KR970008393A - 반도체 웨이퍼 제조방법, 그 방법에 사용되는 연삭방법 및 이에 사용되는 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 얇은 원반상으로 절단하고 필요에 따라 모깍기한 웨이퍼를, 베어링에 의해 양단이 지지된 한쌍의 원통상 회전 연삭롤 사이에 삽통시켜 양면 동시 연삭으로 평탄화한 후, 그 평탄화한 웨이퍼를 일면 또는 양면 동시 연마하여 연마 웨이퍼를 제조함을 특징으로 하며, 이에 의해 종래에 행해지던 래핑 공정과 에칭공정을 생략하여 가공공정의 단축을 도모함과 동시에, 상기 연삭은 양면 동시 연삭이기 때문에 종래의 웨이퍼 보지를 위해 웨이퍼 진공흡착에 기인하는 절단마크의 전사나 왁스 마운트 방식과 같이 작업이 번잡함이 없이, 또는 배치식 연삭이 아닌 연속식 연삭을 행하는 것이 가능하며, 그 결과 가공마진의 변동이 생기지 않고 고정밀도의 평탄도와 안정된 두께를 갖는 연삭을 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 원통상 회전률을 갖는 웨이퍼 양면연삭장치를 도시한 정면도.
Claims (17)
- 얇은 원반상으로 절단하고, 필요에 따라 모깍기(chamfered)한 웨이퍼를, 베어링에 의해 양단이 지지된 1쌍의 원통상 회전 연삭롤 사이에 삽통시켜 양면동시 연마에 의해 평탄화한 후, 그 평탄화된 웨이퍼를 일면 또는 양면 동시 연마하여 연마웨이퍼를 제조함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조방법.
- 얇은 원반상으로 절단하고, 필요에 따라 모깍기한 웨이퍼를, 베어링에 의해 양단이 지지된 한쌍의 원통상회전 연삭롤 사이를 삽통시켜 양면 동시 연삭에 의해 웨이퍼를 평탄화하고, 상기 한쌍의 원통상 회전연삭롤 각각의 배면측에 그 원통상 회전연삭롤의 전체 길이에 걸쳐 접촉하는 강성(剛性)롤을 배치하고, 그 강성롤의 접촉압에 의해 웨이퍼 연삭시에 생기는 원통상 회전연삭롤의 휨을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭방법.
- 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼의 연삭방향을 웨이퍼의 이송방향과 같은 방향으로 설치하여 포워드 피드연삭(forward feed grinding)을 행함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 원통형 회전연삭롤의 배면측에 배치된 강성롤러는 상기 원통형 회전연삭롤의 주속(周速)에 대하여 주속차이를 부여하여 회전함으로서 상기 원통상 회전연삭롤의 연삭면 재생을 행함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 회전 연삭롤 사이의 간격보다 작은 두께를 갖는 벨트상 운반체에 상기 웨이퍼를 감합지지시킨 상태에서 운반체를 통해 상기 한쌍의 원통상 회전 연삭롤에 상기 웨이퍼를 삽통시켜 양면 동시연삭을 행함을 특징으로 하는 방법.
- 얇은 원반상으로 절단하고 필요에 따라 모깍기를 한 웨이퍼를 베어링에 의해 양단이 지지된 한쌍의 원통상 회전 연삭롤 사이에 삽통시켜 양면동시 연삭으로 웨이퍼를 평탄화함과 동시에, 상기 한쌍의 원통상 회전연삭롤 가운데 하나의 연삭롤을 고정하고, 나머지 다른 연삭롤을 그 하나의 연삭롤측에 향하여 이접(離接)하는 방향으로 가동가능하게 구성하고, 또한 상기 웨이퍼의 연삭방향을 웨이퍼의 이송방향과 반대방향으로 설정하여, 어겐스트 피드 연삭(against-feed grinding)을 행함을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭방법.
- 제6항에 있어서, 상기 가동가능한 다른 회전역삭롤을 상기 고정된 하나의 연삭롤 주변면에 당접시킴과 동시에, 상기 다른 회전연삭롤 축선방향으로 이동시킴으로서 양회전 연삭롤의 연삭면 재생율 비연삭시에 적절한 타이밍에서 행함을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 회전연삭롤 사이의 간격보다 적은 두께를 갖는 벨트상 운반체에 웨이퍼를 감합지지시킨 상태에서, 운반체를 통해 상기 한쌍의 원통상 회전 연삭롤 사이에 웨이퍼를 삽통시켜 양면동시 연삭율 행함을 특징으로 하는 방법.
- 얇은 원반상으로 절단하고 필요에 따라 모깍기를 한 웨이퍼를, 베어링에 의해 양단이 지지된 한쌍의 원통상 회전 연삭롤에 삽통시켜 양면 동시 연삭으로 웨이퍼를 평탄화하는 웨이퍼 양면 동시 연삭 장치로 되며, 상기 한쌍의 원통상 회전 연삭롤 각각의 배면에 그 원통상 회전연삭롤 전 길이에 걸쳐 접촉하는 강성(剛性)롤을 배치시킨 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭장치.
- 제9항에 있어서, 상기 원통상 회전연삭롤의 회전방향을 웨이퍼의 이송방향과 같은 방향으로 설정한 것을 특징으로 하는 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 한쌍의 원통상 회전연삭롤과 그 배면에 배치된 상기 강성롤은 동일 연직면내에 수평으로 설해진 것을 특징으로 하는 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 원통상 회전연삭롤의 배면에 배치된 강성롤은 상기 원통상 회전연삭롤의 주속(周速)에 대하여 주속차이를 갖고 회전가능하게 구성한 것을 특징으로 하는 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 회전연삭롤 사이의 간격보다 적은 두께를 갖는 웨이퍼를 감합지지시키는 벨트상 운반체와, 상기 한쌍의 원통상 회전 연삭롤을 끼로 그 상류측과 하류측에 각각 배치되며, 상기 운반체를 회전 연삭롤축선과 직교하는 방향으로만 이동가능하게 위치 규제되는 운반체 가이드를 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
- 얇은 원반상으로 절단하고 필요에 따라 모깍기를 한 웨이퍼를, 베어링에 의해 양단이 지지된 한쌍의 원통상 회전 연삭롤 사이에 삽통시켜 양면 동시 연마로 웨이퍼를 평탄화하는 웨이퍼 양면 동시 연삭장치로 되며, 상기 한쌍의 원통상 회전연삭롤 가운데 하나의 회전 연삭롤을 고정하고 다른 회전연삭롤을 그 하나의 회전연삭롤측에 향하여 이접(離接)하는 방향으로 가동가능하게 구성함과 동시에, 상기 회전연삭롤의 회전방향을 웨이퍼 이송방향과 반대방향으로 설정한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭장치.
- 제14항에 있어서, 상기 다른 회전 연삭롤을, 상기 하나의 회전연삭롤측에 향여 이접하는 방향으로 가동가능하게 구성함과 동시에, 그 가동기구를 포함하여 상기 다른 회전 연삭롤을 연삭롤 축선방향으로 이동가능하게 구성한 이동수단을 탑재시킨 것을 특징으로 하는 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 회전연삭롤 사이의 간격보다 적은 두께를 갖고, 웨이퍼를 감합지지시키는 벨트상 운반체와, 상기 한쌍의 회전연삭롤을 끼고 그 상류측과 하류측에 각각 배치되며 상기 운반체를 상기 회전 연삭룰 축선과 직교하는 방향으로만 이동가능하게 위치규제시키는 운반체 가이드를 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
- 제14항에 있어서, 나아가 상기 한쌍의 원통상 회전연삭롤 사이의 간격을 설정하는 간격 설정수단을 최소 하나의 회전연삭롤의 가동부측에 설한 것을 특징으로 하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114536183A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-05-27 | 中建八局第一建设有限公司 | 一种建筑施工用废弃板材回收装置及其回收方法 |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09270401A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法 |
JP3620554B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ製造方法 |
DE19632809C2 (de) * | 1996-08-14 | 2002-06-20 | Infineon Technologies Ag | Gerät zum chemisch-mechanischen Polieren von Wafern |
DE19704546A1 (de) * | 1997-02-06 | 1998-08-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer einseitig beschichteten und mit einem Finish versehenen Halbleiterscheibe |
US5967881A (en) * | 1997-05-29 | 1999-10-19 | Tucker; Thomas N. | Chemical mechanical planarization tool having a linear polishing roller |
DE19833257C1 (de) * | 1998-07-23 | 1999-09-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
US6214704B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
DE19905737C2 (de) | 1999-02-11 | 2000-12-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
US6112738A (en) * | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
US6294469B1 (en) | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
DE19956250C1 (de) * | 1999-11-23 | 2001-05-17 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
DE19958077A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
US6461224B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-10-08 | Lam Research Corporation | Off-diameter method for preparing semiconductor wafers |
DE10064081C2 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE10142400B4 (de) * | 2001-08-30 | 2009-09-03 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe mit verbesserter lokaler Ebenheit und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10159832A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung |
US6620029B2 (en) | 2002-01-30 | 2003-09-16 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for front side chemical mechanical planarization (CMP) of semiconductor workpieces |
US7416962B2 (en) | 2002-08-30 | 2008-08-26 | Siltronic Corporation | Method for processing a semiconductor wafer including back side grinding |
US6875086B2 (en) * | 2003-01-10 | 2005-04-05 | Intel Corporation | Surface planarization |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
DE102004004556B4 (de) * | 2004-01-29 | 2008-12-24 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
US7402520B2 (en) * | 2004-11-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer |
US7208325B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Refreshing wafers having low-k dielectric materials |
US7659206B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Removal of silicon oxycarbide from substrates |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8647484B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US7930058B2 (en) | 2006-01-30 | 2011-04-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Nanotopography control and optimization using feedback from warp data |
US7601049B2 (en) | 2006-01-30 | 2009-10-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Double side wafer grinder and methods for assessing workpiece nanotopology |
US7662023B2 (en) | 2006-01-30 | 2010-02-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Double side wafer grinder and methods for assessing workpiece nanotopology |
US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US8083963B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Removal of process residues on the backside of a substrate |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US8460060B2 (en) * | 2009-01-30 | 2013-06-11 | Smr Patents S.A.R.L. | Method for creating a complex surface on a substrate of glass |
US8535118B2 (en) * | 2011-09-20 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Multi-spindle chemical mechanical planarization tool |
US9057790B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-06-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation detection device with pressure sensitive adhesive interfaces |
KR101978536B1 (ko) | 2011-09-30 | 2019-05-14 | 쌩-고벵 크리스톡스 에 드테끄퇴르 | 특정한 결정학적 특징을 갖는 ⅲ-ⅴ족 기판 물질 및 제조 방법 |
TWI529964B (zh) | 2012-12-31 | 2016-04-11 | 聖戈班晶體探測器公司 | 具有薄緩衝層的iii-v族基材及其製備方法 |
JP6040947B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2016-12-07 | 信越半導体株式会社 | ワークの両頭研削方法 |
US10928179B1 (en) * | 2015-08-10 | 2021-02-23 | Pearson Incorporated | Roll adjustment system |
JP6540430B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US10766118B2 (en) * | 2015-10-26 | 2020-09-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Edge processing device for molded powder compact and edge processing method for molded powder compact |
US10807098B1 (en) | 2017-07-26 | 2020-10-20 | Pearson Incorporated | Systems and methods for step grinding |
DE102017215705A1 (de) | 2017-09-06 | 2019-03-07 | Siltronic Ag | Vorrichtung und Verfahren zum doppelseitigen Schleifen von Halbleiterscheiben |
CN107695858A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-16 | 阜宁浔朋新材料科技有限公司 | 一种单晶硅切片生产用抛光装置 |
CN108942463A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-07 | 芜湖三华包装科技有限公司 | 一种塑木板加工用打磨装置 |
CN109551306B (zh) * | 2018-11-08 | 2020-12-11 | 宝钢轧辊科技有限责任公司 | Hc六辊轧机中间辊辊身端部倒角磨削方法 |
CN109465699B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-11-13 | 李琪 | 一种家具木板加工用双面抛光机及其操作方法 |
US10757860B1 (en) | 2019-10-31 | 2020-09-01 | Hemp Processing Solutions, LLC | Stripper apparatus crop harvesting system |
US10933424B1 (en) | 2019-12-11 | 2021-03-02 | Pearson Incorporated | Grinding roll improvements |
CN111113241B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-09-14 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种抛光机 |
EP3900876B1 (de) | 2020-04-23 | 2024-05-01 | Siltronic AG | Verfahren zum schleifen einer halbleiterscheibe |
CN111390678A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-10 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种硅片打磨机及其使用方法 |
CN111604792B (zh) * | 2020-04-30 | 2021-06-22 | 东阳市洲梓环保科技有限公司 | 一种全自动异型抛光机 |
CN113478312B (zh) * | 2021-07-05 | 2022-09-20 | 东莞市粤钢不锈钢制品有限公司 | 一种不锈钢板加工用高稳定性不锈钢板材拉丝系统 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1899463A (en) * | 1930-03-26 | 1933-02-28 | Simonds Saw & Steel Co | Method of and apparatus for grinding and polishing materials |
US2536444A (en) * | 1949-03-08 | 1951-01-02 | Alfred E Hamilton | Grinding and polishing apparatus |
US2629899A (en) * | 1949-10-13 | 1953-03-03 | Gen Am Transport | Method of smoothing and shaping cellular polystyrene |
JPS6176262A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-18 | Hitachi Ltd | 研磨装置 |
JPS63272454A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム磁気デイスク基板の研削方法 |
US4934102A (en) * | 1988-10-04 | 1990-06-19 | International Business Machines Corporation | System for mechanical planarization |
JP2683940B2 (ja) * | 1989-08-09 | 1997-12-03 | 信越半導体 株式会社 | ワークの自動洗浄装置 |
-
1996
- 1996-07-24 KR KR1019960030028A patent/KR100227924B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-26 EP EP96112161A patent/EP0755751A1/en not_active Ceased
- 1996-07-26 MY MYPI96003095A patent/MY132393A/en unknown
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- 1996-08-12 TW TW085109880A patent/TW328921B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114536183A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-05-27 | 中建八局第一建设有限公司 | 一种建筑施工用废弃板材回收装置及其回收方法 |
CN114536183B (zh) * | 2022-02-28 | 2024-01-30 | 中建八局第一建设有限公司 | 一种建筑施工用废弃板材回收装置及其回收方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW328921B (en) | 1998-04-01 |
KR100227924B1 (ko) | 1999-11-01 |
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US5700179A (en) | 1997-12-23 |
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