JPH05261232A - スクラバ - Google Patents
スクラバInfo
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- JPH05261232A JPH05261232A JP4093904A JP9390492A JPH05261232A JP H05261232 A JPH05261232 A JP H05261232A JP 4093904 A JP4093904 A JP 4093904A JP 9390492 A JP9390492 A JP 9390492A JP H05261232 A JPH05261232 A JP H05261232A
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- exhaust gas
- washing water
- surfactant
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 常圧ＣＶＤ装置からの排気ガスを処理するス
クラバにおいて、スクラバのシャワーノズルからアニオ
ン系界面活性剤および／またはノニオン系界面活性剤含
有洗浄水を噴霧する。 【効果】 排気ガス中に含まれている未反応ＴＥＯＳな
どの非加水分解性の難溶性材料を溶解処理することがで
きる。従来のスクラバで、これら未反応ＴＥＯＳの処理
に使用されてきた活性炭フィルタからなるフィルタユニ
ットの使用が不要になる。
クラバにおいて、スクラバのシャワーノズルからアニオ
ン系界面活性剤および／またはノニオン系界面活性剤含
有洗浄水を噴霧する。 【効果】 排気ガス中に含まれている未反応ＴＥＯＳな
どの非加水分解性の難溶性材料を溶解処理することがで
きる。従来のスクラバで、これら未反応ＴＥＯＳの処理
に使用されてきた活性炭フィルタからなるフィルタユニ
ットの使用が不要になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は常圧ＣＶＤ装置からの排
気を処理するスクラバに関する。更に詳細には、本発明
は状態ＣＶＤ装置からの排気中に含まれている難溶性材
料を処理するスクラバに関する。
気を処理するスクラバに関する。更に詳細には、本発明
は状態ＣＶＤ装置からの排気中に含まれている難溶性材
料を処理するスクラバに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜の形成方法として半導体工業におい
て一般に広く用いられているものの一つに化学的気相成
長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を
化学反応で固体物質にし、基板上に堆積することをい
う。
て一般に広く用いられているものの一つに化学的気相成
長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を
化学反応で固体物質にし、基板上に堆積することをい
う。
【０００３】ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の
融点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られるこ
と、および、成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上
の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。
融点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られるこ
と、および、成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上
の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。
【０００４】ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００
℃〜５００℃程度に加熱したウエハに反応ガス（例え
ば、ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ，またはＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｏ2 ）
を供給して行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジ
ャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエハの表面にＳｉ
Ｏ2 あるいはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）、
ボロシリケートガラス（ＢＳＧ）および／またはボロフ
ォスフォシリケートガラス（ＢＰＳＧ）の薄膜を形成す
る。更に、モリブデン，タングステンあるいはタングス
テンシリサイド等の金属薄膜の形成にも使用できる。
℃〜５００℃程度に加熱したウエハに反応ガス（例え
ば、ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ，またはＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｏ2 ）
を供給して行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジ
ャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエハの表面にＳｉ
Ｏ2 あるいはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）、
ボロシリケートガラス（ＢＳＧ）および／またはボロフ
ォスフォシリケートガラス（ＢＰＳＧ）の薄膜を形成す
る。更に、モリブデン，タングステンあるいはタングス
テンシリサイド等の金属薄膜の形成にも使用できる。
【０００５】ＳｉＨ4 （モノシラン）ガスは空気中の酸
素と触れると爆発的に反応するので、取り扱いに十分な
注意が必要である。このため、最近はＳｉＯ2 膜を形成
する際、ＳｉＨ4 （モノシラン）ガスの代わりに、取り
扱いが簡単な液状のテトラエトキシシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）を使用するようになってきた。
素と触れると爆発的に反応するので、取り扱いに十分な
注意が必要である。このため、最近はＳｉＯ2 膜を形成
する際、ＳｉＨ4 （モノシラン）ガスの代わりに、取り
扱いが簡単な液状のテトラエトキシシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）を使用するようになってきた。
【０００６】常圧ＣＶＤ装置の反応炉にＴＥＯＳなどの
成膜用原料を供給しても、実際に反応に使用されるのは
送入原料の１０％以下であり、残りの９０％以上が反応
炉からの排気ガスに混じって炉外に排出されてしまう。
成膜用原料を供給しても、実際に反応に使用されるのは
送入原料の１０％以下であり、残りの９０％以上が反応
炉からの排気ガスに混じって炉外に排出されてしまう。
【０００７】反応炉からの排気ガス中に含まれている未
反応ＴＥＯＳなどの成分が人体や環境に対して全く無害
ならば問題はないが、不都合なことには、これらの物質
は人体や環境に対して悪影響を及ぼす。このため、大気
中にそのまま排出することはできない。
反応ＴＥＯＳなどの成分が人体や環境に対して全く無害
ならば問題はないが、不都合なことには、これらの物質
は人体や環境に対して悪影響を及ぼす。このため、大気
中にそのまま排出することはできない。
【０００８】従来、反応炉からの排気ガスは図１に示さ
れるようなスクラバ１を通してから大気中に排出されて
いた。反応炉（図示されていない）からの排気ガスはダ
クト３によりスクラバ１内に送り込まれる。スクラバ１
内にはＳｉＯ2 などの固形異物を除去するための一次フ
ィルタ５が設けられている。ダクト３を経てスクラバ内
に送入された排気ガスはこの一次フィルタ５を通過し、
固形異物を除去された後、フィルタ上部に設けられたシ
ャワーノズル７から洗浄水を噴霧される。フィルタを通
過した微小なフレークは霧状の水と接触し、水滴中に取
り込まれて落下する。これらの水滴はフィルタ５の下部
の貯溜槽９に貯溜される。貯溜槽９が満杯になったら、
下部の弁１１を開き、廃液を排出する。
れるようなスクラバ１を通してから大気中に排出されて
いた。反応炉（図示されていない）からの排気ガスはダ
クト３によりスクラバ１内に送り込まれる。スクラバ１
内にはＳｉＯ2 などの固形異物を除去するための一次フ
ィルタ５が設けられている。ダクト３を経てスクラバ内
に送入された排気ガスはこの一次フィルタ５を通過し、
固形異物を除去された後、フィルタ上部に設けられたシ
ャワーノズル７から洗浄水を噴霧される。フィルタを通
過した微小なフレークは霧状の水と接触し、水滴中に取
り込まれて落下する。これらの水滴はフィルタ５の下部
の貯溜槽９に貯溜される。貯溜槽９が満杯になったら、
下部の弁１１を開き、廃液を排出する。
【０００９】しかし、排気ガス中の未反応ＴＥＯＳなど
のような加水分解しにくい難溶性材料は水スクラバ１で
は除去できない。このため、スクラバ上部に配設された
ファン機構１３によりパイプ１５を経てフィルタユニッ
ト１７に更に送り出される。このフィルタユニット１７
内には、例えば、活性炭フィルタ１９が一枚以上設けら
れている。ＴＥＯＳなどの加水分解しない難溶性有機物
はこの活性炭フィルタにより捕獲される。フレークおよ
びＴＥＯＳなどが除去された排気ガスはファン機構２１
により吸引され、ダクト２３を経て最終的に工場排気系
に排出される。
のような加水分解しにくい難溶性材料は水スクラバ１で
は除去できない。このため、スクラバ上部に配設された
ファン機構１３によりパイプ１５を経てフィルタユニッ
ト１７に更に送り出される。このフィルタユニット１７
内には、例えば、活性炭フィルタ１９が一枚以上設けら
れている。ＴＥＯＳなどの加水分解しない難溶性有機物
はこの活性炭フィルタにより捕獲される。フレークおよ
びＴＥＯＳなどが除去された排気ガスはファン機構２１
により吸引され、ダクト２３を経て最終的に工場排気系
に排出される。
【００１０】不都合なことに、常圧ＣＶＤ装置の反応炉
からの排気中にはＳｉＯ2 などのフレークが多く含まれ
ているいるため、スクラバの一次フィルタを通過してき
た一層微小なフレークがこの活性炭フィルタを短期間の
うちに目詰まりさせ、難溶性有機物の濾過効率が著しく
低下する。活性炭フィルタを頻繁に交換していたのでは
ランニングコストが増大し、不経済となる。また、ＣＶ
Ｄ装置からの排気ガスを材料に応じて分岐することは全
く不可能である。
からの排気中にはＳｉＯ2 などのフレークが多く含まれ
ているいるため、スクラバの一次フィルタを通過してき
た一層微小なフレークがこの活性炭フィルタを短期間の
うちに目詰まりさせ、難溶性有機物の濾過効率が著しく
低下する。活性炭フィルタを頻繁に交換していたのでは
ランニングコストが増大し、不経済となる。また、ＣＶ
Ｄ装置からの排気ガスを材料に応じて分岐することは全
く不可能である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ＴＥＯＳなどのような加水分解しにくい難溶性有機
物を処理することのできるスクラバを提供することであ
る。
は、ＴＥＯＳなどのような加水分解しにくい難溶性有機
物を処理することのできるスクラバを提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、常圧ＣＶＤ装置の反応炉からの排気ガ
スを処理するためのスクラバであって、シャワーノズル
から、アニオン系界面活性剤および／またはノニオン系
界面活性剤含有洗浄水を噴霧することができるスクラバ
を提供する。
に、本発明では、常圧ＣＶＤ装置の反応炉からの排気ガ
スを処理するためのスクラバであって、シャワーノズル
から、アニオン系界面活性剤および／またはノニオン系
界面活性剤含有洗浄水を噴霧することができるスクラバ
を提供する。
【００１３】前記アニオン系界面活性剤および／または
ノニオン系界面活性剤含有洗浄水は更に消泡剤を含有す
ることが好ましい。
ノニオン系界面活性剤含有洗浄水は更に消泡剤を含有す
ることが好ましい。
【００１４】
【作用】前記のように、本発明のスクラバは、ＣＶＤ装
置の反応炉からの排気ガスに対して、アニオン系界面活
性剤および／またはノニオン系界面活性剤含有洗浄水を
噴霧する。これにより、排気ガス中のＴＥＯＳなどの加
水分解しにくい難溶性有機物をスクラバ洗浄水中に溶解
させることができる。
置の反応炉からの排気ガスに対して、アニオン系界面活
性剤および／またはノニオン系界面活性剤含有洗浄水を
噴霧する。これにより、排気ガス中のＴＥＯＳなどの加
水分解しにくい難溶性有機物をスクラバ洗浄水中に溶解
させることができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。
する。
【００１６】本発明のスクラバで使用されるアニオン系
界面活性剤およびノニオン系界面活性剤は一般的に炭素
原子が２０個以下のものが好ましい。
界面活性剤およびノニオン系界面活性剤は一般的に炭素
原子が２０個以下のものが好ましい。
【００１７】具体的に、本発明で使用できるアニオン系
界面活性剤としては、例えば、脂肪酸モノカルボン酸塩
（例えば、ラウリン酸ナトリウム）およびＮ−アシロイ
ルグルタミン酸塩（例えば、ナウロイルグルタミン酸ナ
トリウム）などのようなカルボン酸型；アルキルベンゼ
ンスルホン酸塩（例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム）、ナフタレンスルホン酸塩−ホルムアルデ
ヒド縮合物およびスルホこはく酸ジアルキルエステル
（例えば、スルホこはく酸２−エチルヘキシルナトリウ
ム）などのようなスルホン酸型；硫酸アルキル塩（例え
ば、硫酸ドデシルナトリウム）などのような硫酸エステ
ル型；硫酸アルキルポリオキシエチレン塩（例えば、硫
酸ドデシルポリオキシエチレン塩）およびリン酸アルキ
ル塩（例えば、モノラウリルリン酸ナトリウム）などの
ようなリン酸エステル型の界面活性剤などである。
界面活性剤としては、例えば、脂肪酸モノカルボン酸塩
（例えば、ラウリン酸ナトリウム）およびＮ−アシロイ
ルグルタミン酸塩（例えば、ナウロイルグルタミン酸ナ
トリウム）などのようなカルボン酸型；アルキルベンゼ
ンスルホン酸塩（例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム）、ナフタレンスルホン酸塩−ホルムアルデ
ヒド縮合物およびスルホこはく酸ジアルキルエステル
（例えば、スルホこはく酸２−エチルヘキシルナトリウ
ム）などのようなスルホン酸型；硫酸アルキル塩（例え
ば、硫酸ドデシルナトリウム）などのような硫酸エステ
ル型；硫酸アルキルポリオキシエチレン塩（例えば、硫
酸ドデシルポリオキシエチレン塩）およびリン酸アルキ
ル塩（例えば、モノラウリルリン酸ナトリウム）などの
ようなリン酸エステル型の界面活性剤などである。
【００１８】また、本発明で使用できるノニオン系界面
活性剤としては、例えば、グリセリン脂肪酸エステル
（例えば、グリセリンモノステアリン酸エステル）、ソ
ルビタン脂肪酸エステル（例えば、ソルビタンモノステ
アリン酸エステル）、およびショ糖脂肪酸エステル（例
えば、ショ糖ステアリン酸エステル）などのようなエス
テル型；ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
（例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ル）、ポリオキシエチレンアルキルエーテル（例えば、
ドデシルポリオキシエチレンエーテル）、およびポリオ
キシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
などのようなエーテル型；ポリエチレングリコール脂肪
酸エステル（例えば、ポリエチレングリコールオレイン
酸エステル）およびポリオキシエチレンソルビタン脂肪
酸エステル（例えば、ポリオキシエチレンソルビタンモ
ノパルミチン酸エステル）などのようなエステル・エー
テル型；および脂肪酸アルカノールアミド（例えば、ラ
ウリン酸ジエタノールアミド）などのようなアルカノー
ルアミド型の界面活性剤などである。
活性剤としては、例えば、グリセリン脂肪酸エステル
（例えば、グリセリンモノステアリン酸エステル）、ソ
ルビタン脂肪酸エステル（例えば、ソルビタンモノステ
アリン酸エステル）、およびショ糖脂肪酸エステル（例
えば、ショ糖ステアリン酸エステル）などのようなエス
テル型；ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
（例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ル）、ポリオキシエチレンアルキルエーテル（例えば、
ドデシルポリオキシエチレンエーテル）、およびポリオ
キシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
などのようなエーテル型；ポリエチレングリコール脂肪
酸エステル（例えば、ポリエチレングリコールオレイン
酸エステル）およびポリオキシエチレンソルビタン脂肪
酸エステル（例えば、ポリオキシエチレンソルビタンモ
ノパルミチン酸エステル）などのようなエステル・エー
テル型；および脂肪酸アルカノールアミド（例えば、ラ
ウリン酸ジエタノールアミド）などのようなアルカノー
ルアミド型の界面活性剤などである。
【００１９】アニオン系界面活性剤またはノニオン系界
面活性剤の洗浄水への配合量は特に限定されないが、一
般的な指標として、０．０５wt％〜５．０wt％、好まし
くは、０．２wt％〜２．０wt％の範囲内である。配合量
が０．０５wt％未満では難溶性材料の溶解効果が不十分
となる。一方、配合量が５．０wt％を越えると溶解効果
が飽和して単に不経済となるばかりか、廃液処理にも多
大なコストがかかり、更に、発泡が強くなりすぎスクラ
バの作業性を阻害する結果となり好ましくない。アニオ
ン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤はそれぞれ
単独でも、あるいは、併用することもできる。数種類の
界面活性剤を混合して使用することもできる。
面活性剤の洗浄水への配合量は特に限定されないが、一
般的な指標として、０．０５wt％〜５．０wt％、好まし
くは、０．２wt％〜２．０wt％の範囲内である。配合量
が０．０５wt％未満では難溶性材料の溶解効果が不十分
となる。一方、配合量が５．０wt％を越えると溶解効果
が飽和して単に不経済となるばかりか、廃液処理にも多
大なコストがかかり、更に、発泡が強くなりすぎスクラ
バの作業性を阻害する結果となり好ましくない。アニオ
ン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤はそれぞれ
単独でも、あるいは、併用することもできる。数種類の
界面活性剤を混合して使用することもできる。
【００２０】水だけからなる洗浄水は噴霧しても起泡し
ないが、界面活性剤を配合した洗浄水は噴霧により起泡
することが知られている。従って、界面活性剤を選択す
る際には、溶解性の他に起泡性なども考慮にいれる必要
がある。泡の発生量の少ない界面活性剤を使用すること
によりスクラバ内が泡だらけになることがなくなる。ス
クラバ内が泡だらけになると難溶性材料と洗浄水との接
触が阻害され、溶解処理効果が低下する。
ないが、界面活性剤を配合した洗浄水は噴霧により起泡
することが知られている。従って、界面活性剤を選択す
る際には、溶解性の他に起泡性なども考慮にいれる必要
がある。泡の発生量の少ない界面活性剤を使用すること
によりスクラバ内が泡だらけになることがなくなる。ス
クラバ内が泡だらけになると難溶性材料と洗浄水との接
触が阻害され、溶解処理効果が低下する。
【００２１】起泡性の低い界面活性剤が使用できる場合
は問題ないが、難溶性材料の種類によっては起泡性の高
い界面活性剤を使用しなければならない場合もあるし、
また、起泡性の低い界面活性剤でも高濃度で使用しなけ
ればならず泡の発生量が多くなる場合もある。このよう
な事態を解決するため、所望により、消泡剤を使用する
こともできる。本発明で使用できる消泡剤は例えば、シ
リコン原子が２０個以下で炭素原子が４０個以下のポリ
シロキサン系消泡剤である。消泡剤の配合量は特に限定
されない。選択される界面活性剤の起泡性と配合量など
のファクタを考慮し、必要十分な消泡効果が得られる配
合量を適宜選択すればよい。このような消泡剤の配合量
は当業者が実験を繰り返すことにより容易に決定するこ
とができる。
は問題ないが、難溶性材料の種類によっては起泡性の高
い界面活性剤を使用しなければならない場合もあるし、
また、起泡性の低い界面活性剤でも高濃度で使用しなけ
ればならず泡の発生量が多くなる場合もある。このよう
な事態を解決するため、所望により、消泡剤を使用する
こともできる。本発明で使用できる消泡剤は例えば、シ
リコン原子が２０個以下で炭素原子が４０個以下のポリ
シロキサン系消泡剤である。消泡剤の配合量は特に限定
されない。選択される界面活性剤の起泡性と配合量など
のファクタを考慮し、必要十分な消泡効果が得られる配
合量を適宜選択すればよい。このような消泡剤の配合量
は当業者が実験を繰り返すことにより容易に決定するこ
とができる。
【００２２】本発明の界面活性剤含有洗浄水で好適に処
理することができるＣＶＤ排気ガス中の非加水分解性難
溶性材料は前記のＴＥＯＳの他に、ＴＭＢ（トリメチル
ボロン）、ＴＥＢ（トリエチルボロン）、ＴＭＯＰ（ト
リメトキシホスフェート）およびＴＭＰ（トリメチルホ
スフェート）などが挙げられる。これらの難溶性ＣＶＤ
材料が溶解されたスクラバ廃液は図示されていない別の
廃液処理系により所定の水質基準を満たす程度にまで処
理された後、最終処分される。
理することができるＣＶＤ排気ガス中の非加水分解性難
溶性材料は前記のＴＥＯＳの他に、ＴＭＢ（トリメチル
ボロン）、ＴＥＢ（トリエチルボロン）、ＴＭＯＰ（ト
リメトキシホスフェート）およびＴＭＰ（トリメチルホ
スフェート）などが挙げられる。これらの難溶性ＣＶＤ
材料が溶解されたスクラバ廃液は図示されていない別の
廃液処理系により所定の水質基準を満たす程度にまで処
理された後、最終処分される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスクラバ
によれば、ＴＥＯＳ−Ｏ3 系の常圧ＣＶＤ装置からの排
気ガス中に含まれている未反応ＴＥＯＳなどのような非
加水分解性の難溶性材料も溶解処理することができる。
このため、ＣＶＤ装置からの排気を建屋ファシリティの
大幅な変更なしに行うことができる。また、従来、未反
応ＴＥＯＳなどの処理用に使用されてきた活性炭フィル
タによるフィルタユニットは使用する必要がなくなる。
によれば、ＴＥＯＳ−Ｏ3 系の常圧ＣＶＤ装置からの排
気ガス中に含まれている未反応ＴＥＯＳなどのような非
加水分解性の難溶性材料も溶解処理することができる。
このため、ＣＶＤ装置からの排気を建屋ファシリティの
大幅な変更なしに行うことができる。また、従来、未反
応ＴＥＯＳなどの処理用に使用されてきた活性炭フィル
タによるフィルタユニットは使用する必要がなくなる。
【図１】常圧ＣＶＤ装置からの排気ガスの処理に使用さ
れているスクラバの一例の模式的構成図である。
れているスクラバの一例の模式的構成図である。
１ スクラバ ３ ダクト ５ 一次フィルタ ７ シャワーノズル ９ 廃液貯溜槽 １１ 弁 １３ ファン機構 １５ パイプ １７ フィルタユニット １９ 活性炭フィルタ ２１ ファン機構 ２３ ダクト
Claims (2)
- 【請求項１】 常圧ＣＶＤ装置の反応炉からの排気ガス
を処理するためのスクラバであって、シャワーノズルか
ら、アニオン系界面活性剤および／またはノニオン系界
面活性剤含有洗浄水を噴霧することを特徴とするスクラ
バ。 - 【請求項２】 アニオン系界面活性剤および／またはノ
ニオン系界面活性剤含有洗浄水は消泡剤を更に含有する
請求項１のスクラバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09390492A JP3318340B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | スクラバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09390492A JP3318340B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | スクラバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05261232A true JPH05261232A (ja) | 1993-10-12 |
| JP3318340B2 JP3318340B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=14095473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09390492A Expired - Fee Related JP3318340B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | スクラバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3318340B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0938448A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-10 | Tokyo Copal Kagaku Kk | 燃焼排気ガスの冷却、浄化方法及びその装置 |
| US5855651A (en) * | 1994-11-29 | 1999-01-05 | Asahi Denka Kogyo K.K. | Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment |
| KR100482926B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2005-04-14 | 박미애 | 세정식 공기정화장치 |
| JP2012088001A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Sam Yung Kwack | ガス濾過システム |
| JP2014149145A (ja) * | 2013-12-09 | 2014-08-21 | Sam Yung Kwack | ガス濾過システム |
| US9962745B2 (en) | 2013-04-11 | 2018-05-08 | Wacker Chemie Ag | Cleaning of CVD production spaces |
| CN109966845A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-05 | 丽水青蓝环保科技有限公司 | 一种化工尾气快速处理设备 |
| CN113522008A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-10-22 | 广东石油化工学院 | 一种处理轻烃废气的生物过滤装置和方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102232567B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2021-03-25 | 현대중공업 주식회사 | 배기가스 처리 시스템 및 이를 구비하는 선박 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP09390492A patent/JP3318340B2/ja not_active Expired - Fee Related
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