JPS63283027A - 半導体の洗浄方法 - Google Patents
半導体の洗浄方法Info
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- JPS63283027A JPS63283027A JP11688187A JP11688187A JPS63283027A JP S63283027 A JPS63283027 A JP S63283027A JP 11688187 A JP11688187 A JP 11688187A JP 11688187 A JP11688187 A JP 11688187A JP S63283027 A JPS63283027 A JP S63283027A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 12
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェーハの洗浄方法に関し、特に水洗、
乾燥工程に使用するものである。
乾燥工程に使用するものである。
（従来の技術）
半導体素子の製造プロセスにおいて、酸化、拡散工程、
ＣＶＤ工程そしてメタル形成工程等の前にはウェーハを
洗浄処理して清浄にすることが必要である。この洗浄処
理は酸やアルカリ溶液に浸漬したり噴霧状にしたりして
、半導体ウェーハに付着した重金属や有機物等の不純物
を除去する工程によって実施している。
ＣＶＤ工程そしてメタル形成工程等の前にはウェーハを
洗浄処理して清浄にすることが必要である。この洗浄処
理は酸やアルカリ溶液に浸漬したり噴霧状にしたりして
、半導体ウェーハに付着した重金属や有機物等の不純物
を除去する工程によって実施している。
この後、酸やアルカリ溶液を洗い流したりして不純物を
除去するために、純水に浸漬したあるいは噴霧状に吹き
つけてから、半導体ウェーハを回転したり、不活性ガス
を吹きつけることによって付着した純水を乾燥させてい
る。
除去するために、純水に浸漬したあるいは噴霧状に吹き
つけてから、半導体ウェーハを回転したり、不活性ガス
を吹きつけることによって付着した純水を乾燥させてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
最近の半導体装置は益々集積化及び機能化が進み、パタ
ーンの微細化、接合のシャロー化に拍車がかかっており
、従って洗浄工程で使用する薬品、水等は極力清浄でな
ければならないので、洗浄の最終工程である水洗、乾燥
にあっては不純物の吸着防止が重要となり、このため水
洗工程で使用する水には極力不純物を取り除いた純水（
超純水）が適用されている。この超純水を製造するにあ
たっては原水に前処理を実施してから逆浸透装置、イオ
ン交換処理、各種の濾過膜を経由して生成される。
ーンの微細化、接合のシャロー化に拍車がかかっており
、従って洗浄工程で使用する薬品、水等は極力清浄でな
ければならないので、洗浄の最終工程である水洗、乾燥
にあっては不純物の吸着防止が重要となり、このため水
洗工程で使用する水には極力不純物を取り除いた純水（
超純水）が適用されている。この超純水を製造するにあ
たっては原水に前処理を実施してから逆浸透装置、イオ
ン交換処理、各種の濾過膜を経由して生成される。
この超純水に要求される水質としては非抵抗１７゜５〜
１８メグオ−Ａａｎ以上、有機物ＴＯＣ０，１ｍｇ／ｌ
以下、微粒子（０，２ミクロン以上）５０個以下等が要
求される。
１８メグオ−Ａａｎ以上、有機物ＴＯＣ０，１ｍｇ／ｌ
以下、微粒子（０，２ミクロン以上）５０個以下等が要
求される。
前述のように微細化が進んだ半導体装置ではパターンを
１．０ミクロン等で形成する場合もあり、従って超純水
にもしバクテリヤが存在していればたちまち不良が発生
する事態が起る。しかし、これらの水質を維持した超純
水を確保、維持するには大規模な設備が必要となり、又
半導体の性能向上によってこの超純水に要求される水質
は高くなり、この為に投資が厖大になるほかに超純水の
水質が要求に合わなくなってしまう難点がある。
１．０ミクロン等で形成する場合もあり、従って超純水
にもしバクテリヤが存在していればたちまち不良が発生
する事態が起る。しかし、これらの水質を維持した超純
水を確保、維持するには大規模な設備が必要となり、又
半導体の性能向上によってこの超純水に要求される水質
は高くなり、この為に投資が厖大になるほかに超純水の
水質が要求に合わなくなってしまう難点がある。
本発明は上記難点を除去する新規な半導体つ工−ハの洗
浄方法を提供し、特に不純物の影響を避けると共に、脱
純水用設備によるコスト上昇を避けて超純水を使用しな
いで洗浄を実施することを目的とするものである。
浄方法を提供し、特に不純物の影響を避けると共に、脱
純水用設備によるコスト上昇を避けて超純水を使用しな
いで洗浄を実施することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明では高純度の水素ガス
と酸素ガスの反応によって生成した水を半導体ウェーハ
の洗浄に利用する手法を採用する。
と酸素ガスの反応によって生成した水を半導体ウェーハ
の洗浄に利用する手法を採用する。
（作 用）
この水素ガスならびに酸素ガスは半導体用として一般に
使用されているボンベに充填したものを適用し、純度と
しては９９．９９９９％であり、この水素ガスを燃焼さ
せて酸素ガスとの反応により水を生成しており、その水
質は１７．５〜１８メグオ一ム以上、有機物Ｔ ＯＣ（
Ｔｏｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃａｒｂｏｎ） ０．１
ｍｇ／Ｌ以下微粒子（０，２ミクロン）５０個／ｍ以下
になることが確認されており、従って高価な設備を必要
とせずに清浄な水が得られる利点を持っている。
使用されているボンベに充填したものを適用し、純度と
しては９９．９９９９％であり、この水素ガスを燃焼さ
せて酸素ガスとの反応により水を生成しており、その水
質は１７．５〜１８メグオ一ム以上、有機物Ｔ ＯＣ（
Ｔｏｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃａｒｂｏｎ） ０．１
ｍｇ／Ｌ以下微粒子（０，２ミクロン）５０個／ｍ以下
になることが確認されており、従って高価な設備を必要
とせずに清浄な水が得られる利点を持っている。
（実施例）
図によって本発明の詳細な説明する。
このような清浄な水を作るのに使用する洗浄装置１とし
て石英製管２．３をガス体の流路として利用し、この酸
素ガスならびに水素ガス用石英製管２．３は合体の上単
管４を洗浄部室５内に設置する支持台６に配置する半導
体ウェーハ７を洗浄し、この図では加熱源８を設置する
構造を示したが、これは必ず必要な部品ではない。
て石英製管２．３をガス体の流路として利用し、この酸
素ガスならびに水素ガス用石英製管２．３は合体の上単
管４を洗浄部室５内に設置する支持台６に配置する半導
体ウェーハ７を洗浄し、この図では加熱源８を設置する
構造を示したが、これは必ず必要な部品ではない。
この石英製管２．３にはガス導入口より高純度−３＝
の酸素ガスならびに水素ガスを共に５Ｌ／ｍｉｎの流速
で流し、酸素ガス用石英製管３の一部に配置する点火用
ヒータ９の稼働によって水素ガスを燃焼させて２Ｈ２０
＋０．＝２８２０の反応によって水を生成する。
で流し、酸素ガス用石英製管３の一部に配置する点火用
ヒータ９の稼働によって水素ガスを燃焼させて２Ｈ２０
＋０．＝２８２０の反応によって水を生成する。
この点火用ヒータに電流もしくは電圧計１０を付設して
この温度を６００℃程度に調節し、生成した水もしくは
蒸気により半導体ウェーハ７の洗浄を実施し、余分な水
もしくは蒸気は排気口１１より排出する。
この温度を６００℃程度に調節し、生成した水もしくは
蒸気により半導体ウェーハ７の洗浄を実施し、余分な水
もしくは蒸気は排気口１１より排出する。
この洗浄は蒸気状の水で行うので自然に乾燥できるもの
の、洗浄ならびに乾燥の効率を上げる目的で支持台６内
に加熱源８を設置する。更に前述のように洗浄室６とガ
ス用の管は石英製とした。
の、洗浄ならびに乾燥の効率を上げる目的で支持台６内
に加熱源８を設置する。更に前述のように洗浄室６とガ
ス用の管は石英製とした。
このように高純度のガスを使用するので前述のように生
成した水の純度が高く、半導体デバイスに影響を与える
不純度が存在しない状況で洗浄が行えると共に、超純水
生成設備など規模の大きい設備を必要としない利点はき
わめて有力である。
成した水の純度が高く、半導体デバイスに影響を与える
不純度が存在しない状況で洗浄が行えると共に、超純水
生成設備など規模の大きい設備を必要としない利点はき
わめて有力である。
図は本発明を実施するのに使用する装置の概略を示す断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 高純度の水素ガスと酸素ガスの反応により生成した水に
より半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体
ウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11688187A JPS63283027A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11688187A JPS63283027A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283027A true JPS63283027A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14697949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11688187A Pending JPS63283027A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283027A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02251275A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-09 | Yamaha Corp | ウェハの洗浄方法 |
| WO1991011021A1 (en) * | 1990-01-07 | 1991-07-25 | Tadahiro Ohmi | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
| US5722442A (en) * | 1994-01-07 | 1998-03-03 | Startec Ventures, Inc. | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing |
| US5846387A (en) * | 1994-01-07 | 1998-12-08 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | On-site manufacture of ultra-high-purity hydrochloric acid for semiconductor processing |
| USRE36290E (en) * | 1991-03-19 | 1999-09-07 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids |
| US6001223A (en) * | 1995-07-07 | 1999-12-14 | Air Liquide America Corporation | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture |
| US6015477A (en) * | 1994-01-07 | 2000-01-18 | Air Liquide America Corporation | Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture |
| US6063356A (en) * | 1994-01-07 | 2000-05-16 | Air Liquide America Corporation | On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing |
| US6214173B1 (en) | 1996-06-05 | 2001-04-10 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | On-site manufacture of ultra-high-purity nitric acid |
| US6350425B2 (en) | 1994-01-07 | 2002-02-26 | Air Liquide America Corporation | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF and ammonium fluoride |
| JP2006062948A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体材料用シリコンの洗浄方法とその多結晶シリコン塊、および洗浄装置 |
| JP2006519701A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-08-31 | ラプト インダストリーズ インコーポレイテッド | 表面の非接触洗浄装置及び方法 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11688187A patent/JPS63283027A/ja active Pending
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