KR970018560A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상의 게이트 전극 상부 및 그 측면에 절연막을 형성하는 공정과; 상기 절연막 상에 제1인함유막, 제1도전막 및, 제2인함유막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제2인함유막, 제1도전막 및, 제1인함유막을 선택식각하여 콘택을 형성하는 공정과; 상기 콘택을 포함한 제2인함유막 상에 제2도전막을 형성하고, 상기 제2도전막, 제2인함유막, 제1도전막 및 제1인함유막을 선택식각하는 공정 및; 상기 제1 및 제2인함유막을 제거하는 공정을 구비하여 소자 제조를 완료하므로써, 1) 핀 구조의 캐패시터 형성시 요구되던 질화막을 사용하지 않아 응력 집중으로 인한 취약부분에서의 누설전류 발생을 감소시킬 수 있고, 2) 질화막 증착 및 식각 공정을 스킵(skip)할 수 있어 공정단순화를 기할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 공정시간 절감 효과를 얻을 수 있으며, 3) 인함유 산화막인 PSG막으로부터 인이 폴리실리콘(또는 비정질 실리콘)에 주입되어 그 표면에 고농도의 인함유층을 형성하게 되므로 적층 캐패시터의 도전체 특성을 높일 수 있게 되어 보다 우수한 특성의 캐패시터를 형성할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2g도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 커패시터 제조방법을 도시한 공정수순도.
Claims (8)
- 반도체 기판상의 게이트 전극 상부 및 그 측면에 절연막을 형성하는 공정과; 상기 절연막 상에 제1인함유막, 제1도전막 및, 제2인함유막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제2인함유막, 제1도전막 및 제1인함유막을 선택식각하여 콘택을 형성하는 공정과; 상기 콘택을 포함한 제2인함유막 상에 제2도전막을 형성하고, 상기 제2도전막, 제2인함유막, 제1도전막, 및 제1인함유막을 선택식각하는 공정 및; 상기 제1 및 제2인함유막을 제거하는 공정을 구비하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2인함유막은 상기 절연막과 식각선택비가 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2인함유막에 대한 상기 절연막의 식각선택비는 2 : 1인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2인함유막은 PSG막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2인함유막은 불산용액으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2인함유막은 인 함유 농도가 4-8mol%인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2인함유막은 상압 또는 저압 플라즈마 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전막은 폴리실리콘 또는 비정질실리콘 중 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030539A KR970018560A (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030539A KR970018560A (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018560A true KR970018560A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030539A KR970018560A (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018560A (ko) |
-
1995
- 1995-09-18 KR KR1019950030539A patent/KR970018560A/ko not_active Application Discontinuation
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