EP3900876B1 - Verfahren zum schleifen einer halbleiterscheibe - Google Patents

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EP3900876B1
EP3900876B1 EP20170996.1A EP20170996A EP3900876B1 EP 3900876 B1 EP3900876 B1 EP 3900876B1 EP 20170996 A EP20170996 A EP 20170996A EP 3900876 B1 EP3900876 B1 EP 3900876B1
Authority
EP
European Patent Office
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grinding
semiconductor wafer
rinsing liquid
amount
semiconductor
Prior art date
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EP20170996.1A
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English (en)
French (fr)
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Michael Kerstan
Stephan Oberhans
Robert Weiss
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Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
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Publication date
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Priority to PCT/EP2021/059415 priority patent/WO2021213827A1/de
Priority to CN202180030327.1A priority patent/CN115427194A/zh
Priority to US17/919,540 priority patent/US20230162969A1/en
Priority to JP2022564387A priority patent/JP2023523939A/ja
Priority to TW110114455A priority patent/TWI819296B/zh
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Definitions

  • the present invention relates to a method for grinding a wafer made of semiconductor material.
  • the invention is based on the optimal distribution of a liquid in the vicinity of the grinding tool for simultaneously removing material from both sides of a semiconductor wafer.
  • semiconductor wafers For electronics, microelectronics and micro-electromechanics, semiconductor wafers (substrates) with extreme requirements for global and local flatness, one-sided local flatness (nanotopology), roughness and cleanliness are required as starting materials.
  • Semiconductor wafers are wafers made of semiconductor materials, in particular compound semiconductors such as gallium arsenide or elemental semiconductors such as silicon and germanium.
  • the mechanical processing of the semiconductor wafer serves to remove sawing waviness, to remove surface layers that have been damaged by the rougher sawing processes or contaminated by the saw wire, and above all to level the semiconductor wafers overall.
  • the mechanical processing of the semiconductor wafer also serves to produce a uniform thickness distribution, ie the wafer has a uniform thickness.
  • Lapping and surface grinding are known methods for mechanical processing of semiconductor wafers.
  • double-sided lapping of several semiconductor wafers simultaneously has been known for a long time and is used, for example, in EP547894A1 described.
  • the semiconductor wafers are moved under a certain pressure between an upper and a lower working disk, the lapping disk, which is usually made of steel and has channels for better distribution of the suspension, while a suspension containing abrasive material is fed in, thereby causing material removal.
  • the semiconductor wafer is guided through a carrier disk with recesses for holding the semiconductor wafers during lapping, with the semiconductor wafer being held on a geometric path by the carrier disk, which is set in rotation by means of drive rings.
  • the semiconductor wafer In single-side grinding, the semiconductor wafer is held on the back on a base ("chuck") and the front is leveled by a cup grinding wheel while the base and grinding wheel rotate and the axial or radial feed is slow.
  • Methods and devices for single-side surface grinding of a semiconductor wafer are known, for example, from US 2008 021 40 94 A1 or from EP 0 955 126 A2 known.
  • simultaneous double-disc grinding the semiconductor wafer is machined on both sides while floating freely between two grinding wheels mounted on opposite collinear spindles. It is guided axially between a water cushion (hydrostatic principle) or air cushion (aerostatic principle) acting on the front and back, largely free of constraining forces, and is prevented from floating away radially by a surrounding thin guide ring or individual radial spokes.
  • a water cushion hydrostatic principle
  • air cushion aserostatic principle
  • Methods and devices for simultaneous double-sided surface grinding of a semiconductor wafer are known, for example, from EP 0 755 751 A1 , EP 0 971 398 A1 , EN 10 2004 011 996 A1 as well as EN 10 2006 032 455 A1 known.
  • the font EN 10 2007 030 958 A1 teaches a method for grinding semiconductor wafers, in which the semiconductor wafers are machined on one or both sides using at least one grinding tool, with the addition of a coolant, to remove material.
  • a coolant to remove material.
  • the coolant flow is reduced as the grinding tooth height decreases, since an unchanged high coolant flow would otherwise inevitably lead to aquaplaning effects.
  • the invention in writing EN 10 2017 215 705 A1 is based on the optimal distribution of a liquid in a grinding tool for simultaneously removing material from both sides of a semiconductor wafer, which is achieved by an optimized centrifuge plate. It is taught that an uneven distribution of the liquid has an adverse effect on the grinding result.
  • the object of the present invention is to provide a method which does not exhibit the disadvantages mentioned above.
  • the object is achieved by a method for grinding a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is machined to remove material by means of a grinding tool containing grinding teeth with a height h while supplying a cooling medium into a contact region between the semiconductor wafer and the grinding tool, characterized in that at each time of grinding a rinsing liquid is applied to an area on one side of the semiconductor wafer by means of a nozzle.
  • both sides of the semiconductor wafer are machined to remove material and a rinsing liquid is applied to an area on both sides of the semiconductor wafer.
  • the amount of coolant per unit of time is reduced as the height h of the grinding teeth of the grinding tool decreases. It is advantageous if the sum of the amount of coolant per unit of time and the amount of rinsing liquid per unit of time remains constant during grinding.
  • the overpressure of the rinsing liquid measured at the nozzle used is preferably not less than 0.1 bar and particularly preferably not more than 0.5 bar. It is preferable to ensure that the amount of rinsing liquid per unit time is not less than 0.1 l/min and not more than 1 l/min.
  • the liquid is applied in an area with a distance of no less than 2 mm, preferably 4 mm, and no greater than 10 mm, preferably no greater than 6 mm, from the center of the semiconductor wafer.
  • the nozzle used preferably has an area not larger than 1.5 mm 2 and not smaller than 0.1 mm 2 .
  • the amount of rinsing liquid per time remains constant during the entire grinding process.
  • Figure 1 shows the result of two series of tests regarding geometry in the center of semiconductor wafers.
  • the ordinate shows the deviation of the geometry (G) from an ideal geometry in the center area of the semiconductor wafers.
  • the semiconductor wafers of group B show on average a greater deviation from the desired geometry than the semiconductor wafers of group A (according to the invention). It is also noticeable that the statistical distribution of the measured deviations for the method according to the invention (group A) causes a narrower distribution than for the semiconductor wafers that were processed according to the state of the art (group B).
  • the semiconductor wafers of both groups A and B were ground on a Koyo DSGX320 grinding machine.
  • the grinding machine was equipped with a commercially available grinding tool ("Grind Wheel”) from ALMT, type #3000-OVH.
  • the semiconductor wafers of group B were ground according to state-of-the-art technology.
  • the amount of grinding water is determined depending on the tooth height (according to EN 10 2007 030 958 A1 ) is fed into the process in a controlled manner. This ensures that the tool does not float on the wafer to be processed, similar to aquaplaning, if too much grinding water is pressed out from the inside of the tool during the process, or that the wafer to be processed does not overheat, similar to grinding burn, and the grinding wheel fails if too little grinding water is available during the process.
  • the semiconductor wafers of group A were ground using a process in which a rinsing liquid is added during the grinding process in addition to the cooling medium used to cool the semiconductor wafer during grinding. Care was taken to ensure that the rinsing liquid had a significant flow at all times.
  • a significant flow is defined as a flow of 0.01 l/min.
  • Water was preferably used as the rinsing liquid, but it is also conceivable that additional additives were used.
  • the rinsing medium is directed essentially at an area around the center of the semiconductor wafer. It is in accordance with the invention if, during grinding, the area has a distance of not less than 2 mm, preferably 4 mm and not greater than 10 mm, preferably not greater than 6 mm, from the center of the semiconductor wafer.
  • the inventors have recognized that the use of a nozzle with a minimum nozzle cross-section between 0.1 mm 2 and 1.5 mm 2 has a particularly beneficial effect on the effect.
  • a set overpressure at the nozzle between 0.1 bar and 0.5 bar has a particularly positive effect.
  • the two groups of semiconductor wafers "A" and “B” were measured after grinding with regard to the geometry achieved.
  • the respective deviation of the measured geometry in the center of the semiconductor wafer was compared with an ideal geometry and the difference was given as a measurement number.
  • Figure 1 shows the comparison of the semiconductor wafers of group A (according to the invention) and the semiconductor wafers of group B (state of the art).
  • the semiconductor wafers of group B (prior art) have on average a greater deviation from the desired geometry than the semiconductor wafers of group A (according to the invention).
  • the method according to the invention therefore improves the geometry in the center of the semiconductor wafers compared to the method according to the prior art.
  • group A causes a narrower distribution than for the semiconductor wafers that were processed according to the prior art (group B).
  • group B the method according to the invention also offers additional advantages with regard to the statistical distribution of the geometry values in the center of the semiconductor wafers.
  • the inventors were surprised that a relatively small amount of rinsing fluid, which is not applied to the direct area of action of the grinding wheels, has a great effect in improving the geometry.

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Description

  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Schleifen einer Scheibe aus Halbleitermaterial. Die Erfindung basiert auf der optimalen Verteilung einer Flüssigkeit im Umfeld des Schleifwerkzeugs zur gleichzeitig beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe.
  • Für Elektronik, Mikroelektronik und Mikro-Elektromechanik werden als Ausgangsmaterialien Halbleiterscheiben (Substrate) mit extremen Anforderungen an globale und lokale Ebenheit, einseiten-bezogene lokale Ebenheit (Nanotopologie), Rauigkeit und Sauberkeit benötigt. Halbleiterscheiben sind Scheiben aus Halbleitermaterialien, insbesondere Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid oder Elementhalbleiter wie Silicium und Germanium.
  • Gemäß dem Stand der Technik werden Halbleiterscheiben in einer Vielzahl von aufeinander folgenden Prozessschritten hergestellt. Im Allgemeinen wird folgende Herstellungssequenz benutzt:
    • Herstellen eines einkristallinen Halbleiterstabs (Kristallzucht),
    • Zerteilen des Halbleiterstabs in einzelne Stabstücke,
    • Auftrennen des Stabs in einzelne Scheiben (Innenloch- oder Drahtsägen),
    • mechanische Bearbeitung der Scheiben (Läppen, Schleifen),
    • chemische Bearbeitung der Scheiben (alkalische oder saure Ätze),
    • chemo-mechanische Bearbeitung der Scheiben (Politur),
    • optional weitere Beschichtungsschritte (z.B. Epitaxie, Temperaturbehandlung)
  • Die mechanische Bearbeitung der Halbleiterscheibe dient der Entfernung von Sägewelligkeiten, dem Abtrag der durch die raueren Sägeprozesse kristallin geschädigten oder vom Sägedraht kontaminierten Oberflächenschichten und vor allem der globalen Einebnung der Halbleiterscheiben. Ferner dient die mechanische Bearbeitung der Halbleiterscheibe der Herstellung einer gleichmäßigen Dickenverteilung, d.h. dass die Scheibe eine gleichmäßige Dicke hat.
  • Als Verfahren zur mechanischen Bearbeitung der Halbleiterscheiben sind das Läppen sowie das Oberflächen-Schleifen (einseitig, doppelseitig) bekannt.
  • Die Technik des doppelseitigen Läppens von gleichzeitig mehreren Halbleiterscheiben ist seit langem bekannt und beispielsweise in der EP 547894 A1 beschrieben. Beim doppelseitigen Läppen werden die Halbleiterscheiben unter Zuführung eines Abrasivstoffes enthaltenden Suspension zwischen einer oberen und einer unteren Arbeitsscheibe, der meist aus Stahl bestehenden und mit Kanälen zur besseren Verteilung der Suspension versehenen Läppscheibe, unter einem gewissen Druck bewegt und dadurch ein Materialabtrag bewirkt. Die Halbleiterscheibe wird durch eine Läuferscheibe ("carrier") mit Aussparungen zur Aufnahme der Halbleiterscheiben während des Läppens geführt, wobei die Halbleiterscheibe durch die mittels Antriebskränze in Rotation versetzte Läuferscheibe auf einer geometrischen Bahn gehalten wird.
  • Beim Einseitenschleifen wird die Halbleiterscheibe rückseitig auf einer Unterlage ("chuck") gehalten und vorderseitig von einer Topfschleifscheibe unter Drehung von Unterlage und Schleifscheibe und langsamer axialer bzw. radialer Zustellung eingeebnet. Verfahren und Vorrichtungen zum einseitigen Oberflächenschleifen einer Halbleiterscheibe sind beispielsweise aus der US 2008 021 40 94 A1 oder aus EP 0 955 126 A2 bekannt.
  • Beim simultanen Doppelseitenschleifen ("(simultaneous)-double-disc grinding", sDDG) wird die Halbleiterscheibe frei schwimmend zwischen zwei, auf gegenüberliegenden kollinearen Spindeln montierten Schleifscheiben gleichzeitig beidseitig bearbeitet und dabei weitgehend frei von Zwangskräften axial zwischen einem vorder- und rückseitig wirkenden Wasser- (hydrostatisches Prinzip) oder Luftkissen (aerostatisches Prinzip) geführt und radial lose von einem umgebenden dünnen Führungsring oder von einzelnen radialen Speichen am Davonschwimmen gehindert. Verfahren und Vorrichtungen zum simultanen doppelseitigen Oberflächenschleifen einer Halbleiterscheibe sind beispielsweise aus EP 0 755 751 A1 , EP 0 971 398 A1 , DE 10 2004 011 996 A1 sowie DE 10 2006 032 455 A1 bekannt.
  • Allerdings verursacht das doppelseitige Schleifen von Halbleiterscheiben (DDG) kinematisch bedingt grundsätzlich einen höheren Materialabtrag im Zentrum der Halbleiterscheibe ("Schleifnabel"). Um nach dem Schleifen eine Halbleiterscheibe mit möglichst guter Geometrie zu erhalten, ist es notwendig, dass die beiden Schleifspindeln, auf denen die Schleifscheiben montiert werden, exakt kollinear ausgerichtet sind, da radial und oder axiale Abweichungen einen negativen Einfluss auf die Form und Nanotopologie der geschliffenen Scheibe haben. Die deutsche Anmeldung DE 10 2007 049 810 A1 lehrt beispielsweise ein Verfahren zur Korrektur der Schleifspindelposition in Doppelseitenschleifmaschinen.
  • Bei den Schleifprozessen - dies betrifft sowohl einseitige als auch beidseitige Schleifverfahren, ist eine Kühlung des Schleifwerkzeuges und/oder der bearbeiteten Halbleiterscheibe erforderlich. Als Kühlmittel wird üblicherweise Wasser bzw. deionisiertes Wasser verwendet. Bei den Doppelseitenschleifmaschinen tritt das Kühlmittel üblicherweise aus dem Zentrum des Schleifwerkzeugs aus und wird mittels Zentrifugalkraft zu den Schleifzähnen, die kreisförmig am Außenrand der Schleifscheibe angeordnet sind, transportiert bzw. geschleudert. Der Kühlmitteldurchsatz, also die Menge an Kühlmittel, die innerhalb einer definierten Zeit austritt, kann elektronisch oder mechanisch geregelt werden.
  • Die Schrift DE 10 2007 030 958 A1 lehrt ein Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben, bei dem die Halbleiterscheiben einseitig oder beidseitig mittels wenigstens eines Schleifwerkzeugs, unter Zuführung eines Kühlmittels Material abtragend bearbeitet werden. Um eine konstante Kühlung während des Schleifens zu gewährleisten, wird der Kühlmittelfluss mit abnehmender Schleifzahnhöhe reduziert, da ein unverändert hoher Kühlmittelfluss andernfalls unvermeidlich zu Aquaplaning-Effekten führen würde.
  • Die Erfindung in der Schrift DE 10 2017 215 705 A1 basiert auf der optimalen Verteilung einer Flüssigkeit in einem Schleifwerkzeug zur gleichzeitig beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe, die durch eine optimierte Schleuderplatte erzielt wird. Dabei wird gelehrt, dass sich eine ungleiche Verteilung der Flüssigkeit ungünstig auf das Schleifergebnis auswirkt.
  • Die Patentschrift US 2019/134782 A1 zeigt bestimmte Ausprägungen von Schleifscheiben, die für das Doppelseitenschleifen verwendung finden können. Ferner wird die Verwendung von Wasser gelehrt, das mittels einer Düse auf die Halbleiterscheibe gebracht wird.
  • Die Patentschrift DE 10 2007 030958 A1 lehrt ein Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben, bei dem die Schleifwassermenge in Abhängigkeit der Zahnhöhe dem Prozess zugeführt wird.
    • Problembeschreibung
  • Alle genannten Schriften des Standes der Technik ist der Nachteil gemein, dass der Materialabtrag im Zentrum der Halbleiterscheiben höher ist als am Rand. Dadurch verschlechtern sich die Geometrieparameter der Halbleiterscheibe in diesem Bearbeitungsschritt. Diese Abweichung kann in den darauffolgenden Bearbeitungsschritten nicht oder nur ungenügend korrigiert werden.
    • Beschreibung der Aufgabe
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, das die eben genannten Nachteile nicht zeigt.
    • Beschreibung der Lösung der Aufgabe
  • Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe, wobei die Halbleiterscheibe mittels eines Schleifwerkzeugs enthaltend Schleifzähne mit einer Höhe h unter Zuführung eines Kühlmediums in einen Kontaktbereich zwischen Halbleiterscheibe und dem Schleifwerkzeug Material abtragend bearbeitet werden, dadurch gekennzeichnet, dass zu jedem Zeitpunkt des Schleifens eine Spülflüssigkeit auf einen Bereich auf einer Seite der Halbleiterscheibe mittels einer Düse aufgebracht wird.
  • Es hat sich besonders vorteilhaft erwiesen, wenn gekennzeichnet beide Seiten der Halbleiterscheibe materialabtragend bearbeitet werden und eine Spülflüssigkeit auf einen Bereich auf beiden Seiten der Halbleiterscheibe aufgebracht wird.
  • Besonders bevorzugt ist dabei, wenn die Menge des Kühlmittels pro Zeit mit abnehmender Höhe h der Schleifzähne des Schleifwerkzeugs reduziert wird. Vorteilhaft ist es, wenn die Summe aus der Menge des Kühlmittels pro Zeit und der Menge der Spülflüssigkeit pro Zeit während des Schleifens konstant bleibt.
  • Der Überdruck der Spülflüssigkeit gemessen an der verwendeten Düse beträgt bevorzugt nicht weniger als 0,1 bar und besonders bevorzugt nicht mehr als 0,5 bar. Bevorzugt ist darauf zu achten, dass die Menge der Spülflüssigkeit pro Zeit nicht weniger als 0,1 l/min und nicht mehr als 1 l/min beträgt.
  • Besonderes Augenmerk gilt darauf zu richten, auf welchen Bereich auf der Halbleiterscheibe der Fluss der Spülflüssigkeit während des Schleifens gerichtet ist. Das Auftragen erfolgt in einem Bereich mit einem Abstand nicht kleiner als 2 mm, bevorzugt 4 mm und nicht größer als 10 mm, bevorzugt nicht größer als 6 mm zum Zentrum der Halbleiterscheibe.
  • Die verwendete Düse hat dabei bevorzugt eine Fläche nicht größer ist als 1,5 mm2. und nicht kleiner als 0,1 mm2.
  • Besonders bevorzugt ist, dass die Menge der Spülflüssigkeit pro Zeit während des gesamten Prozesses des Schleifens konstant bleibt.
    • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Figur 1 zeigt das Ergebnis zweier Versuchsreihen bezüglich Geometrie im Zentrum von Halbleiterscheiben. Die Ordinate zeigt dabei die Abweichung der Geometrie (G) von einer Idealgeometrie im Zentrumsbereich der Halbleiterscheiben.
  • Die Halbleiterscheiben der Gruppe B (Stand der Technik) zeigen hierbei im Mittel eine größere Abweichung von der gewünschten Geometrie als die Halbleiterscheiben der Gruppe A (erfindungsgemäß). Es fällt außerdem auf, dass die statistische Verteilung der gemessenen Abweichungen für das erfindungsgemäße Verfahren (Gruppe A) eine schmalere Verteilung verursacht als bei den als bei den Halbleiterscheiben, die nach dem Stand der Technik prozessiert wurden (Gruppe B).
    • Detaillierte Beschreibung erfindungsgemäßer Ausführungsbeispiele
  • Ein Kristallstück mit einem Nenndurchmesser von 300 mm aus Silicium gewonnen aus einem Kristallstab, der mit der Czochralski Methode gezogen wurde, wurde mittels einer Drahtsäge in Halbleiterscheiben geschnitten. Die so erhaltenen Halbleiterscheiben wurden in zwei Gruppen "A" und "B" unterteilt, wobei jede zweite Halbleiterscheibe in Gruppe A zugeordnet und die restlichen Halbleiterscheiben in Gruppe "B" zugeordnet wurden.
  • Auf einer Schleifanlage vom Typ Koyo DSGX320 wurden die Halbleiterscheiben beider Gruppen A und B geschliffen. Die Schleifanlage war dabei bestückt mit einem kommerziell erhältlichen Schleifwerkzeug ("Grind Wheel") der Firma ALMT, Typ #3000-OVH.
  • Die Halbleiterscheiben der Gruppe B wurden dabei nach Stand der Technik geschliffen.
  • Gemäß dem Stand der Technik wird die Schleifwassermenge zahnhöhenabhängig (gemäß DE 10 2007 030 958 A1 ) geregelt dem Prozess zugeführt. Hierdurch wird sichergestellt, dass es weder zu einem Aquaplaning gleichen Aufschwimmen des Werkzeugs auf dem zu bearbeitenden Wafer kommt, wenn im Prozess zu viel Schleifwasser auf dem Weg vom Werkzeuginneren nach außen gepresst wird, bzw. es zu einer Schleifbrand gleichen Überhitzung des zu bearbeitenden Wafers sowie zu Versagen der Schleifscheibe kommt, wenn zu wenig Schleifwasser im Prozess zur Verfügung steht.
  • Die Halbleiterscheiben der Gruppe A wurden hingegen mit einem Verfahren geschliffen, bei dem während des Schleifvorganges zusätzlich zum Kühlmedium, das während des Schleifens verwendet wird, um den Halbleiterwafer zu kühlen, eine Spülflüssigkeit hinzugefügt wird. Dabei wurde darauf geachtet, dass die Spülflüssigkeit zu jedem Zeitpunkt einen nennenswerten Fluss aufweist.
  • Als nennenswerter Fluss ist dabei ein Fluss von 0,01 l/min zu verstehen.
  • Für die Spülflüssigkeit wurde bevorzugt Wasser verwendet, es ist aber auch denkbar, dass zusätzlich Additive verwendet werden.
  • Durch diese Zugabe eines Spülmediums hat sich gezeigt, dass die Geometrie im Zentrum des Wafers sich erheblich verbessert. Wird jedoch der Fluss des Spülmediums während des Schleifvorganges unterbrochen, verschlechtert sich auch die Geometrie der Halbleiterscheibe im Zentrum wieder.
  • Erfindungsgemäß ist es, wenn das Spülmedium im Wesentlichen auf einen Bereich um das Zentrum der Halbleiterscheibe gerichtet ist. Erfindungsgemäß ist es, wenn während des Schleifens der Bereich einen Abstand nicht kleiner als 2 mm, bevorzugt 4 mm und nicht größer als 10 mm, bevorzugt nicht größer als 6 mm zum Zentrum der Halbleiterscheibe hat.
  • Ganz besonders gut scheint der Effekt zu sein, wenn der Fluss des Spülmediums mehr als 0,1 l/min und nicht mehr als 1 l/m in beträgt.
  • Die Erfinder haben erkannt, dass die Verwendung einer Düse mit einem minimalen Düsenquerschnitt zwischen 0,1 mm2 und 1,5 mm2 sich besonders vorteilhaft auf den Effekt auswirkt.
  • Die Erfinder haben ferner erkannt, dass offenbar auch der eingestellte Druck eine Rolle bei der Verbesserung spielt. So wirkt sich ein eingestellter Überdrück an der Düse zwischen 0,1 bar und 0,5 bar besonders positiv aus.
  • Die beiden Gruppen von Halbleiterscheiben "A" und "B" wurden nach dem Schleifen bezüglich der erreichten Geometrie vermessen. Dabei wurde die jeweilige Abweichung der gemessenen Geometrie im Zentrum der Halbleiterscheibe mit einer idealen Geometrie verglichen und der Unterschied als eine Maßzahl angegeben.
  • Figur 1 zeigt den Vergleich der Halbleiterscheiben der Gruppe A (erfindungsgemäß) und der Halbleiterscheiben der Gruppe B (Stand der Technik).
  • Die Halbleiterscheiben der Gruppe B (Stand der Technik) weisen hierbei im Mittel eine größere Abweichung von der gewünschten Geometrie als die Halbleiterscheiben der Gruppe A (erfindungsgemäß) auf. Das erfindungsgemäße Verfahren verbessert also die Geometrie im Zentrum der Halbleiterscheiben im Vergleich zum Verfahren nach dem Stand der Technik.
  • Zudem fällt auf, dass die statistische Verteilung der gemessenen Abweichungen für das erfindungsgemäßen Verfahren (Gruppe A) eine schmalere Verteilung verursacht als bei den Halbleiterscheiben, die nach dem Stand der Technik prozessiert wurden (Gruppe B). Das heißt, dass das erfindungsgemäße Verfahren auch noch zusätzliche Vorteile bezüglich der statistischen Verteilung der Geometriewerte im Zentrum der Halbleiterscheiben bietet.
  • Die Erfinder waren überrascht davon, dass eine verhältnismäßig kleine Menge an Spülflüssigkeit, die nicht in den direkten Wirkbereich der Schleifscheiben aufgebracht wird, eine große Wirkung in der Verbesserung der Geometrie erzielt.
  • Über die entsprechenden Zusammenhänge und Ursachen lässt sich bis jetzt spekulieren, offenkundig sind sie den Erfindern nicht.

Claims (10)

  1. Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe,
    wobei die Halbleiterscheibe mittels eines Schleifwerkzeugs enthaltend Schleifzähne mit einer Höhe h unter Zuführung eines Kühlmediums in einen Kontaktbereich zwischen Halbleiterscheibe und dem Schleifwerkzeug Material abtragend bearbeitet werden, wobei zu jedem Zeitpunkt des Schleifens eine Spülflüssigkeit auf einen Bereich auf einer Seite der Halbleiterscheibe mittels einer Düse aufgebracht wird,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    der Bereich einen Abstand nicht kleiner als 2 mm und nicht größer als 10 mm zum Zentrum der Halbleiterscheibe hat.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass gleichzeitig beide Seiten der Halbleiterscheibe materialabtragend bearbeitet werden und eine Spülflüssigkeit auf einen Bereich auf beiden Seiten der Halbleiterscheibe aufgebracht wird.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    die Menge des Kühlmittels pro Zeit mit abnehmender Höhe h reduziert wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    die Summe aus der Menge des Kühlmittels pro Zeit und der Menge der Spülflüssigkeit pro Zeit konstant bleibt.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    der Überdruck der Spülflüssigkeit gemessen an der Düse nicht weniger als 0,1 bar beträgt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    der Überdruck der Spülflüssigkeit gemessen an der Düse nicht mehr als 1,0 bar beträgt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    die Menge der Spülflüssigkeit pro Zeit nicht weniger als 0,01 l/min und nicht mehr als 1 l/min beträgt.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
    der Bereich einen Abstand nicht kleiner als 4 mm und nicht größer als 6 mm zum Zentrum der Halbleiterscheibe hat.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Fläche einer Düse nicht größer ist als 1,5 mm2 und nicht kleiner als 0,1 mm2.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Menge der Spülflüssigkeit pro Zeit während des Schleifens konstant bleibt.
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