JP2012123862A - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 15
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 101100339482 Colletotrichum orbiculare (strain 104-T / ATCC 96160 / CBS 514.97 / LARS 414 / MAFF 240422) HOG1 gene Proteins 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 9
- 101100284548 Neosartorya fumigata (strain ATCC MYA-4609 / Af293 / CBS 101355 / FGSC A1100) helA gene Proteins 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- -1 OSC1B Proteins 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
- H03L7/0816—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter and the frequency- or phase-detection arrangement being connected to a common input
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2227—Standby or low power modes
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Abstract
【解決手段】電源ラインVLに内部電圧V0を供給する内部電圧生成回路1,2を複数個並列に接続し、付加回路3に含まれる複数の回路ブロックのうち、ノイズの影響を受けやすい回路ブロックが動作中ではない場合は、内部電圧V0の低下に応答して全ての内部電圧生成回路1,2を活性化させ、ノイズの影響を受けやすい回路ブロックが動作中である場合は、内部電圧V0が低下しても内部電圧生成回路2のみを活性化させ、内部電圧生成回路1を活性化させない。これにより、内部電圧生成回路の動作に伴う負荷回路3へのノイズの影響を低減させる。
【選択図】図1
Description
VPP>VDD>VPERI≒VARY
である。電源回路100に含まれる昇圧回路100aは、外部電圧VDDを昇圧することにより内部電圧VPPを生成する回路であり、電源回路100に含まれる降圧回路100bは、外部電圧VDDを降圧することにより内部電圧VPERIを生成する回路である。電源回路100に含まれるその他の降圧回路(不図示)は、外部電圧VDDを降圧することにより内部電圧VARYを生成する回路である。VPP,VPERI,VARYの電圧は、VDDの電位変動によらず、それぞれ所定の電圧を維持する。
(付記1)
それぞれが生成した電圧を第1の電源ラインに共通に供給する複数の内部電圧生成回路と、
前記電源ラインから供給される高電位側の電圧によって動作する第1の負荷回路と、
第2の電源ラインから供給される高電位側の電圧によって動作する複数の第2の負荷回路と、
前記第1の電源ラインの電位と基準電位とを比較する比較回路と、
前記第1の負荷回路及び前記複数の第2の負荷回路、並びに前記複数の内部電圧生成回路を制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記前記第1の負荷回路が活性であり且つ前記複数の第2の負荷回路の少なくとも一部である第3の負荷回路が非動作状態であることを示す第1の動作状態及び前記第1の負荷回路が活性であり且つ前記第3の負荷回路が動作状態であることを示す第2の動作状態のいずれであるか否かを示す制御信号を生成し、前記複数の内部電圧生成回路に供給し、
前記複数の内部電圧生成回路は、
前記制御信号が第1の動作状態を示す時、前記比較回路が示す比較結果に対応して前記複数の内部電圧生成回路のすべてを活性化し、
前記制御信号が第2の動作状態を示す時、前記比較回路が示す比較結果に対応して前記複数の内部電圧生成回路の一部の内部電圧生成回路を活性化し、残りの内部電圧生成回路を活性化させない、半導体装置。
(付記2)
前記第3の負荷回路は、メモリセルアレイから読み出したデータを出力するデータ出力回路を含み、
前記第1の動作状態は、前記データ出力回路が非活性状態であり、
前記第2の動作状態は、前記データ出力回路が活性状態である、付記1の半導体装置。
(付記3)
前記データ出力回路は、第4の負荷回路及び第5の負荷回路を含み、
前記制御回路は、
前記半導体装置の外部からリフレッシュコマンド、アクティブコマンド及びリードコマンドが供給され、
前記リフレッシュコマンドに対応して、前記第1の動作状態として、前記第1及び第4の負荷回路を活性させ且つ前記第5の負荷回路を非活性させ、
前記アクティブコマンド及びリードコマンドに対応して、前記第2の動作状態として、前記第1、第4及び第5の負荷回路を活性させる、付記2の半導体装置。
(付記4)
前記第3の負荷回路は、前記半導体装置の外部から供給される外部同期信号と内部同期信号の位相を比較する位相比較回路を含み、
前記第1の動作状態は、前記位相比較回路が非動作状態であり、
前記第2の動作状態は、前記位相比較回路が動作状態である、付記1の半導体装置。
(付記5)
前記半導体装置は、前記位相比較回路と、前記外部同期信号を遅延させることにより前記内部同期信号を生成する遅延回路と、前記位相比較回路による比較結果に基づいて前記遅延回路の遅延量を制御する位相制御回路とを含むDLL回路を含み、
前記第1の動作状態は、前記遅延回路が動作状態であり、且つ、前記位相制御回路が非動作状態であり、
前記第2の動作状態は、前記遅延回路が動作状態であり、且つ、前記位相制御回路が動作状態である、付記4の半導体装置。
(付記6)
更に、前記比較回路の出力によって制御される発振回路を備え、
前記複数の内部電圧生成回路は、それぞれキャパシタを含むチャージポンプを含み、前記発振回路から供給される周期的なオシレータ信号によってそれぞれのチャージポンプがポンピング動作を行い、
前記制御回路は、前記制御信号と前記オシレータ信号がそれぞれの入力ノードに供給され、出力ノードの信号が前記残りの内部電圧生成回路へ供給される論理回路を含む、付記1の半導体装置。
3 負荷回路
3a 内部電圧生成回路の生成電圧が電源として供給される回路ブロック
3b その他の電圧が電源として供給される回路ブロック
4 制御回路
5 比較回路
6 ANDゲート回路
10 半導体装置
11 メモリセルアレイ
12 ロウデコーダ
13 カラムデコーダ
14 センス回路
15 アンプ回路
16 データ入出力回路
17 データ入出力端子
20 アクセス制御回路
20a ALカウンタ
20b CLカウンタ
20c BLカウンタ
21 アドレス端子
22 コマンド端子
23 クロック端子
31,32 電源端子
100 電源回路
100a,101a 昇圧回路
100b 降圧回路
110〜113,120,121 内部電圧生成回路
130,130a 発振回路
140,140a 比較回路
141 抵抗回路
142 コンパレータ
150 制御回路
151 インバータ
152 NANDゲート回路
160〜162,170,171 インバータ
180 論理回路
200 DLL回路
210 ディレイライン
220 位相制御回路
221 レプリカ回路
222 位相判定回路
223 カウンタ制御回路
224 カウンタ回路
225 分周回路
230 モード切り替え回路
231,232 ラッチ回路
233 ANDゲート回路
234 ワンショットパルス生成回路
VL,VPERIL,VPPL 電源ライン
Claims (20)
- 第1及び第2の電源ラインと、
前記第1の電源ラインにそれぞれ第1の電圧を供給する複数の内部電圧生成回路と、
前記第1の電圧と基準電圧とを比較し、前記第1の電圧が前記基準電圧未満であれば第1の論理、前記基準電圧以上であれば第2の論理を示す比較信号を生成する比較回路と、
前記第1の電圧によって動作する第1の負荷回路と、
前記第2の電源ラインから供給される第2の電圧によって動作する第2の負荷回路と、
前記第2の負荷回路が動作している状態を第3の論理、動作していない状態を第4の論理として示す制御信号を生成する制御回路と、を備え、
前記複数の内部電圧生成回路は、
前記比較信号が第1の論理及び前記制御信号が第4の論理である場合に活性化され、且つ、前記比較信号が第1の論理及び前記制御信号が第3の論理である場合、若しくは前記比較信号が第2の論理である場合に非活性化される第1の内部電圧生成回路と、
前記比較信号が第1の論理である場合には前記制御信号の論理にかかわらず活性化され、且つ、前記比較信号が第2の論理である場合に非活性化される第2の内部電圧生成回路と、を含む、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の負荷回路は、メモリセルアレイから読み出したデータを出力するデータ出力回路を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記データ出力回路は、第3の負荷回路及び第4の負荷回路を含み、
前記制御回路は、更に、
前記半導体装置の外部からリフレッシュコマンド、アクティブコマンド及びリードコマンドが供給され、
前記リフレッシュコマンドに対応して、前記第1及び第3の負荷回路を活性させ且つ前記第4の負荷回路を非活性させ、
前記アクティブコマンド及びリードコマンドに対応して、前記第1、第3及び第4の負荷回路を活性させる、請求項2の半導体装置。 - 前記第2の負荷回路は、前記半導体装置の外部から供給される外部同期信号と内部同期信号の位相を比較する位相比較回路を含む、請求項1の半導体装置。
- 前記第2の負荷回路は、更に、前記半導体装置の外部から供給される外部同期信号と内部同期信号を比較する位相比較回路を含む、請求項2または3の半導体装置。
- 前記第2の負荷回路は、更に、前記位相比較回路と、前記外部同期信号を遅延させることにより前記内部同期信号を生成する遅延回路と、前記位相比較回路による比較結果に基づいて前記遅延回路の遅延量を制御する位相制御回路とを含むDLL回路を含み、
前記第3の論理は、前記遅延回路が動作している状態、且つ、前記位相制御回路が動作していない状態を示し
前記第4の論理は、前記遅延回路が動作している状態、且つ、前記位相制御回路が動作している状態を示す、請求項4の半導体装置。 - 前記第2の負荷回路は、更に、前記位相比較回路と、前記外部同期信号を遅延させることにより前記内部同期信号を生成する遅延回路と、前記位相比較回路による比較結果に基づいて前記遅延回路の遅延量を制御する位相制御回路とを含むDLL回路を含み、
前記第3の論理は、前記遅延回路が動作している状態、且つ、前記位相制御回路が動作していない状態を示し
前記第4の論理は、前記遅延回路が動作している状態、且つ、前記位相制御回路が動作している状態を示す、請求項5の半導体装置。 - 更に、前記比較回路の出力によって制御される発振回路を備え、
前記複数の内部電圧生成回路は、それぞれキャパシタを含むチャージポンプを含み、前記発振回路から供給される周期的なオシレータ信号によってそれぞれのチャージポンプがポンピング動作を行い、
前記制御回路は、更に、前記制御信号と前記オシレータ信号がそれぞれの入力ノードに供給され、出力ノードの信号が前記残りの内部電圧生成回路へ供給される論理回路を含む、請求項1の半導体装置。 - 前記第1の負荷回路は、ワード線を駆動するワードドライバを含む、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の内部電圧生成回路を複数備え、前記複数の第1の内部電圧生成回路は互いに異なる位相で動作し、
前記第2の内部電圧生成回路を複数備え、前記複数の第2の内部電圧生成回路は互いに異なる位相で動作する、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記複数の第1の内部電圧生成回路及び前記複数の第2の内部電圧生成回路は互いに異なる位相で動作する、ことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、更に、前記比較信号及び前記制御信号にかかわらず活性化され、前記第1の電源ラインに前記第1の電圧を供給する第3の内部電圧生成回路を備える、ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第3の内部電圧生成回路の電流供給能力は、前記第1及び第2の内部電圧生成回路の電流供給能力よりも小さい、ことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の内部電圧生成回路の電流供給能力は互いに等しい、ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の電源ラインから供給される電圧は、前記第2の電源ラインから供給される電圧よりも高い、ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、更に、前記半導体装置の外部から供給される外部電源電圧を降圧し、前記第2の電源ラインに供給する降圧回路を備え、
前記複数の内部電圧生成回路は、前記外部電源電圧を昇圧し、前記第1の電源ラインに供給する、ことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。 - 半導体装置の外部から供給されるアクティブコマンドに応答してワード線を活性化し、
前記活性化された前記ワード線に関連するメモリセルのデータをセンシングし、
前記外部から供給されるリードコマンドに応答して前記センシングされたデータをリードデータとして外部に出力し、
前記アクティブコマンドまたは前記リードコマンドから前記リードデータの出力が終了するまでの少なくとも一部の期間において、前記ワード線に供給する電圧を生成する内部電圧生成回路の電流供給能力を制限する、ことを特徴とする半導体装置の制御方法。 - 更に、前記外部から供給される外部同期信号を遅延して内部同期信号を生成し、
前記外部同期信号と前記内部同期信号の位相を比較し、
前記比較の結果に基づいて前記遅延の量を制御し、
前記少なくとも一部の期間に代えて、前記位相を比較する期間において、前記ワード線に供給する電圧を生成する内部電圧生成回路の電流供給能力を制限する、ことを特徴とする請求項17の半導体装置の制御方法。 - 更に、前記外部から供給される外部同期信号を遅延して内部同期信号を生成し、
前記外部同期信号と前記内部同期信号の位相を比較し、
前記比較の結果に基づいて前記遅延の量を制御し、
前記位相を比較する期間において、前記ワード線に供給する電圧を生成する内部電圧生成回路の電流供給能力を制限する、ことを特徴とする請求項17の半導体装置の制御方法。 - 更に、半導体装置の外部から供給されるリフレッシュコマンドに応答してワード線を活性化し、
前記リフレッシュコマンドに関連して活性化された前記ワード線に関連するメモリセルのデータをセンシングし、
前記リフレッシュコマンドに関連して前記センシングされたデータをリードデータとして外部に出力せず、
前記リフレッシュコマンドから前記リフレッシュコマンドに関連するセンシングまでの期間において、前記ワード線に供給する電圧を生成する内部電圧生成回路の電流供給能力を制限しない、ことを特徴とする請求項17または19の半導体装置の制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272387A JP2012123862A (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 半導体装置及びその制御方法 |
US13/305,691 US8509024B2 (en) | 2010-12-07 | 2011-11-28 | Semiconductor device having plural internal voltage generating circuits and method of controlling the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272387A JP2012123862A (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 半導体装置及びその制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012123862A true JP2012123862A (ja) | 2012-06-28 |
Family
ID=46162131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010272387A Abandoned JP2012123862A (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 半導体装置及びその制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8509024B2 (ja) |
JP (1) | JP2012123862A (ja) |
Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
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- 2010-12-07 JP JP2010272387A patent/JP2012123862A/ja not_active Abandoned
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US20120140578A1 (en) | 2012-06-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Written amendment |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A762 | Written abandonment of application |
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