い収率で製造することが可能になる。
図面の簡単な説明 第１図は、本発明を実施する一実施例として示した半
導体組立てラインのブロックダイアグラムである。
導体組立てラインのブロックダイアグラムである。
第２図は、アンモニア水（ammonium hydroxide）また
は過酸化水素（hydrogen peroxide）と混合したアンモ
ニア水を製造し、導入するためのサブユニットの工学的
フローダイアグラムである。
は過酸化水素（hydrogen peroxide）と混合したアンモ
ニア水を製造し、導入するためのサブユニットの工学的
フローダイアグラムである。
第３図は、過酸化水素（hydrogen peroxide）を製造
するためのサブユニットの工学的フローダイアグラムで
ある。
するためのサブユニットの工学的フローダイアグラムで
ある。
第４図は、塩酸（hydrochloric acid）を製造するた
めのサブユニットの工学的フロータイアグラムである。
めのサブユニットの工学的フロータイアグラムである。
第５図は、塩酸を製造するための別のサブユニットの
工学的フローダイアグラムである。
工学的フローダイアグラムである。
第６図は、フッ化水素酸（hydrofluoric acid）を製
造するためのサブユニットの工学的フローダイアグラム
である。
造するためのサブユニットの工学的フローダイアグラム
である。
第７図は、硫酸（sulfuric acid）を製造するための
サブユニットの工学的フローダイアグラムである。
サブユニットの工学的フローダイアグラムである。
第８図は、硝酸（nitric acid）を製造するためのサ
ブユニットの工学的フローダイアグラムである。
ブユニットの工学的フローダイアグラムである。
発明の詳細な説明 好適な実施例 本発明にかかる技術範囲内において、合成されかつ使
用されうる化学処理剤のタイプ、並びに製造され処理さ
れうる電子部品のタイプは広範囲で多岐にわたっている
が、本発明は特別な実施例を行うことによって最も良く
理解することができる。即ち第１図は、本発明の構成概
念を半導体の組立てに応用した実施例を示したものであ
る。
用されうる化学処理剤のタイプ、並びに製造され処理さ
れうる電子部品のタイプは広範囲で多岐にわたっている
が、本発明は特別な実施例を行うことによって最も良く
理解することができる。即ち第１図は、本発明の構成概
念を半導体の組立てに応用した実施例を示したものであ
る。
半導体生産ラインに含まれる通常の作業部位には、ウ
ェハー洗浄部位11、ウェハーにフォトレジストを被覆す
るためのコーティング部位12、フォトマスクをウェハー
にかぶせ、マスクの網目構造を通してウェハーを露出さ
せるためのアライメント部位13、マスクを通して露出さ
せたフォトレジスタを除去し、フォトレジストマスクを
つくる現像部位14、フォトレジストマスクによって露出
した酸化ケイ素をエッチング除去するためのエッチング
部位15、フォトレジストマスクを除去するためのストリ
ッピング部位16がある。図に示されていない中間段階に
は、リンシング部位（rinsing stations）、キュアリン
グ部位（curing stations）、検査部位（inspection st
asions）がある。ウェハーまたはウェハーバッチ17はウ
ェハーサポート18に載せられ、ロボット19によって、あ
るいは逐次的処理を行うことのできる従来より知られた
何らかの方法で一つの部位から次の部位へと運ばれる。
ェハー洗浄部位11、ウェハーにフォトレジストを被覆す
るためのコーティング部位12、フォトマスクをウェハー
にかぶせ、マスクの網目構造を通してウェハーを露出さ
せるためのアライメント部位13、マスクを通して露出さ
せたフォトレジスタを除去し、フォトレジストマスクを
つくる現像部位14、フォトレジストマスクによって露出
した酸化ケイ素をエッチング除去するためのエッチング
部位15、フォトレジストマスクを除去するためのストリ
ッピング部位16がある。図に示されていない中間段階に
は、リンシング部位（rinsing stations）、キュアリン
グ部位（curing stations）、検査部位（inspection st
asions）がある。ウェハーまたはウェハーバッチ17はウ
ェハーサポート18に載せられ、ロボット19によって、あ
るいは逐次的処理を行うことのできる従来より知られた
何らかの方法で一つの部位から次の部位へと運ばれる。
さまざまな作業段階で使用される液体化学処理剤は、
本発明においては第１図に示されたサブユニット21、2
2、23および24によって、それぞれの洗浄部位11、現像
部位14、エッチング部位15、ストリッピング部位16に供
給される。ひとつまたは数個、あるいはそのようなサブ
ユニット全部が一本の生産ラインに使われることもある
が、そのようなユニットによって供給される化学処理剤
は半導体の組立てに使われる材料のタイプに応じて選択
される。
本発明においては第１図に示されたサブユニット21、2
2、23および24によって、それぞれの洗浄部位11、現像
部位14、エッチング部位15、ストリッピング部位16に供
給される。ひとつまたは数個、あるいはそのようなサブ
ユニット全部が一本の生産ラインに使われることもある
が、そのようなユニットによって供給される化学処理剤
は半導体の組立てに使われる材料のタイプに応じて選択
される。
各サブユニットは、生産ライン中の化学処理剤が使用
される場所のごく近傍に設置されている。従って化学処
理剤は容器に詰められたり輸送されたり、また場合によ
ってはライン中の小さな容器に入れられていることもあ
りうるが、それ以外にはどこかに貯蔵することもなく、
従って化学物質が生産施設以外の場所で合成されたとき
に通常避けられないコンタミネーションの潜在的混入源
との接触もなく、直接半導体材料の処理に用いることが
できる。化学処理剤の生産地点と使用地点の距離は、一
般に約１フィート（30cm）未満である。輸液はコンタミ
ネーションを引き起こす汚染物質の混入がない超クリー
ンな輸送管で行うことができる。ほとんどの応用例では
ステンレススチールまたは高密度ポリエチレンやフッ素
樹脂のような高分子を使用するのがよい。
される場所のごく近傍に設置されている。従って化学処
理剤は容器に詰められたり輸送されたり、また場合によ
ってはライン中の小さな容器に入れられていることもあ
りうるが、それ以外にはどこかに貯蔵することもなく、
従って化学物質が生産施設以外の場所で合成されたとき
に通常避けられないコンタミネーションの潜在的混入源
との接触もなく、直接半導体材料の処理に用いることが
できる。化学処理剤の生産地点と使用地点の距離は、一
般に約１フィート（30cm）未満である。輸液はコンタミ
ネーションを引き起こす汚染物質の混入がない超クリー
ンな輸送管で行うことができる。ほとんどの応用例では
ステンレススチールまたは高密度ポリエチレンやフッ素
樹脂のような高分子を使用するのがよい。
各サブユニットの規模は小さく、化学処理剤の使われ
る組立て工程の規模や生産ラインの規模に相当する程度
である。従って化学処理剤がサブユニットによって合成
される速度は、化学処理剤がウェハーの加工、処理に使
われる速度とおおよそ等しくなる。当然この速度は、組
立て工程の規模やウェハーその他の電子部品が組み立て
られる速度によって変化するものである。しかしたいて
いの場合、合成速度は毎時約200ccから約２リットル
で、好ましくは毎時約500ccから１リットルである。
る組立て工程の規模や生産ラインの規模に相当する程度
である。従って化学処理剤がサブユニットによって合成
される速度は、化学処理剤がウェハーの加工、処理に使
われる速度とおおよそ等しくなる。当然この速度は、組
立て工程の規模やウェハーその他の電子部品が組み立て
られる速度によって変化するものである。しかしたいて
いの場合、合成速度は毎時約200ccから約２リットル
で、好ましくは毎時約500ccから１リットルである。
ガス状の原材料は、望ましい化学処理剤を合成するサ
ブユニットがどんな合成プロセスを採用しているかによ
って選択されるものがわかってくる。それ故広範囲のガ
ス状物質が使用されうる。具体的な例としては、アンモ
ニア、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、フォスフィ
ン、アルシン、ジボラン、二酸化イオウなどがある。
ブユニットがどんな合成プロセスを採用しているかによ
って選択されるものがわかってくる。それ故広範囲のガ
ス状物質が使用されうる。具体的な例としては、アンモ
ニア、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、フォスフィ
ン、アルシン、ジボラン、二酸化イオウなどがある。
ガス状の原材料は、本発明によれば分留、特に真空蒸
留や、精密濾過または限外濾過、イオンゲッタリング
（ion gettering）、クロマトグラフィック抽出、電気
透析、イオン交換などの技術を用いて使用のための精製
が行われる。蒸留は規模を小さくするだけであとは通常
の方法にしたがって行うことができる。濾過は非常に小
さなサイズの粒子を除去するように設計された既存の膜
を使って行うことができる。本発明の好ましい実施例で
は、濾過を行うことによって約0.005ミクロン以上の大
きさの粒子を除去することが可能である。ガスの状態に
て原材料を精製すれば、ガスは液体よりもはるかに細か
いフィルターを通過することができるため、そのガスか
ら合成される化学処理剤を非常に高純度まで精製できる
のである。
留や、精密濾過または限外濾過、イオンゲッタリング
（ion gettering）、クロマトグラフィック抽出、電気
透析、イオン交換などの技術を用いて使用のための精製
が行われる。蒸留は規模を小さくするだけであとは通常
の方法にしたがって行うことができる。濾過は非常に小
さなサイズの粒子を除去するように設計された既存の膜
を使って行うことができる。本発明の好ましい実施例で
は、濾過を行うことによって約0.005ミクロン以上の大
きさの粒子を除去することが可能である。ガスの状態に
て原材料を精製すれば、ガスは液体よりもはるかに細か
いフィルターを通過することができるため、そのガスか
ら合成される化学処理剤を非常に高純度まで精製できる
のである。
ほとんどの場合、ガス状の原材料もそれ自体のサブユ
ニットの中で合成できるので、ガスの純度を更に高くす
ることができる。ガスを高濃度、高純度にするための主
要な方法は、電気化学的セルまたは不均一反応を使うこ
とである。電解セルを使った場合、一方または両方の電
極生成物がサブユニットの操作で利用可能になる。
ニットの中で合成できるので、ガスの純度を更に高くす
ることができる。ガスを高濃度、高純度にするための主
要な方法は、電気化学的セルまたは不均一反応を使うこ
とである。電解セルを使った場合、一方または両方の電
極生成物がサブユニットの操作で利用可能になる。
水は本発明によればさまざまなサブユニットで原材料
となる。サブユニットが生産ラインに近いため、半導体
製造基準（semiconductor manufacturing standards）
に適合する純度まで精製された水を使うことができる。
この基準は半導体製造工業で一般に使われているもの
で、当業者にはよく知られている。この基準に適合する
水の精製方法にはイオン交換と逆浸透（reverse osmosi
s）がある。典型的なイオン交換法には、次のようなユ
ニットのほとんどまたは全てが含まれている。即ち、微
生物を殺菌するための塩素化のような化学的処理；粒状
の物質をを除去するための砂を通す濾過；塩素や少量の
有機物を除去するための活性炭濾過；珪藻土濾過（diat
omaceous earth filtration）；強くイオン化されてい
る酸を除去するためのアニオン交換；これ以外のイオン
を除去するためのカチオン交換樹脂およびアニオン交換
樹脂を含む混合床ポリシュング（polishing）；塩素化
を用いる滅菌または紫外線を使った滅菌;0.45ミクロン
以下のフィルターを通す濾過などのユニットである。逆
浸透法には、イオン交換法に含まれているユニットのひ
とつまたは幾つかのかわりに、溶解または懸濁した物質
の多くを通さない選択的浸透膜に、圧力のかかっている
水を通すプロセスが含まれる。このような工程を通して
得られる水の典型的な純度の基準は、25℃で抵抗率が少
なくとも約15メグオーム（megohm）−cm（典型的には25
℃で18メグオーム−cm）であり、電解質濃度は約25ppb
以下、粒子含有量約150/cm3以下、粒子サイズ0.2ミクロ
ン以下、微生物含有量約10/cm3以下、総有機炭素濃度10
0ppb以下である。
となる。サブユニットが生産ラインに近いため、半導体
製造基準（semiconductor manufacturing standards）
に適合する純度まで精製された水を使うことができる。
この基準は半導体製造工業で一般に使われているもの
で、当業者にはよく知られている。この基準に適合する
水の精製方法にはイオン交換と逆浸透（reverse osmosi
s）がある。典型的なイオン交換法には、次のようなユ
ニットのほとんどまたは全てが含まれている。即ち、微
生物を殺菌するための塩素化のような化学的処理；粒状
の物質をを除去するための砂を通す濾過；塩素や少量の
有機物を除去するための活性炭濾過；珪藻土濾過（diat
omaceous earth filtration）；強くイオン化されてい
る酸を除去するためのアニオン交換；これ以外のイオン
を除去するためのカチオン交換樹脂およびアニオン交換
樹脂を含む混合床ポリシュング（polishing）；塩素化
を用いる滅菌または紫外線を使った滅菌;0.45ミクロン
以下のフィルターを通す濾過などのユニットである。逆
浸透法には、イオン交換法に含まれているユニットのひ
とつまたは幾つかのかわりに、溶解または懸濁した物質
の多くを通さない選択的浸透膜に、圧力のかかっている
水を通すプロセスが含まれる。このような工程を通して
得られる水の典型的な純度の基準は、25℃で抵抗率が少
なくとも約15メグオーム（megohm）−cm（典型的には25
℃で18メグオーム−cm）であり、電解質濃度は約25ppb
以下、粒子含有量約150/cm3以下、粒子サイズ0.2ミクロ
ン以下、微生物含有量約10/cm3以下、総有機炭素濃度10
0ppb以下である。
原材料を化学処理剤に変換するには、液体生成物を合
成するために必要な物理的な変換操作並びに化学的な変
換操作を適用しなければならない。物理的変換操作に
は、ガス状の原材料を高純度の水またはその他の液体あ
るいは溶媒に単に溶かすだけの操作もあれば、何種類も
のガス状の原材料を溶媒に溶解しつつ同時にそれらを混
合するという操作もある。化学的変換操作には、高温や
火炎、または触媒との接触で引き起こされる反応など
の、ガス状反応物間の反応がある。これらの化学的変換
操作には既知の反応が用いられるが、違いは、超高純度
のガス状物質及び水を使用し、これらの反応を半導体製
造ラインの工程中において半導体の製造と同時進行で行
う点である。本発明において、ガス状の原材料が第１の
ガス状の原材料であり、追加の原材料が水に前記第１の
ガス状の原材料の純度と実質的に同じ純度の第２のガス
状の原材料を結合してなるものであり得る。
成するために必要な物理的な変換操作並びに化学的な変
換操作を適用しなければならない。物理的変換操作に
は、ガス状の原材料を高純度の水またはその他の液体あ
るいは溶媒に単に溶かすだけの操作もあれば、何種類も
のガス状の原材料を溶媒に溶解しつつ同時にそれらを混
合するという操作もある。化学的変換操作には、高温や
火炎、または触媒との接触で引き起こされる反応など
の、ガス状反応物間の反応がある。これらの化学的変換
操作には既知の反応が用いられるが、違いは、超高純度
のガス状物質及び水を使用し、これらの反応を半導体製
造ラインの工程中において半導体の製造と同時進行で行
う点である。本発明において、ガス状の原材料が第１の
ガス状の原材料であり、追加の原材料が水に前記第１の
ガス状の原材料の純度と実質的に同じ純度の第２のガス
状の原材料を結合してなるものであり得る。
本発明において合成され使用される化学処理剤には、
半導体生産のさまざまな工程で使われる広範囲のエッチ
ング用液や洗浄液が含まれる。具体的な例としては、フ
ッ化水素酸水溶液（HF）、フッ化アンモニウム水溶液
（NH4F）、重フッ化アンモニウム水溶液（NH4HF2）、過
酸化水素水、硝酸（HNO3）、発煙硝酸（NHO3）、リン酸
水溶液、硫酸（H2SO4）、塩酸（HCl）；および、緩衝オ
キシドエッチ（BOE:buffered oxide etch）のような種
々の混合液、更にさまざまなモル比および濃度でのフッ
化アンモニウム水とフッ酸の混合液や、フッ酸と硝酸の
混合液、リン酸水溶液と硝酸の混合液、硫酸と過酸化水
素水の混合液、塩酸と過酸化水素の混合液、及びアンモ
ニア水と過酸化水素の混合液などがある。
半導体生産のさまざまな工程で使われる広範囲のエッチ
ング用液や洗浄液が含まれる。具体的な例としては、フ
ッ化水素酸水溶液（HF）、フッ化アンモニウム水溶液
（NH4F）、重フッ化アンモニウム水溶液（NH4HF2）、過
酸化水素水、硝酸（HNO3）、発煙硝酸（NHO3）、リン酸
水溶液、硫酸（H2SO4）、塩酸（HCl）；および、緩衝オ
キシドエッチ（BOE:buffered oxide etch）のような種
々の混合液、更にさまざまなモル比および濃度でのフッ
化アンモニウム水とフッ酸の混合液や、フッ酸と硝酸の
混合液、リン酸水溶液と硝酸の混合液、硫酸と過酸化水
素水の混合液、塩酸と過酸化水素の混合液、及びアンモ
ニア水と過酸化水素の混合液などがある。
第２図から第８図は、本発明にしたがって液体状の化
学物質を合成し、使用される点に供給するためのさまざ
まなサブユニットの実施例を具体的に示したものであ
る。
学物質を合成し、使用される点に供給するためのさまざ
まなサブユニットの実施例を具体的に示したものであ
る。
第２図のサブユニットは、アンモニア水またはアンモ
ニア水と過酸化水素水の混合物をアンモニアから合成す
るものである。アンモニアはアンモニアシリンダー31か
らマスフローコントローラ（a mass flow controller:3
2）を経て、ガス排気孔34と残渣抜きのための排出口35
を分岐したフラクションカラム33へと供給される。精製
されたアンモニアは、フラクションカラム（a fraction
ating column:33）を出て別のマスフローコントローラ3
6を通って精製膜（a purifier membrane:37）へ流れ、
ここで非常に細かな粒子以外は除かれてしまう。精製膜
37から出てきたアンモニアは、次にアナライザモデュー
ル（an analyzer module:38）を通り、更にもうひとつ
のマスフローコントローラ39を通ってミストコンタクタ
（a mist contactor:40）へ入る。ここでアンモニアは
別のマスフローコントローラ41を通って入ってきた霧状
の超高純度水と接触し、液体のアンモニア水になる。流
速は、製造ライン上の更に別のアナライザ42とマスフロ
ーコントローラ43からサブユニットを通してコンピュー
タまたはその他の従来のコントローラに信号を送り、こ
れらがアンモニア源31の遠隔操作バルブ44を調節すると
いう方法で制御されている。アンモニア水は、精製され
た過酸化水素水45と適当な混合ユニット46の中で混合さ
れ、生成物は直接半導体製造ライン上の使用される部分
へ送り込まれる。
ニア水と過酸化水素水の混合物をアンモニアから合成す
るものである。アンモニアはアンモニアシリンダー31か
らマスフローコントローラ（a mass flow controller:3
2）を経て、ガス排気孔34と残渣抜きのための排出口35
を分岐したフラクションカラム33へと供給される。精製
されたアンモニアは、フラクションカラム（a fraction
ating column:33）を出て別のマスフローコントローラ3
6を通って精製膜（a purifier membrane:37）へ流れ、
ここで非常に細かな粒子以外は除かれてしまう。精製膜
37から出てきたアンモニアは、次にアナライザモデュー
ル（an analyzer module:38）を通り、更にもうひとつ
のマスフローコントローラ39を通ってミストコンタクタ
（a mist contactor:40）へ入る。ここでアンモニアは
別のマスフローコントローラ41を通って入ってきた霧状
の超高純度水と接触し、液体のアンモニア水になる。流
速は、製造ライン上の更に別のアナライザ42とマスフロ
ーコントローラ43からサブユニットを通してコンピュー
タまたはその他の従来のコントローラに信号を送り、こ
れらがアンモニア源31の遠隔操作バルブ44を調節すると
いう方法で制御されている。アンモニア水は、精製され
た過酸化水素水45と適当な混合ユニット46の中で混合さ
れ、生成物は直接半導体製造ライン上の使用される部分
へ送り込まれる。
第３図のサブユニットは、過酸化水素水を合成するも
のである。電解セル51にリザーバ52から硫酸が送り込ま
れる。カソードからは水素ガス53が放出され、一方、硫
酸と過硫酸の混合物からなるアノード生成物54は抜き出
されて希釈器55に入れられ、ここで超純水56と混合され
る。その結果生成する水溶液は、リサイクルボイラ（a
recirculation boiler:58）と過酸化物リザーバ（perox
ide receivers:59、60）を備えた真空状態のフラクショ
ンカラム57に送られる。真空コントローラ61はフラクシ
ョンカラム57とリサイクルボイラ58の中を真空状態に保
つ。硫酸62はカラムの底から出て、湿気を除くためのエ
ヴァポレータ63を通ってリザーバ52へ戻り、生成物の過
酸化物64は使用される場所へ直接送られる。この図およ
び以後の図において、ライン中のアナライザ（分析機
器）とマスフローコントローラはいちいち示されてはい
ないが、第２図と同様に使用されている。
のである。電解セル51にリザーバ52から硫酸が送り込ま
れる。カソードからは水素ガス53が放出され、一方、硫
酸と過硫酸の混合物からなるアノード生成物54は抜き出
されて希釈器55に入れられ、ここで超純水56と混合され
る。その結果生成する水溶液は、リサイクルボイラ（a
recirculation boiler:58）と過酸化物リザーバ（perox
ide receivers:59、60）を備えた真空状態のフラクショ
ンカラム57に送られる。真空コントローラ61はフラクシ
ョンカラム57とリサイクルボイラ58の中を真空状態に保
つ。硫酸62はカラムの底から出て、湿気を除くためのエ
ヴァポレータ63を通ってリザーバ52へ戻り、生成物の過
酸化物64は使用される場所へ直接送られる。この図およ
び以後の図において、ライン中のアナライザ（分析機
器）とマスフローコントローラはいちいち示されてはい
ないが、第２図と同様に使用されている。
過酸化水素水を製造する別のサブユニットには、過酸
化バリウムやスーパーオキシド化カリウム、またはその
他の金属過酸化物の加水分解で生じる過酸化水素を利用
するものが考えられ、この場合、生じた過酸化水素は直
接フラクションカラム57へと導かれる。
化バリウムやスーパーオキシド化カリウム、またはその
他の金属過酸化物の加水分解で生じる過酸化水素を利用
するものが考えられ、この場合、生じた過酸化水素は直
接フラクションカラム57へと導かれる。
第４図は塩酸を製造するためのサブユニットを図示し
たものである。例えばCaCl2、MgCl2、NaCl、KCl、CsCl
や、その他のカチオンと塩素イオンの塩のような水溶性
塩化物71が固体計量器（a solids metering device:7
2）を通して溶解容器（a dissolving vessel:73）に送
られ、ここで超純水74と混合される。その結果できる溶
液は電解セル75に送られ、カソードで水素ガス76を、ま
たアノードで塩素ガス77を生じ、これらの生成物76、77
はそれぞれ一時的に貯留タンク78及び79に貯えられる。
貯留タンク78、79からそれぞれのガスが精製膜80および
81を通り、ガス通路を経てバーナー82に送られて、ここ
でガスは精製した別の水素ガス83および精製した空気84
と混合される。バーナー82からの生成物は、コンデンサ
（濃縮器）85を通されて、その結果できる塩酸は過酸化
水素86と混合ユニット87で混合される。これによって生
じる生成物は、使用される場所に直接送られる。
たものである。例えばCaCl2、MgCl2、NaCl、KCl、CsCl
や、その他のカチオンと塩素イオンの塩のような水溶性
塩化物71が固体計量器（a solids metering device:7
2）を通して溶解容器（a dissolving vessel:73）に送
られ、ここで超純水74と混合される。その結果できる溶
液は電解セル75に送られ、カソードで水素ガス76を、ま
たアノードで塩素ガス77を生じ、これらの生成物76、77
はそれぞれ一時的に貯留タンク78及び79に貯えられる。
貯留タンク78、79からそれぞれのガスが精製膜80および
81を通り、ガス通路を経てバーナー82に送られて、ここ
でガスは精製した別の水素ガス83および精製した空気84
と混合される。バーナー82からの生成物は、コンデンサ
（濃縮器）85を通されて、その結果できる塩酸は過酸化
水素86と混合ユニット87で混合される。これによって生
じる生成物は、使用される場所に直接送られる。
これとは別の塩酸製造のためのサブユニットが第５図
に図示されている。ここでは、塩化水素はガス排気孔93
と残渣排出口94に分岐路を備えたフラクションカラム92
にシリンダー91から非水液体として供給される。フラク
ションカラム92から出てくる精製された塩化水素ガス95
は、濾過膜96を通ってミストコンタクタ（a mist conta
ctor:97）に入り、ここで精製された水98のミストと混
合される。その結果生じる塩酸水溶液99は、精製した過
酸化水素100と混合ユニット101の中で混合され、塩酸／
過酸化水素混合物になり、使用される場所に直接送られ
る。
に図示されている。ここでは、塩化水素はガス排気孔93
と残渣排出口94に分岐路を備えたフラクションカラム92
にシリンダー91から非水液体として供給される。フラク
ションカラム92から出てくる精製された塩化水素ガス95
は、濾過膜96を通ってミストコンタクタ（a mist conta
ctor:97）に入り、ここで精製された水98のミストと混
合される。その結果生じる塩酸水溶液99は、精製した過
酸化水素100と混合ユニット101の中で混合され、塩酸／
過酸化水素混合物になり、使用される場所に直接送られ
る。
第６図はフッ酸を製造するためのサブユニットであ
る。フロースキームは第５図と同様であり、液体フッ化
水素シリンダー111、ガス排気孔113と残渣排出口114の
分岐路を備えたフラクションカラム112、濾過膜115、ミ
ストコンタクタ116が含まれている。
る。フロースキームは第５図と同様であり、液体フッ化
水素シリンダー111、ガス排気孔113と残渣排出口114の
分岐路を備えたフラクションカラム112、濾過膜115、ミ
ストコンタクタ116が含まれている。
フッ化水素シリンダー111を用いない場合は、フッ化
カルシウムと硫酸の反応を利用すればよく、この反応は
当業者にはよく知られている適当な温度で行われる。流
出してくるフッ化水素は、フラクションカラム112に直
接送られ、精製される。
カルシウムと硫酸の反応を利用すればよく、この反応は
当業者にはよく知られている適当な温度で行われる。流
出してくるフッ化水素は、フラクションカラム112に直
接送られ、精製される。
第７図は、硫酸を製造するためのサブユニットを図示
したものである。液体の二酸化イオウがシリンダー121
からフラクションカラム122、次いで濾過膜123へと送ら
れる。精製された二酸化イオウのガスは、次に触媒的酸
化装置（a catalytic oxidizer:124）に送られ、ここで
精製された空気125とプラチナまたはその他の適当な触
媒上で混合されて、三酸化イオウ126が製造される。三
酸化イオウ126は精製された硫酸127とアブソーバ（abso
rber:128）の中で混合され、超高純度オレウム（ultra
−pure oleum:129）になり、これはつづいて希釈容器13
1の中で超純水130によって希釈される。続いて電解セル
132がこの希釈されたオレウムを硫酸および過硫酸の混
合物133に変換し、硫酸のいくらかはアブソーバ128にリ
サイクルされる。他のサブユニットの場合と同様に、生
成物混合物は生産ライン上の使用される場所に直接送ら
れる。
したものである。液体の二酸化イオウがシリンダー121
からフラクションカラム122、次いで濾過膜123へと送ら
れる。精製された二酸化イオウのガスは、次に触媒的酸
化装置（a catalytic oxidizer:124）に送られ、ここで
精製された空気125とプラチナまたはその他の適当な触
媒上で混合されて、三酸化イオウ126が製造される。三
酸化イオウ126は精製された硫酸127とアブソーバ（abso
rber:128）の中で混合され、超高純度オレウム（ultra
−pure oleum:129）になり、これはつづいて希釈容器13
1の中で超純水130によって希釈される。続いて電解セル
132がこの希釈されたオレウムを硫酸および過硫酸の混
合物133に変換し、硫酸のいくらかはアブソーバ128にリ
サイクルされる。他のサブユニットの場合と同様に、生
成物混合物は生産ライン上の使用される場所に直接送ら
れる。
硝酸は第８図に図示されているサブユニットで製造さ
れる。シリンダー141から液体アンモニアがフラクショ
ンカラム142に供給され、ここから出てくるアンモニア
ガスは濾過膜143に通される。濾過膜143から出てきた精
製されたアンモニアガスは、次に触媒的酸化装置144を
通され、そこでプラチナまたはプラチナ−ロジウム、塩
基性メタル、あるいはその他の適当な触媒上で精製され
た水素ガスおよび空気と混合される。精製する硝酸ガス
はコンデンサ（濃縮器）147を通されて、ここから使用
される場所へ送られる。
れる。シリンダー141から液体アンモニアがフラクショ
ンカラム142に供給され、ここから出てくるアンモニア
ガスは濾過膜143に通される。濾過膜143から出てきた精
製されたアンモニアガスは、次に触媒的酸化装置144を
通され、そこでプラチナまたはプラチナ−ロジウム、塩
基性メタル、あるいはその他の適当な触媒上で精製され
た水素ガスおよび空気と混合される。精製する硝酸ガス
はコンデンサ（濃縮器）147を通されて、ここから使用
される場所へ送られる。
これらはほんの一例にすぎない。これら以外の化学処
理剤のフロースキームも当業者にはすぐに思いつくこと
ができよう。たとえばリン酸水溶液は高度に精製したリ
ンと水素、酸素のガスを混合し、高温の炎で燃焼させ、
生成物を濃縮することによって得られる。この場合の生
成物はリン酸水溶液で、その濃度は反応混合物に含まれ
る水素ガスの量によって決定される。たとえば49％の水
素ガスを含むリンの気流は、濃度85％のリン酸の濃縮物
になる。このプロセスの更なる利点は、リンの気流に含
まれる水素の存在によってバーナーの炎が安定し、その
充分に高温度の炎がリンを完全に燃焼させるので、火炎
中で生じる水による煙の発生が防げることである。
理剤のフロースキームも当業者にはすぐに思いつくこと
ができよう。たとえばリン酸水溶液は高度に精製したリ
ンと水素、酸素のガスを混合し、高温の炎で燃焼させ、
生成物を濃縮することによって得られる。この場合の生
成物はリン酸水溶液で、その濃度は反応混合物に含まれ
る水素ガスの量によって決定される。たとえば49％の水
素ガスを含むリンの気流は、濃度85％のリン酸の濃縮物
になる。このプロセスの更なる利点は、リンの気流に含
まれる水素の存在によってバーナーの炎が安定し、その
充分に高温度の炎がリンを完全に燃焼させるので、火炎
中で生じる水による煙の発生が防げることである。
すべてのサブユニットとフロースキームにおいて、生
成物濃度、これは即ち流速であり、この流速は既知の装
置および器具を使用する精密なモニタリングと計測によ
って非常に正確に制御されている。たとえばフッ化水素
やリン酸は導電セルによって、アンモニアは蒸気圧測定
によって、塩酸はpH検出器またはその他の電気化学的装
置の塩素電極によって、またNH4HF2は屈折率によって、
硫酸は密度によってモニターすることができる。
成物濃度、これは即ち流速であり、この流速は既知の装
置および器具を使用する精密なモニタリングと計測によ
って非常に正確に制御されている。たとえばフッ化水素
やリン酸は導電セルによって、アンモニアは蒸気圧測定
によって、塩酸はpH検出器またはその他の電気化学的装
置の塩素電極によって、またNH4HF2は屈折率によって、
硫酸は密度によってモニターすることができる。
これらのフローダイアグラムに示された各構成ユニッ
トおよび構成要素には従来より知られている器具および
方法を使うことができる。構成材料すべてがきわめてク
リーンであって、潤滑剤や溶剤または酸化物のような余
計なものがついておらず、腐食しておらず、そして劣化
しにくい物でなければならない。これらの部品は小さな
寸法のものなので高品質の物が使用できる。
トおよび構成要素には従来より知られている器具および
方法を使うことができる。構成材料すべてがきわめてク
リーンであって、潤滑剤や溶剤または酸化物のような余
計なものがついておらず、腐食しておらず、そして劣化
しにくい物でなければならない。これらの部品は小さな
寸法のものなので高品質の物が使用できる。
非常に純度の高い化学処理剤が製造でき、従ってまた
非常に精度の高い高密度の電子部品および半導体装置が
製造できるうえ、本発明によるプロセスは以下に述べる
さまざまな実施例によって更なる利点を供するものであ
る。たとえば半導体の製造にすぐ使えるように貯えてお
かなければならない化学物質の数やタイプは本発明によ
れば少なくなる。もはやある特定の化学処理剤のいろい
ろな希釈溶液を貯蔵しておく必要はなく、ひとつの原材
料を有効に使ってさまざまな化学処理剤を合成すること
ができる。更に別の例として、液体化学処理剤は本発明
によれば使用する量だけ合成することができる。
非常に精度の高い高密度の電子部品および半導体装置が
製造できるうえ、本発明によるプロセスは以下に述べる
さまざまな実施例によって更なる利点を供するものであ
る。たとえば半導体の製造にすぐ使えるように貯えてお
かなければならない化学物質の数やタイプは本発明によ
れば少なくなる。もはやある特定の化学処理剤のいろい
ろな希釈溶液を貯蔵しておく必要はなく、ひとつの原材
料を有効に使ってさまざまな化学処理剤を合成すること
ができる。更に別の例として、液体化学処理剤は本発明
によれば使用する量だけ合成することができる。
以上は主に具体例を提供するために述べたものであ
る。当業者ならば上に述べたシステムのパラメータに関
して、本発明の概念の範囲内で、これ以外の改変、修
飾、置換およびさまざまな種類のヴァリエーションを容
易に思いつくことができるであろう。
る。当業者ならば上に述べたシステムのパラメータに関
して、本発明の概念の範囲内で、これ以外の改変、修
飾、置換およびさまざまな種類のヴァリエーションを容
易に思いつくことができるであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バード ステファン エス. アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92084 ビスタ ストーンウォールレー ン 1950 (72)発明者 ホフマン ジョー ジー. アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92007 カーディフバイザシー オライ ンダロード 2140Ｆ (56)参考文献 特開 平２−76227（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−213127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−283027（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】高度精密電子部品の製造システムであっ
て、その製造システムが以下の（ａ）〜（ｃ）の構成要
件、即ち、 （ａ）前記電子部品を形成するために加工部品（workpi
ece）の処理を行う連続的に配設された複数の作業部位
を含む製造ラインであって、前記作業部位の一つが、前
記加工部品に液体処理剤の供給部位として選択されてい
ることを特徴とする製造ライン、 （ｂ）前記製造ラインに沿って連続的に前記加工部品を
前記作業部位に運搬する運搬手段、 （ｃ）前記選択された作業部位にて前記製造ラインに近
接して配設され、ガス状の原材料を含有する原材料から
前記液体処理剤が供給されるサブユニットであって、こ
のサブユニットが下記（ｉ）〜（iii）の構成要件、即
ち、 （ｉ）半導体製造基準（semiconductor manufacturing
standards）に適合する純度まで前記ガス状の原材料を
精製する精製手段、 （ii）前記の手段で精製された前記ガス状の原材料と半
導体製造基準に適合するまで精製された追加の原材料と
を結合するための結合手段であって、この結合が、前記
ガス状の原材料と前記追加の原材料とを前記超高純度液
体処理剤に変換させる速度が前記液体処理剤を加工部品
に供給する速度とほぼ等しくなるような条件下で行われ
ることを特徴とする結合手段、 （iii）前記の手段で形成された前記超高純度液体処理
剤を、前記作業部位に直接的に供給するための供給手
段、 から構成されているサブユニット、 を備え、前記製造ライン、前記運搬手段、及び前記サブ
ユニットがすべて半導体製造基準下においてコンタミネ
ーションのない状態に維持された環境中におかれてお
り、前記液体処理剤は、 フッ化水素溶液（HF）、 フッ化アンモニウム水溶液（NH4F）、 重フッ化アンモニウム水溶液（NH4HF2）、 過酸化水素水、 硝酸（HNO3）、 発煙硝酸（NHO3）、 リン酸水溶液（H2PO4）、 硫酸（H2SO4） 塩酸（HCl） 緩衝オキシドエッチ（BOE）、並びにその他 フッ化アンモニウムとフッ酸の混合水溶液、 フッ酸と硝酸の混合水溶液、 リン酸と硝酸の混合水溶液、 硫酸と過酸化水素の混合水溶液、 塩酸と過酸化水素の混合水溶液、 アンモニアと過酸化水素の混合水溶液、 からなる群の中から選択される ことを特徴とする高度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項２】前記ガス状の原材料が、アンモニア、フッ
化水素、塩化水素、臭化水素フォスフィン、アルシン、
ジボラン、及び二酸化イオウからなる群から選択された
材料であることを特徴とする請求の範囲第１項記載の高
純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項３】前記ガス状の原材料を精製するための精製
手段が、フラクションカラム、精密濾過膜（microfiltr
ation membrane）、限外濾過膜（ultrafiltration mamb
rane）あるいはそれらの組み合わせであることを特等と
する請求の範囲第１項記載の高純度精密電子部品の製造
システム。 - 【請求項４】前記ガスの原材料を製造するための手段
が、約0.005ミクロン以上の大きさの粒子を除去する濾
過膜を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の高
純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項５】前記サブユニットが更に、液体の電気分解
によって前記ガス状の原材料を製造するための手段を含
むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の高純度精密
電子部品の製造システム。 - 【請求項６】前記追加の原材料が、超純水、H2SO4、水
素ガス、及び空気からなる群から選択された材料である
ことを特徴とする請求の範囲第１項記載の高純度精密電
子部品の製造システム。 - 【請求項７】前記ガス状の原材料が第１のガス状の原材
料であって、前記追加の原材料が水に前記第１のガス状
の原材料の純度と実質的に同じ純度の第２のガス状の原
材料を結合してなることを特徴とする請求の範囲第１項
記載の高純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項８】前記ガス状の原材料と前記追加の原材料と
を結合するための結合手段が、前記製造ラインに沿っ
て、前記超高純度液体処理剤を前記部品に供給するため
の前記手段から約30cm以内に配設されていることを特徴
とする請求の範囲第１項記載の高純度精密電子部品の製
造システム。 - 【請求項９】前記ガス状の原材料と前記追加の原材料と
を結合するための結合手段が、前記超高純度液体処理剤
が約200cc/時間から約２リットル／時間の速度で製造さ
れるものであることを特徴とする請求の範囲第１項記載
の高純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項１０】前記サブユニットの構成要件（ii）及び
（iii）が、連続的なフローあるいは半連続的なフロー
で配列していることを特徴とする請求の範囲第１項記載
の高純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項１１】前記追加の原材料が、25℃で抵抗率が少
なくとも約15メグオーム（megohm）−cm、電解質濃度が
約25ppb以下、粒子含有量が約150/cm3以下、微生物含有
量約10/cm3以下であることを特徴とする請求の範囲第１
項記載の高純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項１２】前記ガス状の原材料と前記追加の原材料
とを結合するための結合手段が、ミストコンタクタ（mi
st contactor）、バーナー、及び触媒性反応器からなる
群から選択される結合手段であることを特徴とする請求
の範囲第１項記載の高純度精密電子部品の製造システ
ム。 - 【請求項１３】前記サブユニットが、前記選択された作
業部位に配管を通して接続されており、前記配管はステ
ンレススチールまたは高密度ポリエチレンまたはフッ素
樹脂を含んでなることを特徴とする請求の範囲第１項記
載の高純度精密電子部品の製造システム。 - 【請求項１４】前記ガス状の原材料を精製するための精
製手段が、分留、精密濾過、限外濾過、イオンゲッタリ
ング、クロマトグラフィック抽出、電気透析またはイオ
ン交換の内の一以上を使用することを特徴とする請求の
範囲第１項記載の高純度精密電子部品の製造システム。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/672,665 US5242468A (en) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids |
| US672,665 | 1991-03-19 | ||
| PCT/US1992/002167 WO1992016306A2 (en) | 1991-03-19 | 1992-03-17 | Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25152199A Division JP3351770B2 (ja) | 1991-03-19 | 1999-09-06 | 複数の作業部位を含む半導体製造ラインに超高純度液体化学薬品を提供する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06504164A JPH06504164A (ja) | 1994-05-12 |
| JP3001634B2 true JP3001634B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=24699507
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4511640A Expired - Fee Related JP3001634B2 (ja) | 1991-03-19 | 1992-03-17 | 超高純度液体を用いた高度精密電子部品の製造 |
| JP25152199A Expired - Fee Related JP3351770B2 (ja) | 1991-03-19 | 1999-09-06 | 複数の作業部位を含む半導体製造ラインに超高純度液体化学薬品を提供する方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25152199A Expired - Fee Related JP3351770B2 (ja) | 1991-03-19 | 1999-09-06 | 複数の作業部位を含む半導体製造ラインに超高純度液体化学薬品を提供する方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5242468A (ja) |
| EP (1) | EP0693974B1 (ja) |
| JP (2) | JP3001634B2 (ja) |
| KR (1) | KR0182281B1 (ja) |
| DE (1) | DE69230474T2 (ja) |
| MY (1) | MY107019A (ja) |
| TW (1) | TW199233B (ja) |
| WO (1) | WO1992016306A2 (ja) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370269A (en) * | 1990-09-17 | 1994-12-06 | Applied Chemical Solutions | Process and apparatus for precise volumetric diluting/mixing of chemicals |
| JPH05212274A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-08-24 | Submicron Syst Inc | 化学処理システム |
| JP3074366B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5846386A (en) * | 1994-01-07 | 1998-12-08 | Startec Ventures, Inc. | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture |
| US6350425B2 (en) * | 1994-01-07 | 2002-02-26 | Air Liquide America Corporation | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF and ammonium fluoride |
| US5496778A (en) * | 1994-01-07 | 1996-03-05 | Startec Ventures, Inc. | Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture |
| US5632866A (en) * | 1994-01-12 | 1997-05-27 | Fsi International, Inc. | Point-of-use recycling of wafer cleaning substances |
| US5722447A (en) * | 1994-04-29 | 1998-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Continuous recirculation fluid delivery system and method |
| JP3411421B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2003-06-03 | 松下電器産業株式会社 | スピンドルモータ用スラスト板の製造方法 |
| US5671591A (en) * | 1995-05-01 | 1997-09-30 | Ashland, Inc. | Integrated container moulding and filling facility |
| US6416676B1 (en) | 1995-05-24 | 2002-07-09 | National Semiconductor Corporation | Deionized water degasification for semiconductor fabrication |
| AU6329096A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-24 | Startec Ventures, Inc. | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture |
| JPH11506411A (ja) * | 1995-06-05 | 1999-06-08 | スターテック・ベンチャーズ・インコーポレーテッド | 電子部品製造の場合の使用現場でのアンモニアの精製 |
| CN1080703C (zh) * | 1995-06-05 | 2002-03-13 | 斯塔泰克文切斯公司 | 超高纯氨制备系统、高精密电子元件制造系统及其生产线上工作站供应高纯氨试剂的方法 |
| EP0836719A4 (en) * | 1995-06-05 | 1999-08-18 | Startec Ventures Inc | METHOD AND SYSTEM FOR LOCALLY MIXING EXTREMELY HIGH PURITY CHEMICALS FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION |
| US6050283A (en) * | 1995-07-07 | 2000-04-18 | Air Liquide America Corporation | System and method for on-site mixing of ultra-high-purity chemicals for semiconductor processing |
| US6001223A (en) * | 1995-07-07 | 1999-12-14 | Air Liquide America Corporation | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture |
| US5716535A (en) * | 1996-03-05 | 1998-02-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity |
| US5644921A (en) * | 1996-05-22 | 1997-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Ultra high purity delivery system for liquefied compressed gases |
| US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
| JP3188843B2 (ja) * | 1996-08-28 | 2001-07-16 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工表面処理剤及び微細加工表面処理方法 |
| JP3507317B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2004-03-15 | 富士通株式会社 | 蒸留装置及び蒸留方法 |
| US5871813A (en) * | 1997-03-05 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling process chamber pressure |
| US6007641A (en) * | 1997-03-14 | 1999-12-28 | Vlsi Technology, Inc. | Integrated-circuit manufacture method with aqueous hydrogen-fluoride and nitric-acid oxide etch |
| US5972123A (en) * | 1997-06-13 | 1999-10-26 | Cfmt, Inc. | Methods for treating semiconductor wafers |
| US6159866A (en) | 1998-03-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method for insitu vapor generation for forming an oxide on a substrate |
| US5971368A (en) | 1997-10-29 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| JP3920429B2 (ja) | 1997-12-02 | 2007-05-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| US6085762A (en) * | 1998-03-30 | 2000-07-11 | The Regents Of The University Of California | Apparatus and method for providing pulsed fluids |
| US6224252B1 (en) | 1998-07-07 | 2001-05-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical generator with controlled mixing and concentration feedback and adjustment |
| US6085548A (en) | 1998-08-24 | 2000-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Control vent system for ultra-high purity delivery system for liquefied compressed gases |
| US6235641B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-05-22 | Fsi International Inc. | Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid |
| JP2000228387A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Tadahiro Omi | ウエット洗浄装置 |
| US6406551B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-06-18 | Fsi International, Inc. | Method for treating a substrate with heat sensitive agents |
| JP2001274154A (ja) | 2000-01-18 | 2001-10-05 | Applied Materials Inc | 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法 |
| JP4548555B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2010-09-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 高純度アンモニア水の製造方法 |
| US6372022B1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-04-16 | Air Liquide America Corporation | Ionic purifier |
| JP3878452B2 (ja) | 2001-10-31 | 2007-02-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US7067015B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Modified clean chemistry and megasonic nozzle for removing backside CMP slurries |
| US6969466B1 (en) * | 2002-12-24 | 2005-11-29 | Puritan Products, Inc. | Purification of ammonia |
| US7229601B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-06-12 | Seh-America, Inc. | Ammonia reclamation system |
| US7293609B2 (en) * | 2004-10-20 | 2007-11-13 | Halliburton Energy Services, Inc. | Treatment fluids comprising vitrified shale and methods of using such fluids in subterranean formations |
| KR100706822B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법 |
| US8790533B2 (en) | 2010-04-23 | 2014-07-29 | Postech Academy-Industry Foundation | Method of etching semiconductor nanocrystals |
| US10343907B2 (en) * | 2014-03-28 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for delivering hydrogen peroxide to a semiconductor processing chamber |
| DE102015106556A1 (de) | 2015-04-28 | 2016-11-17 | MP Technology GmbH | Verfahren zur Reinigung von Materialoberflächen |
| US20160296902A1 (en) | 2016-06-17 | 2016-10-13 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Deterministic feedback blender |
| WO2019181435A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 富士フイルム株式会社 | ろ過装置、精製装置、薬液の製造方法 |
| CN111836677A (zh) * | 2018-03-22 | 2020-10-27 | 富士胶片株式会社 | 过滤装置、纯化装置、药液的制造方法 |
| JP7072634B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-05-20 | 富士フイルム株式会社 | ろ過装置、精製装置、及び、薬液の製造方法 |
| EP4065313A4 (en) | 2019-11-27 | 2023-08-02 | Diversified Fluid Solutions, LLC | ON-LINE BLENDING AND DISTRIBUTION OF CHEMICALS ON DEMAND |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213127A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Nec Corp | 半導体ウエハ−の洗浄装置 |
| JPS63283027A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-18 | Toshiba Corp | 半導体の洗浄方法 |
| JPS6434407A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Toray Industries | Porous membrane of polytetrafluoroethylene-base resin and production thereof |
| JPH01100289A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-18 | Hitachi Ltd | 複極式水電解槽の運転方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3663382A (en) * | 1969-08-19 | 1972-05-16 | Du Pont | Process of recovering hydrogen fluoride free of arsenic by distillation |
| US3760822A (en) * | 1972-03-22 | 1973-09-25 | A Evans | Machine for cleaning semiconductive wafers |
| US3869313A (en) * | 1973-05-21 | 1975-03-04 | Allied Chem | Apparatus for automatic chemical processing of workpieces, especially semi-conductors |
| JPS609129A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | ウエツト処理装置 |
| US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
| US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
| EP0192143B1 (en) * | 1985-02-09 | 1996-01-10 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Permeable polymer membrane for desiccation of gas |
| US4788043A (en) * | 1985-04-17 | 1988-11-29 | Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha | Process for washing semiconductor substrate with organic solvent |
| US4749440A (en) * | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| JPS6259522A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Mitsubishi Metal Corp | アンモニア水製造装置 |
| US4855023A (en) * | 1986-10-06 | 1989-08-08 | Athens, Inc. | Method and apparatus for the continuous on-site chemical reprocessing of ultrapure liquids used in semiconductor wafer cleaning |
| US4828660A (en) * | 1986-10-06 | 1989-05-09 | Athens Corporation | Method and apparatus for the continuous on-site chemical reprocessing of ultrapure liquids |
| JPS63152603A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-25 | Showa Highpolymer Co Ltd | 光硬化可能な樹脂組成物 |
| JP2528854B2 (ja) * | 1987-01-27 | 1996-08-28 | 多摩化学工業株式会社 | 高純度薬品の製造方法及びその装置 |
| DE3884435T2 (de) * | 1987-03-25 | 1994-02-17 | Hitachi Ltd | Verfahren zur Erzeugung hochreinen Wassers und Verfahren zur Verwendung dieses Wassers. |
| DE3728693A1 (de) * | 1987-08-27 | 1989-03-09 | Wacker Chemitronic | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von halbleiteroberflaechen |
| JPH0714468B2 (ja) * | 1987-10-20 | 1995-02-22 | ダイセル化学工業株式会社 | 超純水製造用中空糸膜の製造方法 |
| JPH01160289A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Sony Corp | ディジタル映像信号の伝送方式 |
| US5235995A (en) * | 1989-03-27 | 1993-08-17 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization |
| US5061348A (en) * | 1988-08-12 | 1991-10-29 | Alameda Instruments | Sulfuric acid reprocessor with continuous purge of second distillation vessel |
| US4980032A (en) * | 1988-08-12 | 1990-12-25 | Alameda Instruments, Inc. | Distillation method and apparatus for reprocessing sulfuric acid |
| US4936955A (en) * | 1988-08-12 | 1990-06-26 | Alameda Instruments, Inc. | Hydrofluoric acid reprocessing for semiconductor standards |
| JPH07111963B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1995-11-29 | 株式会社スガイ | 基板の洗浄乾燥装置 |
| JPH07110482B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1995-11-29 | 株式会社マキタ | 大入れルータ |
| US4900395A (en) * | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
| US5000795A (en) * | 1989-06-16 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning method and apparatus |
| JPH03129732A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の処理方法 |
| US4985228A (en) * | 1990-07-17 | 1991-01-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Purification of hydrogen peroxide |
-
1991
- 1991-03-19 US US07/672,665 patent/US5242468A/en not_active Ceased
-
1992
- 1992-03-16 MY MYPI92000416A patent/MY107019A/en unknown
- 1992-03-17 WO PCT/US1992/002167 patent/WO1992016306A2/en active IP Right Grant
- 1992-03-17 JP JP4511640A patent/JP3001634B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-17 EP EP92915132A patent/EP0693974B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-17 KR KR1019930702722A patent/KR0182281B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-03-17 DE DE69230474T patent/DE69230474T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-14 TW TW081102908A patent/TW199233B/zh active
-
1995
- 1995-09-07 US US08/524,691 patent/USRE36290E/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-02 US US09/323,945 patent/USRE37972E1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-06 JP JP25152199A patent/JP3351770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213127A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Nec Corp | 半導体ウエハ−の洗浄装置 |
| JPS63283027A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-18 | Toshiba Corp | 半導体の洗浄方法 |
| JPS6434407A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Toray Industries | Porous membrane of polytetrafluoroethylene-base resin and production thereof |
| JPH01100289A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-18 | Hitachi Ltd | 複極式水電解槽の運転方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3351770B2 (ja) | 2002-12-03 |
| EP0693974A4 (en) | 1994-04-22 |
| DE69230474T2 (de) | 2000-07-27 |
| USRE36290E (en) | 1999-09-07 |
| WO1992016306A2 (en) | 1992-10-01 |
| USRE37972E1 (en) | 2003-02-04 |
| JP2000124093A (ja) | 2000-04-28 |
| EP0693974B1 (en) | 1999-12-22 |
| WO1992016306A3 (en) | 1992-12-10 |
| KR0182281B1 (ko) | 1999-04-15 |
| JPH06504164A (ja) | 1994-05-12 |
| US5242468A (en) | 1993-09-07 |
| DE69230474D1 (de) | 2000-01-27 |
| MY107019A (en) | 1995-08-30 |
| EP0693974A1 (en) | 1996-01-31 |
| TW199233B (ja) | 1993-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3001634B2 (ja) | 超高純度液体を用いた高度精密電子部品の製造 | |
| US5722442A (en) | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing | |
| US5755934A (en) | Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture | |
| US6063356A (en) | On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing | |
| EP0831978B1 (en) | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture | |
| US5470461A (en) | Apparatus for producing pure water | |
| EP0739228B1 (en) | Recycling of wafer cleaning substances | |
| CN1082402C (zh) | 用于向半导体制造操作中提供超高纯度缓冲的氟化铵或氢氟酸的系统 | |
| US20010051128A1 (en) | On-site generation of ultra-high-purity buffered-hf and ammonium fluoride | |
| US6001223A (en) | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture | |
| US5846386A (en) | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture | |
| KR100379886B1 (ko) | 반도체공정용초순도완충HF의온-사이트(on-site)발생시스템 | |
| JPH11506411A (ja) | 電子部品製造の場合の使用現場でのアンモニアの精製 | |
| WO1996041687A1 (en) | On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing | |
| KR20190080193A (ko) | 음이온 교환수지와 양이온 교환수지를 이용한 과산화수소수의 정제 방법 | |
| WO1998003466A1 (fr) | Procede de preparation de solutions aqueuses d'hydroxydes de tetraalkyle-ammonium | |
| JP2002153748A (ja) | イオン精製装置 | |
| JP2017173218A (ja) | 酸化剤濃度の測定方法及び測定装置、並びに電子材料洗浄装置 | |
| KR19990022280A (ko) | 반도체 처리용 초고순도 플루오르화수소산을 동일계상에서 제조하는 방법 | |
| EP0833705A1 (en) | On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing | |
| WO2010050342A1 (ja) | ハロゲンまたはハロゲン化合物を不純物として含む三フッ化窒素の精製方法及びシステム | |
| CA2199723A1 (en) | Process for treating an aqueous kf waste stream and for converting kf into hf and koh | |
| EP0836524A1 (en) | On-site generation of ultra-high-purity buffered hf for semiconductor processing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |