KR960030437A - 확산 소스 유전층으로부터의 외인성 베이스 확산을 이용하여 베이스 접촉부의 저항을 감소시킨 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 및 그 형성 방법 - Google Patents
확산 소스 유전층으로부터의 외인성 베이스 확산을 이용하여 베이스 접촉부의 저항을 감소시킨 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 및 그 형성 방법 Download PDFInfo
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 2
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66272—Silicon vertical transistors
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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Abstract
바이폴러 트랜지스터(100) 및 그것을 제조하는 방법. 확산 소스 유전층(118)은 반도체 바디(101) 상에 증착된다. 이어서 에미터 윈도우(116)가 확산 소스 유전층(118)을 통해서 에칭된다. 외인성 베이스 영역(110)은 확산 소스 유전층(118)으로부터 확산된다. 다음으로, 진성 베이스 영역(108)이 주입된다. 이어서, 베이스-에미터 스페이서(120)가 형성되고 연이어서 에미터 전극(124) 및 에미터 영역(126)이 형성된다. 외인성 베이스영역(110)은 에미터로 자기 정합되어서 외인성 베이스 주입의 측면 확산 및 외인성 베이스 주입에 대한 정렬허용 오차를 소거시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 BJT의 단면도.
Claims (19)
- 바이폴러 트랜지스터를 형성하는 방법에 있어서, 컬렉터 영역을 형성하는 단계, 상기 컬렉터 영역 상에 확산 소스 유전층을 피착하는 단계, 상기 확산 소스 유전층 내에 에미터 원도우를 에칭하는 단계, 상기 확산 소스 유전층으로부터 상기 컬렉터 영역 내에 외인성 베이스 영역을 확산하는 단계, 상기 에미터 윈도우를 통해서 상기 컬렉터 영역 내에 진성 베이스 영역을 주입한는 단계, 및 상기 에미터 윈도우 내에 에미터 전극을 형성하고 상기 진성 베이스 영역 내에 에미터 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산 소스 유전층이 규산염 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산 소스 유전층이 상기 규산염 유리층 상의 질화 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산 소스 유전층이 실리콘 게르마늄층 상의 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 외인성 베이스 영역을 확산시키는 상기 단계가 상기 에미터 윈도우 내에 차폐 산화물층을 형성하는 단계를 포함하며 상기 진성 베이스 영역이 상기 차폐 산화물을 통해서 주입되는 것을 특징으로 하는 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에미터 전극을 규화물화 하는 단계 및 상기 외인성 베이스 영역 위에 규화물 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 규화물 접촉부가 상기 진성 베이스 영역의 한쪽면에서만 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 형성 방법.
- 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터를 형성하는 방법에 있어서, 반도체 바디 내에 컬렉터 영역을 형성하는 단계, 상기 컬렉터 영역 상에 확산 소스 유전층을 피착하는 단계, 상기 확산 소스 유전층 내에 에미터 윈도우를 에칭하는 단계, 상기 에미터 윈도우 내에 차폐 산화물층을 형성하고 상기 확산 소스 유전층으로부터 외인성 베이스 영역을 확산하는 단계, 상기 차폐 산화물층을 통해서 진성 베이스 영역을 주입하는 단계, 상기 에미터 윈도우 내에 베이스-에미터 스페이서를 형성하는단계, 및 상기 에미터 원도우 내에 에미터 전극을 형성하고 상기 진성 베이스 영역 내에 에미터 영역을 형성하는 단계를 포함하고 상기 외인성 베이스 영역이 상기 에미터 영역에 자기 정합되는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 에미터 전극이 상기 확산 소스 유전층의 적어도 한쪽면 상에서 0.5 마이크로 이하로 확장되는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 확산 소스 유전층이 규산염 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 확산 소스 유전층이 상기 규산염 유리층 상의 질화 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 확산 소스 유전층이 실리콘 게르마늄층 상의 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 에미터 전극을 규화물화 하는 단계 및 상기 외인성 베이스 영역 상에 규화물 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 규화물 접촉부가 상기 진성 베이스 영역의 한쪽면 상에서만 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 형성 방법.
- 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터에 있어서, 컬렉터 영역, 상기 컬렉터 영역 내의 진성 베이스 영역, 상기 진성 베이스 영역 내의 에미터 영역, 및 상기 에미터 영역과 자기 정합된 외인성 베이스 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터.
- 제15항에 있어서, 상기 진성 베이스 영역의 오직 한쪽면 상의 상기 외인성 베이스 영역 상의 규화물 접촉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터.
- 제15항에 있어서, 상기 외인성 베이스 영역으로부터 에미터 전극 사이에 규산염 유리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터.
- 제17항에 있어서, 상기 에미터 전극이 상기 규산염 유리 유전층의 적어도 한쪽면 상에 0.5 마이크론 이하로 확장되는 것을 특징으로 하는 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터.
- 제15항에 있어서, 상기 외인성 베이스 영역이 3000Å 이하의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 단일 폴리시리콘 바이폴러 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/380,906 US5541121A (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Reduced resistance base contact method for single polysilicon bipolar transistors using extrinsic base diffusion from a diffusion source dielectric layer |
US08/380,906 | 1995-01-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960030437A true KR960030437A (ko) | 1996-08-17 |
Family
ID=23502910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960001896A KR960030437A (ko) | 1995-01-30 | 1996-01-29 | 확산 소스 유전층으로부터의 외인성 베이스 확산을 이용하여 베이스 접촉부의 저항을 감소시킨 단일 폴리실리콘 바이폴러 트랜지스터 및 그 형성 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5541121A (ko) |
EP (1) | EP0724297A1 (ko) |
JP (1) | JPH08236538A (ko) |
KR (1) | KR960030437A (ko) |
TW (1) | TW309637B (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5858828A (en) * | 1997-02-18 | 1999-01-12 | Symbios, Inc. | Use of MEV implantation to form vertically modulated N+ buried layer in an NPN bipolar transistor |
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FR2794285B1 (fr) * | 1999-05-31 | 2001-08-10 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de dispositifs bipolaires a jonction base-emetteur autoalignee |
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US6911681B1 (en) | 2004-04-14 | 2005-06-28 | International Business Machines Corporation | Method of base formation in a BiCMOS process |
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US7157342B1 (en) | 2004-12-29 | 2007-01-02 | T-Ram Semiconductor, Inc | Thyristor-based semiconductor memory device and its method of manufacture |
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Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-01-30 US US08/380,906 patent/US5541121A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 US US08/486,910 patent/US6028345A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-17 EP EP96100664A patent/EP0724297A1/en not_active Withdrawn
- 1996-01-29 KR KR1019960001896A patent/KR960030437A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-01-29 JP JP8013224A patent/JPH08236538A/ja active Pending
- 1996-03-22 TW TW085103441A patent/TW309637B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0724297A1 (en) | 1996-07-31 |
TW309637B (ko) | 1997-07-01 |
US5541121A (en) | 1996-07-30 |
JPH08236538A (ja) | 1996-09-13 |
US6028345A (en) | 2000-02-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |