JPH09103944A - 半導体ウエーハの製造方法、該製造方法に用いる研削方法とその装置 - Google Patents

半導体ウエーハの製造方法、該製造方法に用いる研削方法とその装置

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JPH09103944A
JPH09103944A JP8215297A JP21529796A JPH09103944A JP H09103944 A JPH09103944 A JP H09103944A JP 8215297 A JP8215297 A JP 8215297A JP 21529796 A JP21529796 A JP 21529796A JP H09103944 A JPH09103944 A JP H09103944A
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wafer
grinding
grindstone
pair
cylindrical rotary
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Application number
JP8215297A
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English (en)
Inventor
Fumihiko Hasegawa
文彦 長谷川
Makoto Kobayashi
誠 小林
Tameyoshi Hirano
爲義 平野
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
Toyo Advanced Technologies Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Toyo Advanced Technologies Co Ltd
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Publication date
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  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のウエーハ加工工程で行われていたラッ
プ工程とエッチング工程に代る研削工程を設け、加工工
程の短縮が図れるとともに、前記研削は両面同時研削で
あるために、ウエーハの保持の為のウエーハ真空吸着に
起因するスライスマークの転写や、ワックスマウント方
式のように作業が煩雑することがなく、更にはバッチ研
削でなく連続研削を行うことが容易となり、この結果加
工代のバラツキが生じることなく高精度の平坦度と安定
した厚み研削を可能とする。 【解決手段】 本発明は薄板円盤状に切断し、必要に応
じ面取りしたウェーハを、軸受により両端支持された一
対の円筒状回転砥石間を挿通させて両面同時研削により
平坦化した後、該平坦化したウェーハを片面若しくは両
面研磨して研磨ウエーハを製造することを特徴する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
製造方法、該製造方法に用いる研削方法とその装置に係
り、特に半導体材料からなるウエーハの加工工程のスラ
イス工程、面取り工程についで行なわれるラップ工程及
びエッチング工程の代りに本発明の研削工程を導入する
ことにより、ウエーハの加工工程の短縮と効率化を図っ
た半導体ウエーハの製造方法、、該製造方法に用いる研
削方法とその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI等の半導体装置を製造する際の基
盤となる半導体ウエーハ(以下、これを製造する工程中
にあるものは単にウエーハとする)は、高平坦度でかつ
無加工歪み、低研磨粗度を持つ表面が要求されている。
従来より、ウエーハの加工工程は、棒状の半導体単結晶
(シリコン等の)より厚さ約1000μm前後の円盤状
に輪切りするスライス工程と、スライスしたウエーハの
外周と外周に接する上下面の縁部の研削を行なう面取り
工程と、ついでスライス時の凹凸や結晶構造の乱れで使
用できない表面層の除去のため行なわれるラップ工程
と、このウエーハラップ加工後に、なお残存する破砕
層、及び砥粒に汚染された表層を化学的に除去するエッ
チング工程と、最後の鏡面仕上げする研磨工程の順に行
われる。なお、前記ラップ工程は、砥粒と加工液を混ぜ
たスラリをラップ定盤とウエーハとの間に入れ、加圧し
ながら相対運動をさせ砥粒の転がりで表面を平坦に仕上
げる工程である。上記加工工程を表にして纏めてみると
表1のようになる。
【0003】
【表1】
【0004】表1のラップ工程とエッチング工程に見る
ように、従来の加工代は、両面で、(50μm+20μ
m)×2=140μm になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのラッ
プ及びエッチングの両加工工程はバッチシステムで加工
を行うものであるため加工時間がかかるとともに、上記
加工代はバッチ毎にバラツキがあり、結果として半導体
ウエーハの歩留まりや品質に悪影響を与えていた。その
ため、上記ラップ及びエッチングを中心とする工程短縮
による加工時間の削減や、バッチシステムの連続化によ
ってこの加工代のバラツキを低減することが強く要望さ
れてきた。この為、前記ラップ工程とエッチング工程の
代りにウエーハの平面研削により加工工程を短縮しよう
とする試みがなされている。
【0006】しかしながら、通常ウエーハの研削に用い
られる竪型研削盤による平面研削では、その研削盤の機
能より表裏2工程に分けた研削が行なわれるが、かかる
竪型研削盤ではウエーハの保持の為に、ウエーハ吸着盤
等の真空吸着等による保持方式を使用する場合は被加工
面と反対側に位置する裏面側のスライスマークが被加工
面に転写された状態で研削加工されてしまい、好ましく
ない。この為竪型研削盤を用いた平面研削におけるウエ
ーハ保持はワックスマウント方式で行なっており、その
ために作業が煩雑となり、加工代のバラツキが生じやす
かった。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、従来のウエーハ加工工程のラップ工程とエッチング
工程に代わるウエーハ両面研削工程の導入によって工程
の短縮を図るとともに、加工代バラツキの低減、及びバ
ッチ処理システムを連続処理システムに転換することを
可能とする半導体ウエーハの製造方法、該製造方法に用
いる研削方法とその装置を提供する事を目的とする。本
発明の他の目的は、ウエーハ保持が簡単且つ確実に行な
えるとともに、前記研磨工程の前処理工程として高精度
の平坦度と安定した厚み研削を可能とするウエーハ研削
方法とその装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる目的を達
成するために、薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取り
したウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒
状回転砥石間を挿通させて両面同時研削により平坦化し
た後、該平坦化したウェーハを片面若しくは両面研磨し
て研磨ウエーハを製造することを特徴とする。かかる発
明によれば、前記ラップ工程とエッチング工程の代りに
ウエーハの平面研削を用いたために、加工工程の短縮が
図れるとともに、前記研削は両面同時研削であるため
に、ウエーハの保持の為に、ウエーハ吸着盤等の真空吸
着若しくはワックスマウント等による保持方式を使用す
る必要がなく、この結果真空吸着に起因するスライスマ
ークの転写や、ワックスマウント方式のように作業が煩
雑することがなく、更にはウエーハ保持手段が実質的に
不要であるために、バッチ研削でなく連続研削を行うこ
とが容易となり、この結果加工代のバラツキが生じるこ
となく高精度の平坦度と安定した厚み研削を可能とす
る。
【0009】尚前記した両面研削後におけるウエーハの
研磨工程は複数段階からなる機械・化学複合研磨方法が
使用され、機械的研磨が持つ力学作用とエッチングによ
る化学的除去作用を複合させ、それらの相乗効果で高精
度の鏡面を高能率に得るもので片面研磨と両面研磨のい
ずれをも採用できる。尚、前記両面同時研削方法には、
薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハ
を、軸受により両端支持された一対の円筒状回転砥石間
を挿通させて両面同時研削によりウエーハを平坦化する
わけであるが、この際前記円筒状回転砥石間を挿通させ
た場合、特にウエーハの研削量が多い場合、ウエーハを
挟んでいる円筒状回転砥石が撓んでしまう場合がある。
【0010】そこで本発明は前記一対の円筒状回転砥石
の夫々の背面側に、該円筒状回転砥石全長に亙って接触
する剛性ローラを配置し、該剛性ローラの接触圧により
ウエーハ研削時に生じる円筒状回転砥石の撓みを阻止す
る研削方法を提案している。(以下第一の研削方法とい
う) かかる発明によれば高精度の平坦度と安定した研削厚の
確保を可能とする連続両面研削が可能となる。この場合
前記ウエーハの研削方向をウエーハの送り方向と同一方
向に設定し、研削量の大きいフォワードフィード研削を
行うことも可能であり、これによりワンパス(一方向の
みの研削)で所定の研削厚を得ることが出来る。又前記
円筒状回転砥石の背面側に配した剛性ローラは円筒状回
転砥石の周速に対し周速差を持たせて回転することによ
り、該円筒状回転砥石の摺擦を行い、前記砥石のドレッ
シングやツルーイング等の砥石の研削面再生を行うこと
が出来る。
【0011】従ってかかる第1の研削方法においては、
一対の円筒状回転砥石の夫々の背面側に剛性ローラ(バ
ッキングロール)を配設することにより高剛性化が図ら
れ、また、剛性ローラを砥石の研削面修正機構として用
いることにより研削加工中でもより連続的なツルーイン
グ及びドレッシングが可能となるため、キャリヤにより
搬送されたウエーハの長時間の連続研削が可能となる。
而も、フォワードフィード研削により、高精度の両面研
削がワンパスで連続加工を行なうことができる。尚、前
記した剛性ローラを用いない研削方法を採用する事も可
能であり、この場合は、薄板円盤状に切断し、必要に応
じ面取りしたウェーハを、軸受により両端支持された一
対の円筒状回転砥石間を挿通させて両面同時研削により
ウエーハを平坦化するとともに、前記一対の円筒状回転
砥石の内、一の回転砥石を固定、他の回転砥石を一の回
転砥石側に向け離接する方向に移動可能に構成し、更に
前記ウエーハの研削方向をウエーハの送り方向と反対方
向に設定し、アゲインストフィード研削を行う研削方法
を提案する。(以下第二の研削方法という) 即ちアゲインストフィード研削の為に、研削代は少ない
が前記剛性ローラ(バッキングローラ)を用いなくても
円筒状回転砥石の研削時の撓みを防止でき、高精度の平
坦度と安定した研削厚の確保を可能とする。尚、本研削
方法の場合は砥石同士の摺擦でドレッシングやツルーイ
ング等の砥石の研削面再生を行うことが出来、例えば移
動可能な他の回転砥石を、固定された一の回転砥石の周
面に当接させた状態で、前記他の回転砥石軸線方向に移
動させながら両回転砥石の砥石の研削面再生を非研削時
に適宜タイミングで行うように構成するのが良い。
【0012】従って、第2研削方法においては、研削代
を小さく押さえたアゲインストフィード研削(砥石回転
方向がワーク移動方向と反対の研削)の高速連続両面研
削が可能となり、所定加工代を確保するためには複数回
繰り返す必要があるが、前記同様、従来のバッチシステ
ムのラップ工程とエッチング工程の2工程を両面研削の
1工程に短縮でき、また加工代(この場合は全研削代)
の低減とその均一化を図ることができ、これにより研削
効率の向上と高精度な研削が可能となる。又前記いずれ
のウェーハ研削方法においても、前記回転砥石間間隔よ
り小になる厚みを有する帯状キャリアにウエーハを嵌合
支持させた状態で、キャリアを介して前記一対の円筒状
回転砥石間にウエーハを挿通させ、両面同時研削を行う
ことにより連続自動研削を容易に行う事が出来る。尚、
前記第一の研削方法に対応する装置として、薄板円盤状
に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハを、軸受によ
り両端支持された一対の円筒状回転砥石間を挿通させて
両面同時研削によりウエーハを平坦化するウエーハ両面
同時研削装置よりなり、前記一対の円筒状回転砥石の夫
々の背面側に、該円筒状回転砥石全長に亙って接触する
剛性ローラを配置したことを特徴とするウエーハ研削装
置を提案する。この場合好ましくは前記一対の円筒状回
転砥石と該一対の円筒状回転砥石の夫々の背面側に配設
された一対の剛性ローラを同一鉛直面内に水平に設ける
のが良い。又円筒状回転砥石の回転方向をウエーハの送
り方向と同一方向に設定することにより前記したフォワ
ードフィード研削が可能となる。更に前記円筒状回転砥
石の背面側に配した剛性ローラを、円筒状回転砥石の周
速に対し周速差を持たせて回転可能に構成することによ
り剛性ローラによる砥石の研削面再生を可能とする。
【0013】又、前記第二の研削方法に対応する装置と
して、薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェ
ーハを、軸受により両端支持された一対の円筒状回転砥
石間を挿通させて両面同時研削によりウエーハを平坦化
するウエーハ両面同時研削装置よりなり、前記一対の円
筒状回転砥石の内、一の回転砥石を固定、他の回転砥石
を一の回転砥石側に向け離接する方向に移動可能に構成
するとともに、円筒状回転砥石の回転方向をウエーハの
送り方向と反対方向に設定した事を特徴とする。この場
合前記他の回転砥石を、一の回転砥石側に向け離接する
方向に移動可能に構成するとともに、該可動機構を含め
て前記他の回転砥石を、砥石軸線方向に移動可能に構成
した移動手段上に搭載させる事により、移動可能な他の
回転砥石を、固定された一の回転砥石の周面に当接させ
た状態で、前記他の回転砥石軸線方向に移動させながら
両回転砥石の砥石の研削面再生を非研削時に適宜タイミ
ングで行う事が出来る。又前記いずれの研削装置におい
ても、回転砥石間間隔より小になる厚みを有し、ウエー
ハを嵌合支持させる帯状キャリアと、前記一対の円筒状
回転砥石を挟んでその上流側と下流側に夫々配置され、
前記キャリアを回転砥石軸線と直交する方向にのみ移動
可能に位置規制されるキャリアガイドとを具えたウェー
ハ研削装置によれば連続研削が容易に行うことが出来
る。又前記いずれの装置においても前記一対の円筒状回
転砥石間の間隙を設定する間隙設定手段を、少なくとも
一の回転砥石の可動部側に設けて高精度な間隔設定が行
えるようにするのが良い。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実
施例に記載されている構成部品の寸法、形状、その相対
的位置等は特に特定的な記載がないかぎりは、この発明
の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に
すぎない。図1は、本発明の第1実施例に係る円筒状回
転砥石によるウエーハ両面研削装置を示す正面図、図2
は図1の側面図、図3は図1の両面研削装置におけるワ
ーク送り方向研削によるクリープフィード両面研削の状
況を示す作用図で、図4は図1におけるウエーハ搬送状
況を示すIVーIV視図である。図1において、ベース1上
に架設したウエーハ両面研削装置は、高剛性を持たせた
一対の円筒状の円筒状回転砥石11A、11Bを軸受1
6A、16Bによる両端支持により、同一鉛直面内に水
平に相対峙させて配設するとともに、該円筒状回転砥石
11A、11Bを駆動部18A、18Bによりそれぞれ
可変速回転できるようにしてある。又上側円筒状回転砥
石11Aの上面側(背面側)、下側円筒状回転砥石11
Bの下側(背面側)に夫々該円筒状回転砥石11A、1
1Bと同一面長のバッキングロール12A、12Bを配
設し、該バッキングロール12A、12Bを軸受15
A、15Bにより両持ち支持させる。バッキングロール
12A、12Bは超硬合金若しくは鋼、更には表面をセ
ラミック被覆した剛体で構成されている。前記軸受15
Aと16Aは夫々アーム8A、9Aの自由端側に支持さ
れ 、そして該アーム8A、9Aの他端は、左右両側に
立設する筐体の支柱2Aに、揺動自在に軸支7Aされて
いる。前記軸受15Bと16Bも同様に夫々アーム8
B、9Bの自由端側に支持され、そして該アーム8B、
9Bの他端は、左右両側に立設する筐体の支柱2A、2
Aに、揺動自在に軸支7Bされている。この結果、円筒
状回転砥石11A、11Bは、その背面側に配した同一
面長のバッキングロール12A、12Bにより軸方向に
均等圧が付勢可能に構成される。また、前記図1、図2
に見るように、円筒状回転砥石11A、11Bやバッキ
ングロール12A、12Bは両持ち支持構造を採用しつ
つ静的動的の高剛性を備えている為に、高切り込みの研
削を可能にしてある。一方、上記バッキングロール12
A、12B及び円筒状回転砥石11A、11Bの鉛直方
向の配列は、図2に見るようにその軸芯を同一鉛直線Z
ーZ上にあるようにする。一方筐体2の天板2Bには砥
石11A、11B間の間隔設定用の位置割り出し機構1
9、19が取り付けられ、その先端をバッキングロール
12Aの軸受15A上面に当接させ、バッキングロール
12Aを所定位置に位置決め固定可能に構成するととも
に、円筒状回転砥石11A、11B夫々の軸受16A、
16Bに円筒状回転砥石11A、11B間の間隔検知用
のセンサ17A、17Bを設け、位置割り出し機構1
9、19により設定された円筒状回転砥石11A、11
B間の間隔、言換えればウエーハ13の研削厚を精度よ
く検知可能に構成してある。又図3、図4に示すように
円筒状回転砥石11A、11Bの間には、その穴部に未
研磨ウエーハを嵌合支持する帯状キャリヤ14が、円筒
状回転砥石11A、11Bを挟んでその両側に夫々一対
づつ配設されたローラ状キャリアガイド20、20によ
り、円筒状回転砥石軸線と直交する方向に矢印方向に走
行可能に配設されており、ワークであるウエーハ13を
キャリヤ14を介して矢印方向に走行させる事により、
ワーク送り方向研削による高切り込みのフォワードフィ
ード研削をウエーハの表裏両面に対して同時に行いなが
ら、前記キャリヤ14に嵌合支持されたウエーハをワン
パスで連続的に研削出来る。
【0015】かくして、前記実施例によれば上記バッキ
ングロール12A、12Bが背面側より円筒状回転砥石
と同期回転しながら軸線方向に均等圧で付勢保持してい
るために、ワンパスによる高切り込みの研削を行った場
合でもその研削圧に抗して円筒状回転砥石の撓み変形が
生じる事なく、言換えればウエーハの中央部が厚肉にな
る研削が行われる事なく、極めて平坦度の高い研削が可
能となり、研削代のバラツキも従来のそれよりも削減で
きる。この結果、従来のラップ工程とエッチング工程の
2工程を短縮して、1工程の研削工程でも厚肉且つ平坦
度の高い研削を可能とする。又、本実施例によれば表裏
別々に行っていた研削加工を同時に行う事が出来るとと
もに、前記一対の円筒状回転砥石間に、ウエーハを嵌合
支持させた帯状キャリアをワンパス方向に走行させるだ
けで連続両面研削を可能とする事が出来る。尚、上記研
削に使用する砥石は、研削液の流入が促進され、且つ創
生された切り屑を研削点から研削領域外にスムースに搬
出できる空間であるチップポケツトを持つものを使用
し、研削液は不図示の研削液供給装置によって水性の低
温研削液を高圧で多量に供給できるような構成にしてあ
る。また、ワークであるウエーハ13を走行させるキャ
リヤ14の走行には、安定した切り込みが行なえるよう
剛性の高いキャリヤ14を用いた送り機構を用いるのが
よい。また、装置全体構造も対称的な機械構造とし、熱
変形による歪み発生を押さえる構造にし、振動及び熱歪
みによる研削精度の低下を防止する構成にしてある。
【0016】次に、砥石の研削面再生機構についてであ
るが、前記第1の実施例の場合は、バッキングロール1
2A、12Bが円筒状の円筒状回転砥石11A、11B
の背面側に夫々配設してあるため、前記バッキングロー
ル12A、12Bを鋼製円筒ロールとし、ブレーキ手段
6により該ロールに制動を掛けることにより円筒状回転
砥石11との周速に差を持たせ、バッキングロール12
A、12Bを円筒状回転砥石11周面を摺接するクラッ
シュロールとして作動させ、連続的にツルーイング及び
ドレッシング即ち該砥石の研削面の再生を可能とする。
なお、前記ツルーイング及びドレッシングを行う場合は
ウエーハ13の研削枚数をカウントし、所定枚数毎に非
研削時に所定時間バッキングロールをクラッシュロール
として作動させるように構成してもよく、また、一対の
円筒状の円筒状回転砥石11A、11Bを前記位置割り
出し機構19、19によりバッキングロール12A、1
2Bに適当圧で接触できるように間隙設定をし、ウエー
ハ研削間のキャリア走行時に該ロールに制動を掛けて回
転砥石11との周速に差を持たせて回転させて迅速に短
時間で砥石の研削面の再生ができるようにしてもよい。
【0017】図5にはバッキングロール12A、12B
を用いない本発明の第2実施例の構成が示してある。図
に見るように第2実施例は同一鉛直面内に上下水平に配
設された円筒状回転砥石11A、11Bよりなり、上記
円筒状回転砥石11A、11Bはその両端を軸受け16
A/16A、16B/16Bにより両持ち支持され、駆
動部18A、18Bにより適宜可変速回転できるように
してある。また、前記一対の円筒状回転砥石の上部円筒
状回転砥石11A、11Bは軸受け16A/16A、1
6B/16Bを介して筐体天板2Bより垂下する上部垂
直支柱4、4により鉛直方向に確実に位置固定されて配
設されている。又下部円筒状回転砥石11Bは、垂直方
向に移動する位置割り出し機構22A、22Bより上方
に垂設する下部垂直支柱5、5に、軸受16B、16B
を介して両持ち支持された状態で配設するとともに、位
置割り出し機構22A、22Bを砥石軸線上に沿って延
設するガイドレール21上に沿って軸線方向に移動可能
に構成されたリニアガイド21上に設置させている。更
に下部垂直支柱5、5と上部垂直支柱4、4の対峙する
端面には夫々間隙センサ17A、17Bが取り付けられ
ており、前記垂直方向の位置割り出し機構22A、22
Bにより位置制御されつつ間隙センサ17A、17Bに
より検出された制御間隔に基づいてウエーハ13の研削
間隙を精度良く確保できるようにするとともに、リニア
ガイド21により下部円筒状回転砥石11Bが軸線方向
に沿って左右に移動し、図8に示すように研削位置から
退避可能に構成してある。図6において、ウエーハ13
は前記実施例と同様にローラ状のキャリアガイド20、
20により砥石軸線方向と直交する方向に沿って走行可
能にガイドされた帯状の搬送用キャリヤ14により前記
円筒状回転砥石11A、11Bの間を矢印方向(砥石軸
線方向と直交する方向)に走行可能に構成する。この結
果、円筒状回転砥石11A、11B間にキャリア14を
介してウエーハ13を挿通しながら不図示の研削液供給
装置によって研削液を高圧で供給しながらウエーハの両
面研削を行う構成をとる。
【0018】上記図5に示す第2の実施例は、第1の実
施例に比しバッキングロールを設けてないため、円筒状
回転砥石の撓み剛性が低く研削時に大きな負荷をかける
わけにいかない。そのため、図7に示すように、ウエー
ハ13は反ワーク送り方向研削を行なうようにし、研削
代は約0.1μm〜1μmに押さえ、一方キャリヤ速度
は高速とした研削方法を取るようにしてある。また、上
記バッキングロールを持たない回転砥石の研削面再生機
構は、図8に示すように、位置割り出し機構22A、2
2Bの上昇によって一対の円筒状回転砥石11A、11
B同士を適当圧で接触できるようにした後、該円筒状回
転砥石11A、11B同士が周速差をもつように例えば
同一回転方向に回転させながら、ガイドレール21上に
沿ってリニアガイド21により下側円筒状回転砥石11
Bを左右軸船方向に矢印Cに示すストローク幅で往復摺
動させることにより、所要のツルーイング及びドレッシ
ングを短時間に高速で行う事が出来る。上記砥石の研削
面再生は、ウエーハの研削を複数回行なうごとにするの
が好ましい。
【0019】
【発明の効果】かかる発明によれば、図1〜図4に示す
第1の実施例の場合は、連続砥石再生も可能で、ワーク
送り方向研削による高切り込みのフォワードフィード研
削による研削が可能となり、且つウエーハの両面に対し
て同時に研削も可能となり、高精度の平坦度をその表裏
に持ち、厚みバラツキのない品質の安定したウエーハを
得ることができる。即ち、ワンパスで従来のラップ工程
とエッチング上程の2工程を短縮して、短縮1工程とす
るとともに、表裏別々の加工を一時に行なう連続両面研
削が可能となり、加工効率ならびに連続研削による製品
バラツキを小さく押さえ歩留まり向上にも絶大な寄与を
することができる。また、加工代の低減による材料面か
らの歩留まり向上に大きく寄与できる。図5〜図8に示
す第2の実施例の場合は、切り込み深さの浅い反ワーク
送り方向研削による連続両面研削が可能となり、前記同
様工程の短縮、加工代の低減等の効果を持つことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る円筒状回転砥石によ
るウエーハ両面研削装置を示す正面図である。
【図2】図1の側面図である。
【図3】図1の両面研削装置における研削を形成するワ
ーク送り方向研削によるクリープフィード両面研削の状
況を示す作用図である。
【図4】図1におけるウエーハ搬送状況を示すIVーIV線
断面図である。
【図5】本発明の第2実施例に係る円筒状回転砥石によ
るウエーハ両面研削装置を示す正面図である。
【図6】図5におけるウエーハ搬送状況を示すVIーVI線
断面図である。
【図7】図5の両面研削装置における反ワーク送り方向
研削による両面研削の状況を示す模式図である。
【図8】図5の両面研削装置における砥石の研削面再生
機構の概要を示す図である。
【符号の説明】
11 円筒状回転砥石 12 バッキングロール 13 ウエーハ 14 キャリヤ 17 センサ 19、22 位置割り出し機構 20 キャリヤガイド 21 リニヤガイド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 誠 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 平野 爲義 広島県広島市南区宇品東5丁目3番38号 ト−ヨ−エイテック株式会社内

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取り
    したウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒
    状回転砥石間を挿通させて両面同時研削により平坦化し
    た後、該平坦化したウェーハを片面若しくは両面研磨し
    て研磨ウエーハを製造することを特徴とする半導体ウェ
    ーハ製造方法。
  2. 【請求項2】 薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取り
    したウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒
    状回転砥石間を挿通させて両面同時研削によりウエーハ
    を平坦化するとともに、前記一対の円筒状回転砥石の夫
    々の背面側に、該円筒状回転砥石全長に亙って接触する
    剛性ローラを配置し、該剛性ローラの接触圧によりウエ
    ーハ研削時に生じる円筒状回転砥石の撓みを阻止するこ
    とを特徴とするウェーハ研削方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のウェーハ研削方法におい
    て 前記ウエーハの研削方向をウエーハの送り方向と同一方
    向に設定し、フォワードフィード研削を行うことを特徴
    とするウェーハ研削方法。
  4. 【請求項4】 請求項2記載のウェーハ研削方法におい
    て、 前記円筒状回転砥石の背面側に配した剛性ローラを、円
    筒状回転砥石の周速に対し周速差を持たせて回転するこ
    とにより、該円筒状回転砥石の研削面再生を行うことを
    特徴とするウェーハ研削方法。
  5. 【請求項5】 前記回転砥石間間隔より小になる厚みを
    有する帯状キャリアにウエーハを嵌合支持させた状態
    で、キャリアを介して前記一対の円筒状回転砥石間にウ
    エーハを挿通させ、両面同時研削を行うことを特徴とす
    る請求項2記載のウェーハ研削方法。
  6. 【請求項6】 薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取り
    したウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒
    状回転砥石間を挿通させて両面同時研削によりウエーハ
    を平坦化するとともに、前記一対の円筒状回転砥石の
    内、一の回転砥石を固定、他の回転砥石を一の回転砥石
    側に向け離接する方向に可動可能に構成し、更に前記ウ
    エーハの研削方向をウエーハの送り方向と反対方向に設
    定し、アゲインストフィード研削を行うことを事を特徴
    とするウェーハ研削方法。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のウェーハ研削方法におい
    て 可動可能な他の回転砥石を、固定された一の回転砥石の
    周面に当接させるとともに、 前記他の回転砥石軸線方向に移動させながら両回転砥石
    の研削面再生を非研削時に適宜タイミングで行うことを
    特徴とするウェーハ研削方法。
  8. 【請求項8】 前記回転砥石間間隔より小になる厚みを
    有する帯状キャリアにウエーハを嵌合支持させた状態
    で、キャリアを介して前記一対の円筒状回転砥石間にウ
    エーハを挿通させ、両面同時研削を行うことを特徴とす
    る請求項6記載のウェーハ研削方法。
  9. 【請求項9】 薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取り
    したウェーハを、軸受により両端支持された一対の円筒
    状回転砥石間を挿通させて両面同時研削によりウエーハ
    を平坦化するウエーハ両面同時研削装置よりなり、前記
    一対の円筒状回転砥石の夫々の背面側に、該円筒状回転
    砥石全長に亙って接触する剛性ローラを配置したことを
    特徴とするウエーハ研削装置。
  10. 【請求項10】 円筒状回転砥石の回転方向をウエーハ
    の送り方向と同一方向に設定したことを特徴とする請求
    項9記載のウェーハ研削装置。
  11. 【請求項11】 前記一対の円筒状回転砥石と該一対の
    円筒状回転砥石の夫々の背面側に配設された一対の剛性
    ローラを同一鉛直面内に水平に設けた事を特徴とする請
    求項9記載のウェーハ研削装置。
  12. 【請求項12】 前記円筒状回転砥石の背面側に配した
    剛性ローラを、円筒状回転砥石の周速に対し周速差を持
    たせて回転可能に構成したことを特徴とする請求項9記
    載のウェーハ研削装置。
  13. 【請求項13】 前記回転砥石間間隔より小になる厚み
    を有し、ウエーハを嵌合支持させる帯状キャリアと、前
    記一対の円筒状回転砥石を挟んでその上流側と下流側に
    夫々配置され、前記キャリアを回転砥石軸線と直交する
    方向にのみ移動可能に位置規制されるキャリアガイドと
    を具えたことを特徴とする請求項9記載のウェーハ研削
    装置。
  14. 【請求項14】 薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取
    りしたウェーハを、軸受により両端支持された一対の円
    筒状回転砥石間を挿通させて両面同時研削によりウエー
    ハを平坦化するウエーハ両面同時研削装置よりなり、前
    記一対の円筒状回転砥石の内、一の回転砥石を固定、他
    の回転砥石を一の回転砥石側に向け離接する方向に可動
    可能に構成するとともに、円筒状回転砥石の回転方向を
    ウエーハの送り方向と反対方向に設定した事を特徴とす
    るウェーハ研削装置。
  15. 【請求項15】 前記他の回転砥石を、一の回転砥石側
    に向け離接する方向に可動可能に構成するとともに、該
    可動機構を含めて前記他の回転砥石を、砥石軸線方向に
    移動可能に構成した移動手段上に搭載させたことを特徴
    とする請求項14記載のウェーハ研削装置。
  16. 【請求項16】 前記回転砥石間間隔より小になる厚み
    を有し、ウエーハを嵌合支持させる帯状キャリアと、前
    記一対の円筒状回転砥石を挟んでその上流側と下流側に
    夫々配置され、前記キャリアを回転砥石軸線と直交する
    方向にのみ移動可能に位置規制されるキャリアガイドと
    を具えたことを特徴とする請求項14記載のウェーハ研
    削装置。
  17. 【請求項17】 前記一対の円筒状回転砥石間の間隙を
    設定する間隙設定手段を、少なくとも一の回転砥石の可
    動部側に設けたことを特徴とする請求項14記載のウエ
    ーハ研削装置。
JP8215297A 1995-07-28 1996-07-26 半導体ウエーハの製造方法、該製造方法に用いる研削方法とその装置 Pending JPH09103944A (ja)

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JP7-212506 1995-07-28
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6214704B1 (en) 1998-12-16 2001-04-10 Memc Electronic Materials, Inc. Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
US6294469B1 (en) 1999-05-21 2001-09-25 Plasmasil, Llc Silicon wafering process flow

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US6214704B1 (en) 1998-12-16 2001-04-10 Memc Electronic Materials, Inc. Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
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