KR970052529A - 페로마그네틱 입자를 가지고 있는 절연막으로 직접 덮힌 나선형 배선 구조를 가진 반도체 장치와 그 제조 공정 - Google Patents

페로마그네틱 입자를 가지고 있는 절연막으로 직접 덮힌 나선형 배선 구조를 가진 반도체 장치와 그 제조 공정 Download PDF

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Abstract

반도체 기판(10) 위에 형성된 나선형 전도막(12a)은 빛에 민감한 폴리이미드 막을 갖는 페로마그네틱 입자로 덮혀 있고, 빛에 민감한 폴리이미드 막을 갖는 그 페로마그네틱 입자는 페로마그네틱 절연막(12b)으로 형성되고, 석판 인쇄 공정을 통하여 나선형 전도막의 회전 부분사이에 삽입되어 나선형 인덕터(inductor)의 구조를 간단하게 한다.

Description

페로마그네틱 입자를 가지고 있는 절연막으로 직접 덮힌 나선형 배선 구조를 가진 반도체 장치와 그 제조 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 제3도의 A-A선을 따라 취해지니 반도체 장치의 단면도.

Claims (15)

  1. 서로 인접하며, 복수 개의 회전 부분을 갖고 기판 위에 나선형으로 형성된 제1 전도 배선(12a; 45a)과, 절연 물질로부터 형성된 페로마그네틱 절연막(12b; 45b)과, 상기 절연 물질에 분산되고, 상기 복수 개의 회전 부분 사이에 삽입된 페로마그네틱 입자를 갖는 것을 특징으로 하고, 상기 제1 전도 배선에 이르는 페로마그네틱 구조(12b/13; 12b/31/13; 45b)를 포함하는 인덕터(12; 45)를 갖고 기판 위에 제조된 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인덕터의 자기 인덕턴스 조절을 위해, 상기 복수 개의 회전 부분 사이의 페로마그네틱 절연막의 양을 변화시키도록 작동되는 자기 인덕턴스 조절기(31)을 더 포함하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 1전도 배선(12a; 45a)으로부터 다른 막에 형성되어, 상기 제 1전도 배선의 한 쪽 끝 부분과 다른 쪽 끝 부분 사이에 전류가 흐르도록 상기 제 1전도 배선의 한쪽 끝 부분(12d; 45c)에 전기적으로 연결된 제 2전도 배선(14; 43)을 더 포함하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제 1전도 배선(12a) 위에 제공되는 제 2전도 배선(14)을 갖는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 페로마그네틱 구조가 상기 제 2전도 배선(14)이 상기 한 쪽 끝 부분(12d)과 연결되도록 스루 홀(13a)와 페로마그네틱 절연막을 더 포함하는 반도체 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 페로마그네틱 구조가 상기 제1전도 배선(12a)과 상기 페로마그네틱 절연막(12b) 사이에 있는 절연막(31)을 더 포함하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 인덕터의 자기 인덕턴스 조절을 위해, 상기 복수개의 회전 부분사이의 페로마그네틱 절연막의 양을 변화시키도록 작동되는 자기 인덕턴스 조절기 역할을 하는 상기 절연막(31)을 갖는 반도체 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제 2전도 배선(43) 위에 공급되는 제1전도 배선(45a)을 갖는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제 1전도 배선(45a)과 제 2전도 배선(43) 사이에 삽입된 층간 절연막(44)과 상기 한 쪽 끝 부분이 상기 제 2전도 배선(43)과 통할 수 있도록 스루 홀(44a)을 더 포함하는 반도체 장치.
  10. 제1항에 있어서, 절연 물질이 폴리이미드인 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 폴리이미드가 빛에 민감한 반도체 장치.
  12. a) 주표면을 갖는 기판(10; 41)을 준비하는 단계; b) 상기 주표면 위에 서로 인접한는 복수개의 회전 부분을 갖는 나선형 전도 배선(12a; 45a)을 형성하는 단계; c) 상기 복수개의 회전 부분 사이에 절연막을 포함하는 페로마그네틱 입자를 제공하기 위하여 상기 b)단계의 결과 구조 위에 절연막(21; 51)을 포함하는 페로마그네틱 입자를 형성하는 단계; d) 상기 나선형 전도 배선의 복수개의 회전 부분 사이에 부분을 가지고 페로마그네틱 절연막(12b; 45b) 안의 절연막(21; 51)을 포함하는 상기 페로마그네틱 입자를 형성하는 단계를 포함하여 인덕터(12; 45)를 갖는 반도체 장치의 제조 공정.
  13. 제12항에 있어서, 절연막을 포함한 페로마그네틱 입자는 빛에 민감한 폴리이미드를 포함하는 페로마그네틱 입자로 형성 되고 d)단계는 d-1) 잠재적 형상을 형성하기 위하여 포토 마스크(22; 52)로부터 절연막을 포함하는 상기 페로마그테닉 입자까지의 상기 페로마그네틱 절연막 패턴 형상을 광학적으로 전달하는 단계와, d-2) 절연막을 포함하는 상기 페로마그네틱 입자를 상기 페로마그네틱 절연막(12b; 45b)으로 형성하기 위하여 상기 잠재적 형상을 인화하는 단계를 포함하는 제조 공정.
  14. 제12항에 있어서, 상기 복수개의 회전 부분 사이에 절연막을 포함하는 페로마그네틱 입자의 양을 조절하기 위하여, 상기 단계 b)와 단계 c) 사이에 자기 인덕터스 조절막(31)을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 공정.
  15. 제12항에 있어서, e) 상기 인덕터가 목표 자기 인덕턴스를 가지는지 확인하기 위하여 상기 인덕터(45)의 자기 인덕턴스를 결정하는 단계와, f) 만일, 상기 자기 인덕턴스가 목표 자기 인덕턴스와 다르면 단계 d)의 결과 구조로부터 상기 페로마그네틱 절연막(45b)을 제거하는 단계와, g) 상기 나선형 전도막 위에 절연막을 포함하는 상기 페로마그네틱 입자로부터 페로마그네틱 입자의 다른 함유량을 가지는 절연막을 포함한 또다른 페로마그네틱 입자를 형성하는 단계와, h) 상기 페로마그네틱 절연막에 상응하는 다른 페로마그네틱 절연막으로의 절연막을 포함하는 상기 또다른 페로마그네틱 입자를 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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