JP4386897B2 - キャリアヘッド - Google Patents
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Description
本発明は、半導体処理の分野に関する。特に本発明は、一様性の高いまたコストが低減された、基板を化学機械研磨するための方法及び装置に関する。本発明は、基板上の異なった場所から材料を除去する速さの一様性を改善するための装置を提供し、それによって最終的に基板から回収される有用なダイの数を増す。更に、本発明は単一の研摩パッド上で多基板を同時に研摩する為の装置と方法を提供し、それによって化学的機械的研摩装置の生産性を上げる。
普通CMPと称される化学機械研摩(Chemical Mechanical polishing)は、基板を平面化或いは研摩する方法である。CMPは、半導体のスライスを基板に作り上げる際の最終準備工程として用いることができ、実質的に平坦な前面と背面を提供する。CMPはまた、基板上にマイクロエレクトロニク回路を作り上げる際に基板の最外部の表面上に創られる、高所或いは他の非連続性部分を除去するのに用いられる。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、化学的機械的研摩装置の、材料除去率の一様性或いは活用度を増すのに有用な多数の実例を含む化学的機械的研摩装置及び方法である。第一の実施例では、その装置は、研摩パッドに対して基板の外側面の選択された部分に異なった負荷をかける基板キャリアを含む。エッジの過剰研摩が起ると、そのキャリアは基板の中心部における研摩パッドと基板との間の圧力を増すように形成されており、そうでなければ基板のエッジに近傍に生じたであろう高材料除去率を補償する。本発明の第二の実施例では、キャリアは、研摩パッドに対して基板の最外部表面の全ての部分に等しく負荷をかけるように形成されている。研摩パッドに対して基板に等しく負荷をかけることによって、適合性材料或いはキャリア下部面上の隆起によって引き起こされる局部的過剰研摩の発生が低減され或いは完全に防止される。さらに、基板エッジ部における基板と研摩パッドの間のより大きな累積的運動距離の結果として生じるエッジの過剰研摩を抑制するために、研摩パッドがゆっくりと回転している間、基板は研摩パッド上で軌道運動させてもよい。キャリアは、基板を回転することなく軌道運動させるために、或いは基板をそれが軌道運動している間に所望の速度で回転させるように制御してもよい。研摩パッドの回転速度と比較して基板の回転速度を精密に制御することによって、基板の異なった別々の位置或いは領域における異なった累積的運動距離によって引き起こされる基板の研摩量の差は、低減され或いは防止される。
先ず、本発明の概略を説明する。
Claims (1)
- 基板を研磨するためのキャリアヘッドであって、
下向きに延び空洞を画する壁を有する本体と、
前記空洞の中に加圧チャンバを形成する、弾力性のある部材と、
チャンバ内に配置された剛性のある部材と、
を備え、
前記弾力性のある部材の内面は、前記チャンバ内で流体に接触し、前記弾力性のある部材の外面は、基板の裏面に接触する基板受容面を有し、
前記剛性のある部材は、前記弾力性のある部材が内向きに移動することを防ぐように、配置されるキャリアヘッド。
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