KR960700044A - 탁산형 디테르펜의 제조방법 및 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포의 취득방법 - Google Patents

탁산형 디테르펜의 제조방법 및 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포의 취득방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 자스본산류, 중금속을 함유한 화합물류, 중금속을 함유한 착이온류, 중금속이온, 아민류 및 항에 틸렌제로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나의 존재하에 배양하는것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법, 상기 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서 배양기내의 기상중의 산소농도를 대기중의 산소농도 미만의 조건하에 배양초기로부터 제어하여 배양하든가 또는 조직 또는 세포와 접하는 유동성의 배지중의 용존산소농도를 그 온도에서의 포화용존산소농도 미만인 조건하에 배양초기로부터 제어하여 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법. 상기 식물의 조직 또는 세포를 배양조를 사용하여 배양함에 있어서, 조내에 도입하는 산소함유 가스로서 0.03~10%의 탄산가스를 함유한 가스를 사용하여 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법 및 상기 식물의 세포를 비중의 차이에 따라 복수의 층으로 나누고 적어도 하나의 층에 포함된 세포를 배양하여 그들중으로부터 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포를 선택하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포의 취득방법에 관한 것이다. 본 발명에 의햐면 암치료제로서 유용한 탁솔 등의 탁산형 디테르펜의 공업적 생산이 가능해진다.

Description

탁산형 디테르펜의 제조방법 및 탁산형 디테르펜 고생성 배향세포의 취득방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 자스몬산 메틸 100㎛을 첨가후의 배지증의 탁솔 수량(收量)의 변화를 나타낸 도면
제2도는 자스몬산 메틸 100㎛을 첨가후의 배지증의 바카틴Ⅲ수량의 변화를 타낸 도면
제3도는 본원 제2의 발명에 의해 조직 배양을 할때 사용되는 배양장치의 예를 나타낸 도면, 제3도의 각 부호는 이하의 의미를 갖는다. 1-공기공급관, 2-질소공급관, 3-배양조, 4-산소함유 가스 공급구, 5-용존산소농도계, 6-용존산소농도 제어장치, 7-가스배기관, 8-밸브, 9-산소유량제어밸브, 10-에어필터, 11-교반날개
제4도는 분획 배양후의 생육을 나타낸 도면
제5도는 분획 배양후의 탁산함량을 나타낸 도면이다.

Claims (72)

  1. 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 자스몬산류, 중금속을 함유한 화합물류, 중금속을 함유한 착이온류, 중금속이온, 아민류 및 항 에틸렌제로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나의 존재하에 배양하고, 얻어진 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 자스몬산류의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 자스몬산류가 일반식(Ⅰ) :
    [식중에서 R1a,R1b,R1c,R1d,R1e및 R1f는 각각 수소원자, 수산기, 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄소수 1~6의 알콕시기를 표시하고; R2, R3, R4, R5및 R6a는 각각 수소원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 표시하고; C1-C2-C3-C4-C5-C6로 된 측쇄는 1개 또는 2개 이상의 2중 결합을 포함하여도 좋으며; R6a는 수산기 또는 -O-탄수화물 잔기를 표시하고; R7은 수산기, OM(여기에서 M은 알칼리금속원자, 알칼리토류금속원자 또는 NH4를 표시한다) NHR8(여기에서 R8는 수소원자, 탄소수 1~6의 아실기, 탄소수 1~6의 알킬기 또는 아미노산잔기를 표시한다) OR9(여기에서 R9는 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄수화물 잔기를 표시한다) 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 표시하고; n은 1~7의 정수를 표시하고; 상기 5원환은 인접하는 환의 탄소원자간에 2중결합을 형성하여도 좋다]로 나타내는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 일반식(Ⅰ) 로 나타낸 자스몬산류가 일반식(Ⅰ′);
    [식중에서 R1'는 수소원자 또는 수산기를 표시하고; C1-C2-C3-C4-C5-C6로 된 측쇄는 C1과 C2, C2와 C3또는 C3와 C4간에서 2중결합을 포함하여도 좋고; R6b는 수산기 또는 -O-탄수화물잔기를 표시하고; R7'는 수산기, OM(여기에서 M은 알칼리금속원자, 알칼리토류금속원자 또는 NH4를 표시한다) NHR8'(여기에서 R8'는 수소원자, 탄소수 1~4의 아실기, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 아미노산잔기를 표시한다) 또는 OR9'(여기에서 OR9'는 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄수화물 잔기를 표시한다)를 표시하고; n은 1~7의 정수를 표시하고; 상기 5원환은 인접하는 환의탄소원자간에서 2중결합을 형성하여도 좋다]로 나타내는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 일반식(Ⅰ) 로 나타낸 화합물이 투베론산 또는 투베론산메틸인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 자스몬산류가 일반식(Ⅱ) :
    [식중에서 R1a,R1b,R1c,R1d,R1e및 R1f는 각각 수소원자, 수산기, 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄소수 1~6의 알콕시기를 표시하고; R2, R3, R4, R5및 R6는 각각 수소원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 표시하고; C1-C2-C3-C4-C5-C6로 된 측쇄는 1개 또는 2개 이상의 2중 결합을 포함하여도 좋으며; R7은 수산기, OM(여기에서 M은 알칼리금속원자, 알칼리 토류금속원자 또는 NH4를 표시한다) NHR8(여기에서 R8는 수소원자, 탄소수 1~6의 아실기, 탄소수 1~6의 알킬기 또는 아미노산잔기를 표시한다) OR9(여기에서 R9는 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄수화물 잔기를 표시한다) 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 표시하고; n은 1~7의 정수를 표시하고; 상기 5원환은 인접하는 환의 탄소원자간에 2중결합을 형성하여도 좋다]로 나타내는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 일반식(Ⅱ)로 나타낸 자스몬산류가 일반식(Ⅱ′)
    [식중에서 R1'는 수소원자 또는 수산화기를 표시하고; C1-C2-C3-C4-C5-C6로 된 측쇄는 C1과 C2, C2와 C3또는 C3와 C4간에서 2중결합을 포함하여도 좋고; R7'는 수산기, OM(여기에서 M은 알칼리금속원자, 알칼리토류금속원자 또는 NH4를 표시한다) NHR8'(여기에서 R8'는 수소원자, 탄소수 1~4의 아실기, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 아미노산잔기를 표시한다)를 표시하고; n은 1~7의 정수를 표시하고; 상기 5원환은 인접하는 환의탄소원자간에서 2중결합을 형성하여도 좋다]로 나타내는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 일반식(Ⅱ)로 나타낸 화합물이 쿠쿠르빈 도는 쿠쿠르빈산 메틸인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  9. 제2항에 있어서, 자스몬산류가 일반식(Ⅲ) :
    [식중에서 R1a,R1b,R1c,R1d,R1e및 R1f는 각각 수소원자, 수산기, 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄소수 1~6의 알콕시기를 표시하고; R2, R3, R4, R5및 R6는 각각 수소원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 표시하고; C1-C2-C3-C4-C5-C6로 된 측쇄는 1개 또는 2개 이상의 2중 결합을 포함하여도 좋으며; R7은 수산기, OM(여기에서 M은 알칼리금속원자, 알칼리 토류금속원자 또는 NH4를 표시한다) NHR8(여기에서 R8는 수소원자, 탄소수 1~6의 아실기, 탄소수 1~6의 알킬기 또는 아미노산잔기를 표시한다) OR9(여기에서 R9는 탄소수 1~6의 알킬기 또는 탄수화물 잔기를 표시한다) 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 표시하고; n은 1~7의 정수를 표시하고; 상기 5원환은 인접하는 환의 탄소원자간에 2중결합을 형성하여도 좋다]로 나타내는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 일반식(Ⅲ)으로 나타내는 자스몬산류가 일반식(Ⅲ′)
    [식중에서 R1'는 수소원자 또는 수산기를 표시하고; C1-C2-C3-C4-C5-C6로 된 측쇄는 C1과 C2, C2와 C3또는 C3와 C4간에서 2중결합을 포함하여도 좋고; R7'는 수산기, OM(여기에서 M은 알칼리금속원자, 알칼리토류금속원자 또는 NH4를 표시한다) NHR8'(여기에서 R8'는 수소원자, 탄소수 1~4의 아실기, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 아미노산잔기를 표시한다)를 표시하고; n은 1~7의 정수를 표시하고; 상기 5원환은 인접하는 환의탄소원자간에서 2중결합을 형성하여도 좋다]로 나타내는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 일반식(Ⅲ)으로 나타낸 화합물이 자스몬산 또는 자스몬산 메틸인 탁산형 디테르펜 제조방법.
  12. 제2항에 있어서, 조직배양 배지중의 자스몬산류의 농도가 0.01~1000㎛인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  13. 제2항에 있어서, 자스몬산류를 배양세포의 대수 증식기~정상기에 첨가하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  14. 제2항에 있어서, 자스몬산류를 복수회로 나누거나 또는 연속적으로 배양배지에 첨가하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 중금속을 함유한 화합물류, 중금속을 함유한 착이온류 및 중금속 이온으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 중금속이 은인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 은을 함유한 화합물류가 질산은 및 황산은으로 된 군으로부터 선택한 적어도 1종류 이상인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 은을 함유한 화합물이 불화은, 염소산은, 과염소산은, 초산은, 아황산은, 헥사플루오로인(Ⅴ)산은, 테트라플루오로붕산은, 디아민은(Ⅰ) 황산염 및 디아미노은(Ⅰ) 산칼륨으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  19. 제16항에 있어서, 은을 함유한 착이온류가 [Ag(S2O3)2]3-및 [Ag(S2O3)3]5-로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  20. 제16항에 있어서, 은을 함유한 착이온류가 [Ag(NH3)2]+,{[Ag(CN)2]-,[Ag(CN)3]2-,[Ag(SCN)2]-및 [Ag(SCN)4]3-으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  21. 제16항에 있어서, 은을 함유한 화합물류, 은을 함유한 착이온류, 또는 은 이온의 온도가 10-8M~10-1M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  22. 제16항에 있어서, 은을 함유한 화합물류, 은을 함유한 착이온류, 또는 은 이온의 온도가 10-7M~10-2M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  23. 제15항에 있어서, 중금속이 코발트인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  24. 제22항에 있어서, 코발트를 함유한 화합물이 염화코발트, 질산코발트 및 황산코발트로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  25. 제23항에 있어서, 코발트를 함유한 화합물이 불화코발트, 과염소산코발트, 취화코발트, 옥화코발트, 세렌산코발트, 티오시안산코발트, 초산코발트, 황산암모늄코발트, 황산코발트(Ⅱ)칼륨, 헥사안민코발트(Ⅲ)염화물, 펜타안민아쿠아코발트(Ⅲ)염화물, 니트로펜타안민코발트(Ⅲ)염화물, 디클로로테트라안민코발트(Ⅲ)염화물 반수화물, 디니트로테트라안민코발트(Ⅲ)염화물, 카르보나트테트라안민코발트(Ⅲ)염화물, 테트라니트로디안민코발트(Ⅲ)산 암모늄, 헥사니트로코발트(Ⅲ)산나트륨, 트리스(에틸렌디아민)코발트(Ⅲ)염화물 3수화물, 디클로로비스(에틸렌디아민)코발트(Ⅲ)염화물, 트리스(옥사라트)코발트(Ⅲ)산칼륨3수화물, 헥사시아노코발트(Ⅲ)산칼륨, (에틸렌디아민테트라아세타트)코발트(Ⅲ)산칼륨2수화물, 히드리드테트라카르보닐코발트(Ⅰ) , 디카르보닐(시클로펜타디에닐)코발트(Ⅰ), 옥타카르보닐2코발트(O), 헥사카르보닐(아세틸렌)2코발트(O), 비스(시클로펜타디에닐)코발트(Ⅰ), 및 (시클로펜타디에닐) (1,5-시클로옥타디엔)코발트(Ⅰ)로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  26. 제23항에 있어서, 코발트를 함유한 착이온류가 펜타안민아쿠아코발트이온, 니트로펜타안민코발트이온, 디클로테트라안민코발트이온, 디니트로테트라안민코발트이온, 카르보나트테트라안민코발트이온, 테트라니트로디안민코발트이온, 헥사니트로코발트이온, 트리스(에틸렌디아민)코발트이온, 디클로로비스(에틸렌디아민)코발트이온, 트리스(옥사라트)코발트이온, 헥사시아노코발트이온 및 (에틸렌디아민테트라아세타트)코발트이온으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디케르펜의 제조방법.
  27. 제23항에 있어서, 코발트를 함유한 화합물류, 코발트를 함유한 착이온류, 또는 코발트이온의 농도가 10-6M~10-2M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  28. 제23항에 있어서, 코발트를 함유한 화합물류, 코발트를 함유한 착이온류, 또는 코발트이온의 농도가 10-5M~10-2M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  29. 제15항에 있어서, 중금속을 함유한 화합물류, 중금속을 함유한 착이온류 및 중금속이온으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나와 자스몬산류의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  30. 제1항에 있어서, 아민류의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  31. 제30항에 있어서, 아민류가 폴리아민류인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  32. 제31항에 있어서, 폴리아민류가 프토레신, 카다베린, 스페르미딘, 스페르민, 에틸렌디아민, N,N-이에틸-1,3-프로판디아민, 디에틸렌트리아민 및 이들 화합물의 염으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  33. 제31항에 있어서, 폴리아민류의 농도가 10-8M~10-2M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  34. 제31항에 있어서, 폴리아민류의 농도가 10-7M~10-2M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  35. 제30항에 있어서, 아민류 및 자스몬산류의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  36. 제1항에 있어서, 항에틸렌제의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  37. 제36항에 있어서, 항에틸렌제가 s-아데노실메티오닌으로부터 1-아미노시클로프로판-1-카브록실산으로의 변환을 촉매하는 효소의 활성을 저해하는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  38. 제37항에 있어서, 항에틸렌제가 아미노옥시초산, 아세틸살리실산, 리조비톡신, 아미노에톡시비닐글리신, 메톡시비닐글리신 및-아미노이소락산 및 이들 화합물의 염, 에스테르, 아미노산유도체 및 탄수화물 유도체로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  39. 제36항에 잇어서, 항에틸렌제가 1-아미논시클로프로판-1-카르복실산으로부터 에틸렌으로의 변환을 촉매하는 효소의 활성을 저해하는 화합물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  40. 제39항에 있어서, 항에틸렌제가 몰식자산 및 이들 화합물의 염, 에스테르, 아미노산 유도체 및 탄수화물 유도체로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  41. 제36항에 있어서, 항에틸렌제가 배양물내에 저류하든가, 또는 이 배양물을 함유한 배양기내의 기상중 또는 배지중에 존재하는 에틸렌을 제거하는 물질인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  42. 제41항에 있어서, 항에틸렌제가 1.5-시클로옥타디엔 및 이소티오시안산 및 이들 화합물의 염, 에스테르, 아미노산유도체 및 탄수화물 유도체로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  43. 제36항에 있어서, 항에틸렌제의 농도가 10-8M~10-1M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  44. 제36항에 있어서, 항에틸렌제의 농도가 10-7M~10-2M인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  45. 제36항에 있어서, 항에틸렌제 및 자스몬살류의 존재하에 배양하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  46. 제1항에 있어서, 탁산형 디테르펜이 탁솔, 7-에피타솔, 바카틴 Ⅲ, 7-에피바카Ⅲ, 세팔로마닌, 7-에피세팔로마닌, 10-데아세틸 바카틴Ⅲ, 10-데아세틸세팔로마닌, 10-데아세틸탁솔, 탁사기핀, 크실로실세팔로마닌 및 크실로실탁솔로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  47. 제1항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물이 주목(Taxus)속 식물인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  48. 제47항에 있어서, 주목이 서양주목(Taxus baccata LINN), 주목(T. cuspidata SIEB. et ZUCC), 비자나무(T. Cuspidata SIEB. et ZUCC var. nana REHDER), 태편양주목(T. canadiemsis MARSH), 중국주목(T. Chinensis), T. media으로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  49. 제1항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 세포를 비중의 차이에 따라 복수의 층으로 나누고, 적어도 하나의 층에 포함된 세포를 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  50. 제1항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 배양기내의 기상중의 산소농도를 배양초기로부터 대기중의 산소농도 미만의 조건하에 제어하여 배양하든가, 또는 조직 도는 세포와 접하는 유동성의 배지중의 용존 산소 농도를 배양초기로부터 그 온도에서의 포화용존 산소농도 미만의 조건하에 제어하여 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  51. 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 산화제 또는 수용성의 함산소유기화합물을 첨가한 배지를 사용하여 행하는 1단째 배양과, 청구의 범위 제1항 기재의 제조방법에 따라 행하는 2단째 배양의 2개의 공정으로 된 2단 배양을 행하고, 얻어지는 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  52. 제1항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 당농도가 2~50g/ℓ 및/또는 질산이온농도가 2~50mmol/ℓ인 배지에 조직 또는 세포를 이식한 후, 이 배지의 초기 용량에 대하여 1일당 0.2~5g/ℓ의 당 및/또는 0.2~mmol/ℓ의 질산이온을 함유한 영양원 용액을 연속적 또는 간헐적으로 참가하여 배양하고, 얻어지는 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  53. 제52항에 있어서, 영양원 용액을 첨가함에 있어서, 같은 용량의 배지를 조직 또는 세포로부터 분리하여 배출함으로써 배지를 갱신하면서 배양하고, 얻어진 배양물, 배양도중에 배출함으로서 회수되는 배지 및 배양종료시에 얻어지는 배지로부터 선택한 적어도 1종이상으로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  54. 제1항에 있어서, 배양조중의 배양액의 총용량을 Ⅴ1,신선배지의 공급속도를 Ⅴ, 조직 또는 세포의 비증식도를 μ라 할대 무차원수 F=V1/V/μ로 정의하는 배지의 비갱신율을 0.1~10의 범위가 되도록 연속적 또는 간헐적으로 신선배지를 첨가하고, 연속적 또는 간헐적으로 조외로 배출하는 조직 또는 세포를 포함한 배양액 및/또는 연속적 또는 간헐적으로 조외로 배출하는 조직 또는 세포를 포함하지 않는 배양액으로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  55. 제1항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양조를 사용하여 배양함에 있어서, 조내에 도입하는 산소함유 가스로서 0.03~10%의 탄산가스를 함유한 가스를 사용하여 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  56. 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 배양기내의 기상중의 산소농도를 대기중의 산소농도 미만의 조건하에 기상중의 산소농도를 대기중의 산소농도 미만의 조건하에 배양초기로부터 제어하여 배양을 행하든가, 또는 조직 또는 세포와 접하는 유동성의 배지중의 용존 산소농도를 그 온도에서의 포화용존 산소농도 미만인 조건하에 배양 초기로부터 제어하여 배양하고, 얻어지는 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  57. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 배양기내의 기상중의 산소농도를 4~15%로 제어하든가 또는 조직 또는 세포와 접하는 유동성의 배지중의 용존산소 농도를 그 온도에서의 포화용존 산소농도치의 1~75%로 제어하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  58. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 배양기내의 기상중의 산소농도를 6~12%로 제어하든가 또는 조직 또는 세포와 접하는 유동성의 배지중의 용존산소 농도를 그 온도에서의 포화용존 산소농도치의 10~75%로 제어하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  59. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 배양기내의 기상중의 산소농도 또는 유동성의 배지중의 용존산소농도를 배양기 및/또는 배지에 공급하는 기체의 산소농도를 조절함으로써 제어하든가 또는 배양기 및/또는 배지에 공급하는 기체의 공급속도를 조절함으로써 제어하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  60. 제56항에 있어서, 배양기내의 기상중의 산소농도 또는 조직 또는 세포와 접하는 유동성의 배지중의 용존산소농도의 제어를 배양개시시 내지 배양개시후 7일째에 개시하고, 그후 적어도 3일간 행하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  61. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜이 탁솔, 7-에피탁솔, 바카틴 Ⅲ, 7-에피바카틴Ⅲ, 세팔로마닌, 7-에피세팔로마닌, 10-데아세틸 바카틴Ⅱ, 10-데아세틸세팔로마닌, 10-데아세틸탁솔, 탁사기핀, 크실로실세팔로마닌 및 크실로실탁솔로 된 군으로부터 선택한 적어도 하나인 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  62. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물이 주목 속식물인 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  63. 제56항에 있어서, 자스몬산류의 존재하에서 배양함을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  64. 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 산화제 또는 수용성의 함산소유기화합물을 첨가한 배지를 사용하여 행하는 1단째 배양과, 청구의 범위 제56항 기재의 제조방법에 따라 행하는 2단째 배양의 2개의 공정으로 된 2단 배양을 행하고, 얻어지는 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  65. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양함에 있어서, 당농도가 2~50g/ℓ 및/또는 질산이온농도가 2~50mmol/ℓ인 배지에 조직 또는 세포를 이식한 후, 이 배지의 초기 용량에 대하여 1일당 0.2~5g/ℓ의 당 및/또는 0.2~mmol/ℓ의 질산이온을 함유한 영양원 용액을 연속적 또는 간헐적으로 참가하여 배양하고, 얻어지는 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특지으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  66. 제65항에 있어서, 영양원 용액을 첨가함에 있어서, 같은 용량의 배지를 조직 또는 세포로부터 분리하여 배출함으로써 배재를 갱신하면서 배양하고, 얻어진 배양물, 배양도중에 배출함으로써 회수된 배지 및 배양종료시에 얻어지는 배지로부터 선택된 적어도 1종 이상으로부터 탁상형 디페르펜을 회수하는 것을 특지으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  67. 제56항에 있어서, 배양조중의 배양액의 총용량을 V, 신선배재의 공급속도를 VI, 배양물에서 조직 또는 세포를 분리한 배양액을 조외로 배출하는 속도를 VL, 조직 또는 세포를 함유하는 배양액을 조외로 배출하는 속도를 VC, 조직 또는 세포의 비증식도를 μ라 할때 무차원수 F = VI/V/μ로 정의하는 배지의 비갱신율을 0.1~10의 범위가 되도록 연속적 또는 간헐적으로 신선배지를 첨가하고, 연속적 또는 간헐적으로 조외로 배출되는 조직 또는 세포를 포함하는 배양액 및/또는 연속적 또는 간헐적으로 조외로 배출되는 조직 또는 세포를 포함하지 않는 배양액으로부터 탁산현 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  68. 제56항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양조를 사용하여 배양함에 있어서, 조내에 도입하는 산소함유 가스로서 0.03~10%의 탄산가스를 함유한 가스를 사용하여 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  69. 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 조직 또는 세포를 배양조를 사용하여 배양함에 있어서, 조내에 도입하는 산소함유 가스로서 0.03~10%의 탄산가스를 함유한 가스를 사용하여 배양하고, 얻어지는 배양물로부터 탁산형 디테르펜을 회수하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜의 제조방법.
  70. 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물의 세포를 비중의 차이에 따라 복수의 층으로 나누고, 적어도 하나의 층에 함유된 세포를 배양하여 그들중으로부터 탁산형 디테르펜 고산성 배양세포를 선택하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포의 취득방법.
  71. 제70항에 있어서, 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물이 주목속 식물인 탁산형 디테르펜을 생성하는 식물이 주목속 식물인 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포의 취득방법.
  72. 제70항에 있어서, 비증 1.07이하의 층에 포함된 세포를 배양하는 것을 특징으로 하는 탁산형 디테르펜 고생성 배양세포의 취득방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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