KR970051108A - 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로 - Google Patents

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 반도체 메모리장치에 관한 것으로, 특히 메모리장치의 내부 동작전원전압보다 높은 전압을 발생하는 반도체 메모리장치의 펌핑전압 발생회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 펌핑전압 발생회로는 하기의 문제점을 발생하게 된다. 첫째로, 상기 펌핑전압 발생회로는 스탠바이상태와 액티브상태에서 별도로 사용되는 두가지의 회로들로 나누어져 있다. 이와 같이 둘로 나뉘어진 이유는 스탠바이상태와 액티브상태시 공급해야 할 전하양이 다르기 때문이다. 실제적으로, 액태브상태에서는 동작회로들 및 소자들의 갯수가 늘어나 공급 하여야 할 전하량이 스탠바이상태보다 급격히 늘어나게 된다. 둘째로, 많은 양의 전하를 공급하는 대용량의 액티브 펌핑전압 발생회로가 하나의 매스터클럭에 의해 동작하므로 일시적으로 충방전되는 전하량이 많아지게 되므로써 파워잡음(power noise)이 커지게 된다. 셋째로, 상기 액티브 펌핑전압 발생회로의 펌핑수단이 다량의 전하를 일시에 공급할 목적으로 대용량의 캐패시터를 구비하게 되고, 이에 따라 상기 대용량의 캐패시터를 충방전시켜야 되기때문에 펌핑효율이 저하되고, 대용량의캐패시터를 배치해야 하므로써 고집적을 저해하게 된다. 넷째로, 펌핑동작시 대용량의 캐패시터가 동작되므로써 펌핑에 요구되는 시간이 길어지게 되어 고속동작을 저해하게 된다. 이러한 문제점들을 해소하여 집적화 및 고속동작에 유리하면서, 펌핑효율을 높인 반도체 메모리장치의 펌핑전압 발생회로를 구현하는 것이 본 발명의 과제이다.
3. 발명의 해결방법의 요지
액태브상태에서 소정의 매스터클럭을 출력하는 액티브킥커 인에이블회로와, 상기 액티브킥커 인에이블회로의 출력에 응답하여 소정시간씩 지연하는 복수개의 지연기들과, 소정주기의 펄스신호를 출력하는 오실레이터와, 상기 액티브킥커 인에이블회로 및 상기 지연기들의 출력신호의 논리 조합된 출력과 상기 오실레이터의 출력을 논리조합하여 순차적인 제어신호를 출력하고 상기 순차적인 제어신호와 상기 지연기들중 일부의 출력신호를 논리조합하여 순차적인 인에이블신호를 출력하는 펌핑구동수단과, 상기 펌핑구동수단의 순차적인 이에이블신호에 응답하여 입력전압을 펌핑하는 복수개의 펌핑수단과, 상기 펌핑수단의 출력단과 상기 오실레이터의 궤환경로에 접속된 디텍터로 구성되며, 스탠바이상태에서는 제1갯수의 펌핑수단이 순차적으로 구동되고, 액티브상태에서는 상기 제1갯수의 펌핑수단이 연속적으로 구동됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로를 구현하므로써 상기 과제를 달성하게 된다.
4. 발명의 중요한 용도
고집적, 고속동작용 반도체 메모리장치와 펌핑효율을 개선한 펌핑전압 발생회로.

Description

다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로의 회로도.
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로의 회로도.
제6도는 제5도에 따른 동작타이밍도.

Claims (9)

  1. 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로에 있어서, 액티브상태에서 소정의 매스터클럭을 출력하는 액티브킥커 인에이블회로와, 상기 액티브킥커 인에이블회로의 출력에 응답하여 소정시간씩 지연하는 복수개의 지연기들과, 소정주기의 펄스신호를 출력하는 오실레이터와, 상기 액티브킥커 인에블회로 및 상기 지연기들의 출력신호의 논리조합된 출력과 상기 오실레이터의 출력을 논리조합하여 순차적인 제어신호를 출력하고 상기 순차적인 제어신호와 상기 지연기들중 일부의 출력신호를 논리조합하여 순차적인 인에이블신호를 출력하는 펌핑구동수단과, 상기 펌핑구동수단의 순차적인 인에이블신호에 응답하여 입력전압을 펌핑하는 복수개의 펌핑수단과, 상기 펌핑수단의 출력단과 상기 오실레이터의 궤환경로에 접속된 디텍터로 구성되며, 스탠바이상태에서는 제1갯수의 펌핑수단이 순차적으로 구동되고, 액티브상태에서는 상기 제1갯수의 펌핑수단이 연속적으로 구동됨을 특징으로하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로
  2. 제1항에 있어서, 상기 펌핑구동수단이 상기 액티브킥커 인에이블회로 및 상기 지연기들의 출력신호들을 논리조합하는 제1게이팅수단과 상기 제1게이팅수단과 상기 오실레이터의 출력신호드를 논리조합하는 제2게이팅수단과, 상기 제2게이팅수단의 출력에 응답하여 순차적인 제어신호를 출력하는 시프터 레지스터와, 상기 시프트 레지스터에서 출력되는 순차적인 제어신호와 상기 지연기들중 일부의 출력신호를 논리조합하는 복수개의 제3게이팅수단들로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3게이팅수단이 각각 노아게이트, 앤드게이트 및 오아게이트임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 펌핑수단이 4개로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로.
  5. 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로에 있어서, 액티브상태에서 소정의 매스터클럭을 출력하는 액티브킥커 인에이블회로와, 상기 액티브킥커 인에블회로의 출력에 응답하여 소정시간씩 지연하는 복수개의 지연기들과, 소정주기의 펄스신호를 출력하는 오실레이터와, 상기 액티브킥커 인에이블회로 및상기 지연기들의 출력신호에 응답하여 출력되는 소정의 제어신호와 상기 오실레이터의 출력을 논리조합하고 상기 논리조합된 출력과 상기 지연기들중 일부의 출력의 논리조합된 출력을 논리조합하여 순차적인 제어신호를 출력하고 상기 순차적인 제어신호를 입력하여 펄스형태의 순차적인 인에이블신호를 출력하는 펌핑구동수단과, 상기 펌핑구동수단의 순차적인 인에이블신호에 응답하여 입력전압을 펌핑하는 복수개의 펌핑수단과, 상기 펌핑수단의 출력단과 상기 오실레이터의 궤환경로에 접속된 디텍터로 구성되며, 스탠바이상태에서는 제1갯수의 펌핑수단이 순차적으로 구동되고, 액티브상태에서는 상기 제1갯수의 펌핑수단이 연속적으로 구동됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 펌핑구동수단이 상기 액티브킥커 인에이블회로의 출력신호와 상기 지연기들중 소정의 지연기출력을 입력하여 오실레이터의 구동을 제어하는 오실레이터 제어회로와, 상기 오실레이터 제어회로의 출력과 상기 오실레이터의 출력신호를 논리조합하는 제1게이팅수단과, 상기 지연기들중 일부 지연기들의 출력을 논리조합하는 제2게이팅수단과, 상기 제1게이팅수단 및 제2게이팅수단의 출력을 논리조합하는 제3게이팅수단과, 상기 제3게이팅수단의 출력에 응답하여 순차적인 제어신호를 출력하는 시프터 레지스터와, 상기 시프트 레지스터에서 출력되는 순차적인 제어신호에 응답하여 복수개의 인에이블신호를 출력하는 복수개의 펄스발생수단들로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1게이팅수단이 앤드게이트이고, 제2 및 제3게이팅수단이 오아게이트임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로.
  8. 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로에 있어서, 액티브상태에서 소정의 매스터클럭을 출력하는 액티브킥커 인에이블회로와, 상기 액티브킥커 인에이블회로의 출력에 응답하여 상기액티브킥커 인에이블회로의 출력에 따라 가변적인 주기의 펄스신호를 출력하는 가변오실레이터와, 상기 가변오실레이터의 출력에 응답하여 순차적인 제어신호를 출력하고 상기 순차적인 제어신호를 입력하여 펄스형태의 순차적인 인에이블신호를 출력하는 펌핑구동수단과, 상기 펌핑구동수단의 순차적인 인에이블신호에 응답하여 입력전압을 펌핑하는 복수개의 펌핑수단과, 상기 펌핑수단의 출력단과 상기 오실레이터의 궤환경로에 접속된 디텍터로 구성되며, 스탠바이상태에서는 제1갯수의 펌핑수단이 순차적으로 구동되고, 액티브상태에서는 상기 제1갯수의 펌핑수단이 연속적으로 구동됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 펌핑구동수단이 상기 가변오실레이터의 출력에 응답하여 순차적인 제어신호를 출력하는 시프트 레지스터와, 상기 시프트 레지스터에서 출력되는 제어신호에 응답하여 펄스형태의 순차적인 인에이블신호를 출력하는 복수개의 펄스발생회로로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 다단펌핑 머지드 펌핑전압 발생회로
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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