KR960019317A - 상이한 전력 전압을 선택적으로 공급하는 간단하고 안정된 전환 회로를 갖는 반도체 장치 - Google Patents

상이한 전력 전압을 선택적으로 공급하는 간단하고 안정된 전환 회로를 갖는 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

전기적으로 삭제 가능하고 프로그램 가능한 ROM 장치는 전력 분배 라인(37)을 통하여 로우 어드레스 디코더 장치(33)에 라이트-인 전압(Vpp)과 리드-아웃 전압(Vcc)을 선택적으로 공급하기 위하여 라이트 이네이블 신호(WE)에 응답하는 공급 전압 전환 회로(31)를 포함하며, 공급 전압 번환 회로는 라이트-인 전압 라인과 전력 분배 라인에 각각의 게이트 전극이 결합된 제1 및 제2p채널 인헨스먼트형 트랜지스터(Qp31/Qp32)와 전력 분배 라인에 게이트 전극이 결합된 제3p채널 인헨스먼트형 트랜지스터(Qp33)와 라이트 이네이블 신호가 구동 레벨에 있는 경우에 접지 레벨의 제1 및 제2제어 신호(IN31/IN32)와 전력 분배 라인과 동일한 전위 레벨의 제3제어 신호(IN33)를 제1 및 제2p채널 인헨스먼트형 트랜지스터와 제3p채널 인헨스먼트형 트랜지스터에 공급하기 위하여 라이트 이네이블 신호에 응답하는 제어 부회로(31a)를 포함한다.

Description

상이한 전력 전압을 선택적으로 공급하는 간단하고 안정된 전환 회로를 갖는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제13도는 본 발명에 의한 전기적으로 삭제 가능하고 프로그램 가능한 플래시-라이트 ROM 장치의 회로도,
제14도는 전기적으로 삭제 가능하고 프로그램 가능한 플래시-라이트 ROM 장치용으로 가능한 또다른 공급전압 전환 회로도.

Claims (11)

  1. 복수개의 전력 공급 라인(20l-20n;Vpp/Vcc)을 전력 분배라인(21)에 선택적으로 결합시키기 위하여 상기 복수개의 전력 공급 라인과 전력 분배 라인(21) 사이에 결합된 전환 부분과, 상기 전환 부분을 제어기위하여 상기 전환 부분에 결합에 제어 부회로(22;13a)를 구비하는 반도체 집적 회로 장치내의 공급 전압 전환회로에 있어서, 상기 전환 부분은 상기 전력 분배 라인(21) 및 전력 전압이 상이한 복수개의 전력 공급 라인(Vpp/Vcc)과 결합된 복수개의 제1직렬 부회로(21l-21n-1;31b/31c)를 포함하며, 상기 복수개의 제1직렬 부회로 각각은 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 결합된 제1소오스 노드(S)와 제1게이트 전극(G)과 제1드레인 전극(D)을 갖는 제1p채널 인헨스먼트형 트랜지스터(Qp(1)/Qp(3)/Qp(2i-1)/Qp(2n-3);Qp31;Qp31/Qp34)와 상기 제1드레인 노드와 결합된 제2소오스 노드(S)와 상기 전력 분배 라인과 결합된 제2게이트 전극(G)과 제2드레인 전극(D)을 갖는 제2p채널 인헨스먼트형 트랜지스터(Qp(2)/Qp(4)/Qp(2i)/Qp(2n-2);Qp32;Qp32/Qp33)로 구성되며, 상기 제어 부회로(22;31a)는 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나를 나타내는 선택 신호(SEL;WE)에 응답하여 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 결합된 상기 제1p채널 인헨스먼트형 트랜지스터의 제1임계 레벨의하여 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 연관된 전력 전압보다 낮은 제1소정 전위 레벨(GND)의 제1제어 신호(IN1/IN3/IN2i-1/IN2i-3;IN31)와, 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 연관된 상기 제2p채널 인헨스먼트형 트랜지스터의 제2임계 레벨의하여 상기 전력 배분 라인의 전위 레벨보다 낮은 제2소정 전위 레벨(GND)의 제2제어 신호(IN2/IN4/IN2i/IN28-2;IN32/IN33)와, 상기 복수개의 전력 공급 라인의 나머지 각각의 전력 전압과 동일한 제3소정 전위 레벨의 제3제어 신호(IN1/IN3/IN2i-1/IN2i-3;IN31)와, 상기 전력 분배 라인의 전위 레벨과 동일한 제4소정 전위 레벨의 제4제어 신호(IN2/IN4/IN2i/IN2i-2;IN32/IN33)를 발생시키며, 상기 제1제어 신호는 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 결합된 제1p채널 인헨스먼트형 트랜지스터의 제1게이트 전극에 공급되며, 상기 제2제어 신호는 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 연관된 상기 제2p채널 인헨스먼트형 트랜지스터의 제2게이트 전극에 공급되며, 상기 제2제어 신호는 상기 복수개의 전력 공급 라인의 나머지와 결합된 상기 제1p채널 인헨스먼트형 트랜지스터의 제1게이트 전극에 공급되며, 상기 제4제어 신호는 상기 복수개의 전력 공급 라인의 나머지와 결합된 상기 제2p채널 인헨스먼트형 트랜지스터의 제2게이트 전극에 공급되는 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 제1직렬 부회로 중의 하나는 제3소오스노드(S)와 상기 전력 분배 라인과 결합된 제3드레인 노드와 제3게이트 전극을 갖는 제3p채널 인헨스먼트형 트랜지스터(Qp(2n-1);Qp33)를 포함하는 제2직렬 부회로(21n;31c)로 대체되며, 상기 선택 신호가 상기 최저 전압 공급 라인을 나타내는 경우에 상기 제2제어 신호(IN2n-1;IN33)는 상기 제3게이트 전극에 공급되며, 상기 선택 신호가 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나를 나타내는 경우에 상기 제4제어 신호(IN2n-1;IN33)는 상기 제3게이트 전극에 공급되는 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1소정 전위 레벨과 상기 제2소정 전위 레벨은 접지 레벨인 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 집적 회로 장치는 전기적으로 삭제가능하고 프로그램가능한 ROM 장치이며, 상기 복수개의 직렬 부회로(31b/31c)는 라이트-인 전압 라인(Vpp)과 상기 전력 분배 라인(37)사이 및 리드-아웃 전압 라인(Vcc)과 상기 전력 분배 라인(37)사이에 각각 결합되며, 상기 라리트-인 전압 라인의 전위 레벨은 상기 리드-아웃 라인의 전위 레벨보다 더 높은 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제2직렬 부회로(31c)와 또 다른 복수개의 상기 제1직렬 부회로(31b)는 라이트-인 전압 라인(Vpp)과 상기 전력 분배 라인(37) 사이 및 리드-아웃 전압 라인(Vcc)과 상기 전력 분배 라인(37)사이에 각각 결합되며, 상기 라이트-인 전압라인의 전위 레벨은 상기 리드-아웃 전압 라인의 전위 레벨보다 더 높은 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어 부회로는 상기 복수개의 제1직렬 부회로와 연관된 복수개의 전환 장치(221-22n-1)를 포함하며, 상기 복수개의 전환 장치 각각은 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 상기 제1소정 전위 레벨 소오스에 의하여 전력이 인가되는 제1논리 게이트(INV1)와 전력 분배 라인 및 상기 제2소정 전위 레벨 소오스에 의하여 전력이 인가되는 제2논리 게이트(INV2)를 포함하며, 상기 제1 및 제2논리게이트(INV1/INV2)는 상기 선택신호의 신호 비트에 응답하여 상기 제1제어 신호 또는 상기 제3제어 신호와 상기 제2제어 신호 또는 상기 제4제어 신호를 발생시킴을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2논리 게이트는 반전기인 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1소정 전위 레벨과 상기 제2소정 전위 레벨인 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  9. 제2항에 있어서, 상기 제어 부회로는 상기 제2직렬 부회로(21n)와 연관된 복수개의 전환 장치(22l-22n)와 상기 복수개의 제1직렬 부회로(21l-21n-1)의 나머지를 포함하며, 상기 복수개의 제1직렬 부회로의 나머지와 연관된 상기 복수개의 전환 장치(22l-22n-1) 각각은 상기 복수개의 전력 공급 라인중의 하나와 상기 제1소정 전위 레벨 소오스에 의하여 전력이 인가되는 제1논리 게이트(INV1)와 상기 전력 분배 라인과 상기 제2소정 전위 레벨 소오스에 의하여 전력이 인가되는 제2논리 게이트를 가지며, 상기 제2직렬 부회로와 연관되어 있는 상기 전환 장치(22n)는 상기 제2소정 전위 레벨 소오스와 상기 전력 분배 라인에 의하여 전력이 인가되는 제3논리 게이트(INV3)를 가지며, 상기 제1 및 제2논리 게이트(INV1/INV2)는 상기 선택신호의 신호 비트에 응답하여 상기 제1제어 신호 또는 상기 제3제어 신호 및 상기 제2제어 신호 또는 상기 제4제어 신호를 발생시키며, 상기 제3논리 게이트(INV3)는 상기 선택 신호의 또다른 신호 비트에 응답하여 상기 제2제어 신호 또는 상기 제4제어신호를 발생시킴을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 및 제3 논리 게이트는 반전기인 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1소정 전위 레벨과 상기 제2소정 전위 레벨은 접지 레벨인 것을 특징으로 하는 공급 전압 전환 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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