KR960039007A - 낸드형 불휘발성 기억장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 불휘발성 반도체 기억장치에 관한 것으로서, 특히 고집적화에 유리한 NAND형 기억장치에 관한 것이다.
본 발명은 스트링 선택용 공핍형 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역 또는 드레인 영역에만 전류 개선용 이온주입영역을 부가형성함으로써 스트링 선택용 공핍형 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 접합 깊이를 기억소자를 구성하는 다른 트랜지스터들의 소오스 및 드레인의 접합 깊이보다 더 깊게 형성된다.
그 결과, 메모리 소자의 전류 구동능력을 향상시키는 효과를 발휘한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일실시예에 의한 NAND형 불휘발성 기억장치의 평면도이다, 제6도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 NAND형 불휘발성 기억장치의 평면도.
Claims (4)
- 직렬 접속된 공핍형 및 증가형 트랜지스터들로 이루어진 다수의 데이타 기억용 셀들과, 이들 가운데 적어도 어느 하나의 특정 셀을 선택하기 위해 직렬 접속된 복수의 스트링 선택용 공핍형 및 증가형 트랜지스터들이 서로 직렬회로로 구성되는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 스트링 선택용 공핍형 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역에 전류 개선용 이온주입을 부가하여 스트링 선택용 공핍형 트랜시스터의 소오스 및 드레인의 접합 깊이를 상기 다른 트랜지스터들의 소오스 및 드레인의 접합 깊이보다 더 깊게 형성한 것을 특징으로 하는 NAND형 불휘발성 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 스트링 선택용 공핍형 트랜지스터의 소오스 및 드레인 또는 드레인만의 접합 깊이를 크게 하기 위하여 주입되는 불순물이 인(P), 비소(As)등으로 이루어진 주기율표 상의 5족 원소중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 NAND형 불휘발성 기억장치.
- 직렬 접속된 공핍형 증가형 트랜지스터들로 이루어진 다수의 데이타 기억용 셀들과, 이들 가운데 적어도 어느 하나의 특정 셀을 선택하기 위해 직렬 접속된 복수의 스트링 선택용 공핍형 및 증가형 트랜지스터들이 서로 직렬회로로 구성되는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 스트링 선택용 공핍형 트랜지스터의 소오스 및 트레인 영역에서 드레인 영역에만 전류 개선용 이온주입을 부가하여 이 트랜지스터의 드레인 영역의 접합 깊이가 다른 트랜지스터들의 소오스 및 드레인의 접합 깊이보다 더 깊게 형성된 것을 특징으로 하는 NAND형 불휘발성 기억장치.
- 제3항에 있어서, 상기 스트링 선택용 공핍형 트랜지스터의 소오스 및 드레인 또는 드레인만의 접합 깊이를 크게 하기 위하여 주입되는 불순물이 인(P), 비소(As)등으로 이루어진 주기율표 상의 5족 원소중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 NAND형 불휘발성 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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