KR970051526A - 모놀리딕 세라믹 커패시터 - Google Patents

모놀리딕 세라믹 커패시터 Download PDF

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KR970051526A
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모토하루 히가미
신이찌 카마타
스스무 히라다
남하은
문명립
최창구
노리히코 사카모토
하루노부 산노
히로유키 와다
유키오 하마지
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호쿠리쿠 덴키코오교오 카부시키가이샤
배순훈
대우전자 주식회사
서두칠
대우전자부품 주식회사
무라따 미치히로
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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    • H01G4/1218Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates

Abstract

본 발명의 모놀리딕 세라믹 커패시터는 하기 화학식(1)의 조성을 주성분으로 함유하고, 주성분의 100몰에 대해 부성분으로 MgO를 0.5∼5.0몰 함유하며, 상기 성분의 100중량부에 대해 Li2O-(Si, Ti)O2-Al2O3-ZrO2계의 산화물을 0.2∼3.0중량부를 함유한 세라믹 조성물로 제조되는 유전체 세라믹층을 포함한다:
화학식(1)
(1-α-β){BaO}m·TiO2+ α{(1-x)M2O3+ xRe2O3} + β(Mn1-y-zNiyCoz)O
상기식에서,
α, β, m, x, y 및 z는 하기 관계식;
0.0025 ≤ α ≤ 0.025
0.0025 ≤ β ≤ 0.05
β/α ≤ 4
0 < x ≤ 0.50
0 ≤ y < 1.0
0 ≤ z < 1.0
0 ≤ y + z < 1.0
1.000 < m ≤ 1.035
을 만족한다.
커패시터는 대용량을 지니면서 소형으로 제조될 수 있다. 커패시터는 저산소 분압을 지닌 대기에서도 반도체화되지 않고 소성을 통해 제조될 수 있다. 커패시터는 3000이상의 유전율을 지니며, 강한 전기장에서도 거의 낮아지지 않는 6000Ω·F 이상의 절연 저항을 지닌다. 커패시터의 유전체층이 박층되더라도, 커패시터는 양호한 신뢰성 및 높은 정격 전압을 지니며, JIS 규격에서 규정한 B-레벨 특성 규격 및 EIA 규격에서 규정한 X7R-레벨 특성 규격을 만족하는 온도-의존 정전 용량를 지닌다. 커패시터는 고온의 부하 및/또는 고습의 부하 조건하에서도 우수한 내후성(耐候性)을 지닌다.

Description

모놀리딕 세라믹 커패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 다수개의 유전체 세라믹층,
    한 쌍의 인접한 상기 유전체 세라믹층 사이에 각각 배치되며 각 단면이 유전체 세라믹층의 각 단면 밖으로 노출되도록 배열되는 다수의 내부 전극, 및
    노출된 상기 내부 전극과 전기적으로 접속되는 외부 전극으로 모놀리딕 세라믹 커패시터가 구성되며;
    상기 모놀리딕 세라믹 커패시터의 유전체 세라믹층은 약 0.02중량% 이하의 알칼리 금속 산화물을 불순물로 함유하며 하기 화학식 1의 조성을 지닌 바륨 티타네이트,
    상기 티타네이트의 100몰에 대해 MgO로 환산하여 약 0.5∼5.0몰의 산화 망간, 및
    상기 티타네이트와 산화 망간의 100중량부에 대해 0.2∼3.0중량부의 Li2O-(Si, Ti) O2-Al2O3-ZrO2산화물을 함유하고;
    내부 전극은 니켈이나 니켈 합금을 포함함을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터:
    화학식1
    (1-α-β){BaO}m·TiO2+ α{(1-x)M2O3+ xRe2O3} + β(Mn1-y-zNiyCoz)O
    상기식에서,
    Re2O3는 Gd2O3, Tb2O3및 Dy2O3로부터 적어도 하나가 선택된다;
    M2O3는 Y2O3및 Sc2O3로부터 적어도 하나가 선택된다;
    α, β, m, x, y 및 z는 하기 관계식;
    0.0025 ≤ α ≤ 0.025
    0.0025 ≤ β ≤ 0.05
    β/α ≤ 4
    0 < x ≤ 0.50
    0 ≤ y < 1.0
    0 ≤ z < 1.0
    0 ≤ y + z < 1.0
    1.000 < m ≤ 1.035
    을 만족한다.
  2. 제 1항에 있어서, Li2O-(Si, Ti)O2-Al2O3-ZrO2산화물은 {Li2O, (SiWTi1-W)O2, M} (여기에서, w는 0.30 ≤ w ≤ 1.0 이고, M은 Al2O3및ZrO2로 구성되는 군으로부터 적어도 하나가 선택된다)의 삼각형 다이어그램 내의 몰%로 나타내는 하기 여섯 개의 점;
    A (20, 80, 0)
    B (10, 80, 10)
    C (10, 70, 20)
    D (35, 45, 20)
    E (45, 45, 10)
    F (45, 55, 0)
    을 연결하여 형성되는 여섯 개의 선(상기 직선 A-F 상의 조성 범위에서 w < 1.0)으로 둘러싸인 조성 범위 내에 포함됨을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  3. 제 2항에 있어서, 불순물은 약 0.015% 이하이고, 0.004 ≤ α ≤ 0.02, 0.009 ≤ β ≤ 0.04, β/α ≤ 2, x는 약 0.1∼0.4, y는 약 0.1∼0.8, z는 약 0.3∼0.8, y + z는 약 0.3∼0.8, m은 약 1.01∼1.035, 0.4 ≤ w ≤0.9, Li2O-(Si, Ti)O2-Al2O3-ZrO2산화물은 약 0.8∼2중량부임을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  4. 제 3항에 있어서, 커패시터의 외면 상에 형성되며, 내부 전극에 전기적으로 각각 접속되는 두 개의 분리 외부 전극을 지님을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  5. 제 4항에 있어서, 외부 전극이 글래스 프릿을 선택적으로 함유하는 전기 전도성 금속 분말의 소결층을 구성함을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  6. 제 5항에 있어서, 외부 전극이 소결층에 첨가된 글래스 프릿을 선택적으로 함유하는 전기 전도성 금속 분말의 소결된 제 1층 및 상기 제 1층 상에 형성되는 플레이트된 제 2층으로 구성됨을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  7. 제 2항에 있어서, 커패시터의 외면 상에 형성되며, 내부 전극에 전기적으로 각각 접속되는 두 개의 분리 외부 전극을 지님을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  8. 제 7항에 있어서, 외부 전극이 글래스 프릿을 선택적으로 함유하는 전기 전도성 금속 분말의 소결층을 구성함을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  9. 제 8항에 있어서, 외부 전극이 소결층에 첨가된 글래스 프릿을 선택적으로 함유하는 전기 전도성 금속 분말의 소결된 제 1층 및 상기 제 1층 상에 형성되는 플레이트된 제 2층으로 구성됨을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  10. 제 1항에 있어서, 커패시터의 외면 상에 형성되며, 내부 전극에 전기적으로 각각 접속되는 두 개의 분리 외부 전극을 지님을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  11. 제 10항에 있어서, 외부 전극이 글래스 프릿을 선택적으로 함유하는 전기 전도성 금속 분말의 소결층을 구성함을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
  12. 제 11항에 있어서, 외부 전극이 소결층에 첨가된 글래스 프릿을 선택적으로 함유하는 전기 전도성 금속 분말의 소결된 제 1층 및 상기 제 1층 상에 형성되는 플레이트된 제 2층으로 구성됨을 특징으로 하는 모놀리딕 세라믹 커패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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