KR960043175A - 반도체소자의 전하저장전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 전하저장전극 제조방법에 관한 것으로서, 전하저장전극이 되는 반복 적층된 도핑된 실리콘층 및 진성실리콘층 패턴들간의 불순물 량에 따른 산화 속도자를 이용하여 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층 패턴을 오존가스 분위기에 노출시켜 부위별로 두께가 다른 산화막을 형성하고, 상기 산화막을 무수 HF와 초순수 증기의 혼합가스로 건식식각하여 언더컷이 진 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층 패턴으로된 표면적이 증가된 전하저장전극을 형성하였으므로, 습식식각 공정이 불필요하여 세척등과 같은 공정이 불필요하여 공정수율이 향상되고, 식각 공정이 간단하며, 식각율의 조절이 용이하여 식각 균일성이 향상되어 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 전하저장전극 제조공정도.
Claims (5)
- 반도체기판상에 전하저장전극 콘택홀을 구비하는 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층을 반복적층하는 공정과, 상기 도핑된 실리콘층과 진성 실리콘층에서 전하저장전극으로 예정되어 있는 부분이 남도록 패턴닝하여 도핑된 실리콘층 및 진성실리콘층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층을 오존가스 분위기에 노출시켜 부위에 따라 두께차가 있는 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막을 무수 HF와 초순수 증기 혼합 가스로 건식식각 방법으로 제거하여 언더컷이진도핑된 실리콘층 및 진성실리콘층 패턴으로 구성되는 굴곡진 측면을 갖는 전하저장전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층을 다결정실리콘 또는 비정질실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑된 실리콘층에 포함된 불순물이 인인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오존가스에 의한 산화 공정을 상온, 상압에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극 제조방법.
- 반도체기판상에 전하저장전극 콘택흘을 구비하는 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층을 반복적층하는 공정과, 상기 도핑된 실리콘층과 진성 실리콘층에서 전하저장전극으로 예정되어 있는 부분이 남도록 패턴닝하여 도핑된 실리콘층 및 진성실리콘층 패턴을 형성하는 공정과 상기 도핑된 실리콘층과 진성실리콘층을 오존가스와 무수 HF 및 초순수 증기으 혼합 가스로 처리하여 상기실리콘층 패턴들을 산화시켜 산화막이 형성되는 동시에 상기 산화막이 제거되도록하여 언더컷이 진도핑된 실리콘층 패턴과 진성실리콘층 패턴으로 구성되는 전하저장전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011889A KR960043175A (ko) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 반도체소자의 전하저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011889A KR960043175A (ko) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 반도체소자의 전하저장전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960043175A true KR960043175A (ko) | 1996-12-23 |
Family
ID=66523307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950011889A KR960043175A (ko) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 반도체소자의 전하저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960043175A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018892B2 (en) | 2003-08-13 | 2006-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor capacitor structure and method for manufacturing the same |
| US7544985B2 (en) | 2003-08-13 | 2009-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor capacitor structure and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-05-15 KR KR1019950011889A patent/KR960043175A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018892B2 (en) | 2003-08-13 | 2006-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor capacitor structure and method for manufacturing the same |
| US7544985B2 (en) | 2003-08-13 | 2009-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor capacitor structure and method for manufacturing the same |
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