KR960003068A - 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스(mos)작동 트랜스컨덕턴스 증폭기 - Google Patents

적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스(mos)작동 트랜스컨덕턴스 증폭기 Download PDF

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Abstract

MOS OTA는 회로의 크기를 증가시키지 않고 넓은 입력 전압의 범위내에서 우수한 트랜스컨덕턴스 선형성을 제공하고 반도체 집적회로 장치상에 형되어지는 것을 가능하게 한다.
상기 MOS OTA는 서로 결합된 제1,2 MOSFET의 차동 쌍과,쿼드 특성을 갖는 그의 출력신호에 의해 차동쌍을 구동하는 쿼드리테일 회로를 포함한다.
상기 쿼드리테일 회로는 제3,4 MOSFET의 제1트랜지스터, 제5,6 MOSFET의 제2트랜지스터 쌍 및 상기 제 1,2 트랜지스터 쌍을 구동하는 정 전류원 또는 싱크를 포함한다.
제3,4 MOSFET의 게이트에는 차동 입력신호가 인가된다.제5,6 MOSFET의 게이트는 차동 입력신호의 직류 전압이 인가되도록 서로 결합된다.
상기 차동 쌍의 트랜스컨덕턴스 선형성은 쿼드리테일 회로의 출력 전류에 의해 보상된다.

Description

적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스(MOS)작동 트랜스컨덕턴스 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 제1실시예에 따른 적응 바이어스 MOS OTA의 회로 블럭도.

Claims (7)

  1. 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기에 있어서,(a)소오스가 서로 결합된 제1,2 MOSFET의 차동 쌍과,(b)쿼드 특성을 갖는 그의 출력신호로 상기 차동 쌍을 구동하는 쿼드리테일 회로와,(c)제1,2MOSFET의 교차 게이트에 인가되는 차동 입력신호와,(d)상기 제1,2 MOSFET의 교차 게이트로부터 유도되는 차동출력 신호와,(e)제3,4MOSFET 의 제1트랜지스터 쌍,제5,6 MOSFET의 제2트랜지스터 쌍 및 상기 제1,2 트랜지스터 쌍을 구동하는 정 전류원 또는 싱크와,상기 정 전류원 또는 싱크에 접속 되도록 서로 결합되는 상기 제3,4,5,6 MOSFET의 소오스와,서로 결합되는 상기 제1트랜지스터 쌍의 제3,4 MOSFET의 드레인과,서로 결합되는 상기 제2트랜지스터 제5,6 MOSFET의 드레인과,제3,4 MOSFET의 결합된 드레인과 상기 제5,6 MOSFET의 결합된 드레인중 하나로 부터 유도되는 쿼드리테일 회로의 상기 출력신호와,상기 차동 입력 신호가 인가되는 상기 제3,4 MOSFET 의 게이트와,상기 차동 입력신호의 직류전압이 인가되도록 서로 결합되는 제5,6MOSFET의 게이트를 포함하는 쿼드리테일 회로와,(f)상기 출력 신호와 상기 쿼드리테일 회로에 의해 보상되는 상기 차동 쌍의 트랜스컨덕턴스 비 선형성을 포함하는 것을 특징으로 하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
  2. 제1항에 있어서,상기 제3,5 MOSFET의 상기 게이트 사이에 접속되느 제1저항과,상기 제4,6 MOSFET의 상기 게이트 사이에 접속되는 제2저항을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
  3. 제2항에 있어서,상기 제1,2 저항의 저항성은 서로 같은 것을 특징으로 하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
  4. 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기에 있어서,(a)그의 테일 전류에 의해 구동되며 소오스가 서로 결합된 제1,2 MOSFET의 차동 쌍과,(b)쿼드 특성을 갖는 출력 회로인 쿼드리테일회로와,(c)상기 차동 쌍의 상기 테일 전류와 상기 쿼드리테일 회로의 상기 출력 전류 사이에 주어진 관계식을 산출하는 전류 조정회로와,,(d)상기 제1,2 MOSFET의 교차 게이트에 인가되는 차동 입력신호와,(e)상기 제 1,2 MOSFET의 드레인으로 부터 유도되는 차동 출력 신호와,(f)제3,4 MOSFET 의 제1트랜지스트 쌍,제5,6 MOSFET의 제2트랜지스터 쌍 및 상기 제1,2트랜지스터 쌍을 구동하는 정 전류원 또는 싱크와,상기 정전류원 또는 싱크에 접속되도록 서로 결합되는 상기 3,4,5,6 MOSFET의소오스와,서로 결합되는 상기 제1트랜지스터 쌍의 제 3,4 MOSFET의드레인과,서로 결합되는 상기 제2트랜지스터 쌍의 제5,6 MOSFET의드레인과,상기 제3,4 MOSFET의 결합된 드레인과,제5,6 MOSFET 의 결합된 드레인중 하나로 부터 유도되는 상기 쿼드리테일 회로의 상기 출력 신호와,상기 차동 입력신호가 인가되는 제 3,4, MOSFET 의 게이트와,상기 차동입력신호의 직류전압이 인가되도록 서로 결합되는 제5,6 MOSFET의 게이트를 포함하는 쿼드리테일 회로와,(g)상기 쿼드리테일 회로의 상기 입력신호에 의해 보상되는 상기 차동 쌍의 트랜스컨덕턴스 선형성을 포함하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
  5. 제4항에 있어서,상기 제 3.5 MOSFET의 상기 게이트 사이에 접속되는 제1저항과,상기 제4,6 MOSFET의 게이트 사이에 접속되는 제2저항을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
  6. 제5항에 있어서,상기 제1,2저항의 저항성은 서로 같은 것을 특징으로 하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
  7. 제4항에 있어서,상기 전류 조정회로는 전류 미러 회로인 것을 특징으로 하는 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015257A 1994-06-09 1995-06-09 적응 바이어스 차동 쌍을 이용한 모스 작동 트랜스컨덕턴스 증폭기 KR0143322B1 (ko)

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