KR890007426A - 다른 항복전압과 다른 기능을 갖는 블록을 포함하는 모노리식 반도체 ic장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

다른 항복전압과 다른 기능을 갖는 블록을 포함하는 모노리식 반도체 IC장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일실시예에 대한 Bi-CMOS DRAM 장치의 모식도.
제5도는 본 발명의 일실시예에 따른 좁혀진 실효 베이스폭의 효과를 설명하기위한 도면.
제6도는 종형 바이폴라 트랜지스터의 차단주파수와 콜렉터영역의 불순물 농도와의 관계를 나타낸 그래프.

Claims (20)

  1. 단일 반도체 기판내에 형성되어 상이한 기능을가진 복수개의 블록을 포함하는 모노리식 반도체 IC장치에서 상기 복수개의 블록중 적어도 2개의 각각 상기 반도체기판내에 형성된 에미터영역, 베이스영역, 콜렉터 영역을 가진 복수개의 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 복수개의 블록중 적어도 1개는 각각 상기 단일 반도체 기판내에 형성된 소스영역, 드레인영역 그들 영역간에 있는 채널영역을 가진 복수개의 절연게이트 전계효과 트랜지스터를 포함하고 상기 복수개의 블록중 적어도 한개중 적어도 한개의 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 저항치를 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 저항치와 다르게 하게 함으로써 상기 단일 반도체 기판내의 복수개의 블록에 상이한 동작 속도와 상이한 항복전압을 가하도록 한 모노리식 반도체 IC장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 바이폴라 트랜지스터의 도통에 기여하는 캐리어의 이동방향의 콜랙터 영역과 베이스영역간 길이가 상기 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터의 그것과는 다르게하여 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터는 상이한 콜렉ㅌ 저항치를 가지도록한 모노리식 반도체 IC장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 적어도 한개의 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 불순물농도를 상기 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터와는 다르게하여 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터는 상이한 콜렉터 저항치를 가지도록 한 모노리식 반도체 IC장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 한개의 바이폴라 트랜지스터의 저항치가 상기 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터 보다 작게하여 상기 단일 반도체 기판내에 있어서 상기 적어도 한개의 블록은 상기 다른 블록보다 높은 동작속도와 낮은 항복전압을 가지도록한 모노리식 반도체 IC장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 적어도 한개의 블록의 상기 적어도 한개의 바이폴라 트랜지스터는 비교적 소진폭의 신호를 상기 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터는 비교적 대진폭의 신호로 취급하도록 배치되어 있는 모노리식 반도체 IC장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 다른 블록의 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역은 상기 복수개의 절연게이트 전계효과 트랜지스터내의 적어도 하나의 채널영역과 도전형이 동일하고 불순물 농도가 더 큰 모노리식 반도체 IC장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 다른 블록은 메모리 어레이블록을 포함하고, 상기 적어도 한개의 블록은 상기 메모리 어레이블록에 직접 접속된 제1 주변회로 블록과 상기 제1 주변회로 블록에 접속된 제2 주변회로 블록을 포함하는 모노리식 반도체 IC장치.
  8. 단일 반도체 기판내에 형성된 바이폴라 트랜지스터 상보형 MOS 트랜지스터 게이트(Bi-CMOS 게이트)블록과 에미터 결합 로직게이트(ECL 게이트)블록을 가지는 모노리식 반도체 IC장치에 있어서 상기 Bi-CMOS 게이트 블록은 상기 단일 반도체 기판내에 형성된 바이폴라 트랜지스터와 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 ECL 게이트블록은 상기 단일 반동체 기판내에 형성된 다른 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 Bi-CMOS 게이트 블록의 바이폴라 트랜지스터 상기 Bi-CMOS 게이트블록의 MOS 트랜지스터의 항복전압과 거의 동일한 항복전압을 가지고 상기 ECL게이트 블록의 바이폴라 트랜지스터는 상기 Bi-CMOS 게이트 블록의 바이폴라 트랜지스터의 항복전압 보다 낮은 항복전압을 가지고 있는 모노리식 반도체 IC장치.
  9. 모노리식 반도체 IC장치의 제조방법에 있어서, 반도체 기판을 준비하는 단계와, 상기 반도체 기판내에 비교적 고불순물 농도영역을 형성하는 단계와, 상기 고불순물농도 영역내에 상이한 콜렉터 저항치를 가진 비교적 저불순물 농도영역을 형성하는 단계와 상기 저불순물농도 영역내에 반도체 영역을 형성하는 서로 다른 항복전압을 갖는 바이폴라 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터를 제공하는 단계를 포함하는 모노리식 반도체 IC장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 비교적 고분순물 농도영역은 상기 반도체 기판의 표면영역을 도핑하지 않도록한 상기 반도체 기판내에 형성되고 상기 비교적 저불순물 농도영역의 형성단계는 상기 도핑되지 않는 상기 반도체 기판의 표면영역을 이온주입 함으로서 행해지는 모노리식 반도체 IC장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 비교적 저불순물 농도영역의 형성은 상기 기판위에 에패택셜층을 형성하고 상기 에피택셜층에 이온 주입함으로서 행해지는 모노리식 반도체 IC장치
  12. 제9항에 있어서, 상기 비교적 저불순물 농도영역의 형성은 상기 기판위에 에피택셜층을 형성하고, 그 에피택셜층에 불순물을 확산함으로서 행해지는 모노리식 반도체 IC장치.
  13. 복수의 바이폴라 트랜지스터와 복수의 MOS 트랜지스터를 단일 반도체 기판내에 형성하고 상기 복수의 바이폴라 트랜지스터는 서로 다른 항복전압을 갖는 것을 포함하는 반도체장치.
  14. 제13항에 있어서, 메모리셀과 직접 접속 되도록 주변회로 블록을 구성하는 상기 바이폴라 트랜지스터와 메모리셀에 직접 접속되지 않는 간접 주변회로 블록을 구성하는 바이폴라 트랜지스터의 항복전압이 상이한 반도체장치.
  15. 제14항에 있어서, 반도체장치는 Bi-CMOS DRAM인 반도체장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 기판내에서 바이폴라 트랜지스터를 위한 고농도 매립층의 레벨을 변화시키고 상기 고농도 매립층위에 형성되는 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 폭을 다르게 함으로서 다른 항복전압을 제공하는 반도체장치.
  17. 단일 반도체 기판상에 형성된 복수의 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 반도체장치에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터는 소신호영역에서 동작하는 적어도 하나의 바이폴라 트랜지스터와 대신호영역에서 동작하는 적어도 하나의 바이폴라 트랜지스터를 포함하며, 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 불순물농도는 소신호영역에서 동작하는 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역쪽이 대신호영역에서 동작하는 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역 보다도 높은 반도체장치.
  18. 단일 반도체 기판상에 형성된 바이폴라 트랜지스터와 MOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 불순물농도와 상기 MOS트랜지스터의 채널영역의 불순물농도가 상이한 반도체 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터영역의 불순물농도는 상기 MOS 트랜지스터의 채널영역의 불순물농도보다 높은 반도체장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 그 채널층의 도전형이 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 영역의 도전형과 동일한 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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