JP2010160142A - 信号送受信方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、およびテスタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一面にインダクタ114が形成された半導体装置100に、半導体装置100のインダクタ114に対応する位置に設けられた外部インダクタ204を含む外部装置(200)から信号の送受信を行う。この手順は、少なくとも半導体装置100のインダクタ114と外部装置200の外部インダクタ204との間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜130を配置し、強磁性体膜130を介してインダクタ114と外部インダクタ204とを対向配置させる工程と、インダクタ114と外部インダクタ204とを対向配置させた状態で、インダクタ114と外部インダクタ204との間で電磁誘導で信号の送受信を行う工程と、を含む。
【選択図】図6
Description
特許文献1(特開2005−30877号公報)には、半導体集積回路装置内に内蔵テスト回路および無線通信回路を搭載し、無線信号により内蔵テスト回路を制御しテストを実施する技術が記載されている。
一面にインダクタが形成された半導体装置に、前記半導体装置の前記インダクタに対応する位置に設けられた外部インダクタを含む外部装置から信号の送受信を行う信号送受信方法であって、
少なくとも前記半導体装置の前記インダクタと前記外部装置の前記外部インダクタとの間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜を配置し、当該強磁性体膜を介して前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させる工程と、
前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させた状態で、前記インダクタと前記外部インダクタとの間で電磁誘導で前記信号の送受信を行う工程と、
を含む信号送受信方法が提供される。
基板、前記基板上に設けられた絶縁膜、および前記絶縁膜の前記基板と対向する面と反対側の一面に設けられたインダクタを含む半導体装置と、前記半導体装置の前記インダクタに対応する位置に設けられた外部インダクタを含む外部装置とを対向配置し、少なくとも前記半導体装置の前記インダクタと前記外部装置の前記外部インダクタとの間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜を配置し、当該強磁性体膜を介して前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させる工程と、
前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させた状態で、前記インダクタと前記外部インダクタとの間で電磁誘導で信号の送受信を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
基板と、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記基板と対向する面と反対側の一面に設けられたインダクタと、
前記絶縁膜上において、少なくとも前記インダクタ上に形成され、強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜と、
を含む半導体装置が提供される。
一面にインダクタが設けられた半導体装置をテストするためのテスタ装置であって、
基体と、
前記基体の一面に形成され、前記半導体装置の前記インダクタに対応する位置に設けられた外部インダクタと、
少なくとも前記外部インダクタ上に形成され、強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜と、
を含むテスタ装置が提供される。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態において、外部装置がテスタ装置で、ウェハレベルで半導体装置のチップ内部回路のテストを行う際に、テスタ装置から、電磁誘導で種々のテスト信号を送受信する場合を例として説明する。
半導体装置100は、基板102(ウェハ)を含む。本実施の形態において、基板102の一面には、複数のインダクタが形成されたインダクタ形成領域110が設けられている。このような構成の半導体装置100に、半導体装置100の各インダクタに対応する位置に設けられ、電磁誘導で信号の送受信を行う複数の外部インダクタを含むテスタ装置200から信号の送受信を行う。
図1(a)に示すように、まず、以上で説明した半導体装置100の基板102の一面に形成されたインダクタ形成領域110上に強磁性体膜130を形成する。強磁性体膜130は、たとえばポリエステル等の絶縁膜(ポリマー)中に、強磁性体の微粒子が含まれたテープとすることができる。ここで、強磁性体は、Fe、Co、Ni等の金属やその合金等とすることができる。強磁性体膜130の膜厚は、たとえば、20μmから0.25mm程度とすることができる。強磁性体膜130は、たとえば以下の手順で半導体装置100上に形成することができる。まず、強磁性体膜130の一面に水溶性の糊等の接着剤を塗布し、接着剤が塗布された一面が基板102のインダクタ形成領域110が形成された一面と接するように強磁性体膜130を配置する。そして、図示しないローラ等で強磁性体膜130をインダクタ形成領域110上に圧接・接着させる。
ここで、絶縁膜112は内部回路、変換回路、電源回路など回路を構成するトランジスタ168を含む絶縁層165と、主に配線を含む絶縁層166とを含む。絶縁層165および絶縁層166はともにたとえば複数の絶縁層の積層膜等、複数の絶縁膜で形成されていてもよく、それぞれ回路構成上必要な配線を絶縁層中に有している。インダクタ114は絶縁層166の最表層に、ボンディングパッド116は絶縁層166の最表層または絶縁層166上に形成される。
本実施の形態においては、信号の送受信終了後も、強磁性体膜130が半導体装置100上に部分的に残った構成とすることができる。
本実施の形態においては、テスタ装置200側に強磁性体膜130が設けられた構成とすることができる。
図9は、本実施の形態におけるテスタ装置200の構成を示す断面図である。ここでは、テスタ装置200は、外部インダクタ204の表面に形成された強磁性体膜130を含む。このような構成としても、第1の実施の形態および第2の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、強磁性体膜130は、テスタ装置200側と半導体装置100側の両方にそれぞれ設けられた構成とすることもできる。
102 基板
104 半導体チップ形成領域
106 スクライブライン領域
108 マーク
110 インダクタ形成領域
112 絶縁膜
114 インダクタ
116 ボンディングパッド
118 チップ内部回路
130 強磁性体膜
132 開口部
140 剥離テープ
150 カッター
152 載置台
166 絶縁層
165 絶縁層
168 トランジスタ
200 テスタ装置
201 テストチップ
202 基体
204 外部インダクタ
Claims (10)
- 一面にインダクタが形成された半導体装置に、前記半導体装置の前記インダクタに対応する位置に設けられた外部インダクタを含む外部装置から信号の送受信を行う信号送受信方法であって、
少なくとも前記半導体装置の前記インダクタと前記外部装置の前記外部インダクタとの間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜を配置し、当該強磁性体膜を介して前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させる工程と、
前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させた状態で、前記インダクタと前記外部インダクタとの間で電磁誘導で前記信号の送受信を行う工程と、
を含む信号送受信方法。 - 請求項1に記載の信号送受信方法において、
前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させる工程において、前記インダクタと前記外部インダクタとをそれぞれ前記強磁性体膜に接して対向配置させる信号送受信方法。 - 請求項1または2に記載の信号送受信方法において、
前記半導体装置は、半導体チップ形成領域を有する基板と、前記基板の前記半導体チップ形成領域内に設けられたチップ内部回路とをさらに含み、前記インダクタは前記半導体チップ形成領域内に前記チップ内部回路に電気的に接続して設けられ、
前記外部インダクタと前記インダクタとの間で送受信される前記信号は、前記チップ内部回路をテストするためのテスト信号である信号送受信方法。 - 基板、前記基板上に設けられた絶縁膜、および前記絶縁膜の前記基板と対向する面と反対側の一面に設けられたインダクタを含む半導体装置と、前記半導体装置の前記インダクタに対応する位置に設けられた外部インダクタを含む外部装置とを対向配置し、少なくとも前記半導体装置の前記インダクタと前記外部装置の前記外部インダクタとの間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜を配置し、当該強磁性体膜を介して前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させる工程と、
前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させた状態で、前記インダクタと前記外部インダクタとの間で電磁誘導で信号の送受信を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記インダクタと前記外部インダクタとを対向配置させる工程の前に、前記半導体装置の少なくとも前記インダクタ上に前記強磁性体膜を形成する工程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置は、前記絶縁膜の前記一面に設けられたボンディングパッドをさらに含み、
前記信号の送受信を行う工程の後に、前記ボンディングパッドと外部の端子とをボンディングワイヤにより接続する工程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、
前記強磁性体膜を形成する工程において、前記ボンディングパッド上にも前記強磁性体膜が形成され、
前記信号の送受信を行う工程の後に、少なくとも前記半導体装置の前記ボンディングパッド上に形成された前記強磁性体膜を除去する工程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記基板と対向する面と反対側の一面に設けられたインダクタと、
前記絶縁膜上において、少なくとも前記インダクタ上に形成され、強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜と、
を含む半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜の前記一面に設けられたボンディングパッドをさらに含み、
前記強磁性体膜は、前記ボンディングパッドが形成された領域にのみ選択的に形成されていない半導体装置。 - 一面にインダクタが設けられた半導体装置をテストするためのテスタ装置であって、
基体と、
前記基体の一面に形成され、前記半導体装置の前記インダクタに対応する位置に設けられた外部インダクタと、
少なくとも前記外部インダクタ上に形成され、強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜と、
を含むテスタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009277818A JP2010160142A (ja) | 2008-12-09 | 2009-12-07 | 信号送受信方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、およびテスタ装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008313316 | 2008-12-09 | ||
JP2009277818A JP2010160142A (ja) | 2008-12-09 | 2009-12-07 | 信号送受信方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、およびテスタ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015224952A Division JP6104350B2 (ja) | 2008-12-09 | 2015-11-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010160142A true JP2010160142A (ja) | 2010-07-22 |
Family
ID=42231528
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009277818A Pending JP2010160142A (ja) | 2008-12-09 | 2009-12-07 | 信号送受信方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、およびテスタ装置 |
JP2015224952A Active JP6104350B2 (ja) | 2008-12-09 | 2015-11-17 | 半導体装置 |
JP2017036606A Active JP6414911B2 (ja) | 2008-12-09 | 2017-02-28 | 半導体装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015224952A Active JP6104350B2 (ja) | 2008-12-09 | 2015-11-17 | 半導体装置 |
JP2017036606A Active JP6414911B2 (ja) | 2008-12-09 | 2017-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7935549B2 (ja) |
JP (3) | JP2010160142A (ja) |
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- 2009-12-07 JP JP2009277818A patent/JP2010160142A/ja active Pending
-
2011
- 2011-04-27 US US13/064,941 patent/US8338193B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-11-07 US US13/671,428 patent/US8633037B2/en active Active
-
2013
- 2013-12-20 US US14/137,839 patent/US9123571B2/en active Active
-
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- 2015-11-17 JP JP2015224952A patent/JP6104350B2/ja active Active
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US20100144063A1 (en) | 2010-06-10 |
US20130062731A1 (en) | 2013-03-14 |
US20140103487A1 (en) | 2014-04-17 |
JP6414911B2 (ja) | 2018-10-31 |
US7935549B2 (en) | 2011-05-03 |
US9123571B2 (en) | 2015-09-01 |
JP2016054309A (ja) | 2016-04-14 |
JP6104350B2 (ja) | 2017-03-29 |
US20110204359A1 (en) | 2011-08-25 |
US8338193B2 (en) | 2012-12-25 |
US8633037B2 (en) | 2014-01-21 |
JP2017143274A (ja) | 2017-08-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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