KR940012802A - 모스(mos) 기법 증폭기 회로 - Google Patents

모스(mos) 기법 증폭기 회로 Download PDF

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KR940012802A
KR940012802A KR1019930023261A KR930023261A KR940012802A KR 940012802 A KR940012802 A KR 940012802A KR 1019930023261 A KR1019930023261 A KR 1019930023261A KR 930023261 A KR930023261 A KR 930023261A KR 940012802 A KR940012802 A KR 940012802A
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Inventor
시빈크 에베르트
헨드리크 볼트 야콥
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
필립스 일렉트로닉스 엔. 브이.
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
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    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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Abstract

이런 유형의 증폭기 회로가 현대 MOS기법으로 실현될 때, 비선형 왜곡은 작은 크기로 인한 채널 영역에서의 고 필드 세기의 결과서 발생한다.
본 발명은 상기 왜곡을 제거하고 노이즈를 줄이는 것을 목적으로 한다.
이것은 상기 증폭기 회로가 롱 테일 페어로서 흔히 언급되는 것을 형성하며 상기 제1의 직렬 결합체와 동일한 제2의 직렬 결합체를 구비하는데에서 얻어지는데, 상기 롱 테일 페어 회로는 전압 분할기에 의해 상기 롱 테일 페어 회로에서의 트랜지스터들은 상호 동일하다.

Description

모스(MOS) 기법 증폭기 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 증폭기 회로를 도시한 도면.
제2도는 제1도에 도시된 증폭기 회로에 대한 양호한 실시예를 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 제1 MOS 트랜지스터 및 제2 MOS 트랜지스터의 주(main) 전류 경로를 갖는 제1의 직렬 결합체를 구비하는 MOS 기법 증폭기 회로로서, 상기 증폭기 회로의 입력은 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극에 결합되고, 상기 증폭기 회로의 출력은 상기 제1트랜지스터의 드레인 전극에 결합되고 상기 제2트랜지스터의 게이트 전극은 드레인 전극에 결합되는 MOS 기법 증폭기 회로에 있어서, 상기 증폭기 회로는 제3 MOS 트랜지스터 및 제4 MOS 트랜지스터의 주 전류 경로를 포함하며 상기 제1의 직렬 결합체와 동일한 제2의 직렬 결합체를 구비하며, 상기 증폭기 회로의 또다른 입력은 상기 제3 MOS 트랜지스터의 게이트 전극에 결합되고, 제1 MOS 트랜지스터와 제3 MOS 트랜지스터의 소스 전극은 상호 결합되어 전류원에 결합되며, 상기 제2 MOS 트랜지스터와 제4 MOS트랜지스터의 드레인 전극은 상호 결합되고, 상기 제1 MOS 트랜지스터와 제3 MOS 트랜지스터의 드레인 전극은 차동 증폭기에 접속되며, 상기 차동 증폭기의 출력은 상기 증폭기의 출력에 결합되며, 또한, 제1레지스터 및 제2레지스터의 직력 결합체를 경유하여, 제2 MOS 트랜지스터 및 제4 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 결합되고, 상기 제1 레지스터와 제2 레지스터의 접합은 제4트랜지스터의 게이트 전극에 결합되고, MOS 트랜지스터들은 상호 동일한 것을 특징으로 하는 MOS 기법 증폭기 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차동 증폭기 회로는 제5 MOS 트랜지스터와 제6 MOS 트랜지스터의 주 전류 경로를 갖는 제3의 직렬결합체와, 제7 MOS 트랜지스터와 제8 MOS 트랜지스터의 주 전류 경로를 포함하며 상기 제3의 직렬 결합체와 동일한 제4의 직렬 결합체를 구비하는데, 상기 제5 MOS 트랜지스터와 제7 MOS 트랜지스터의 소스전극은 상호 접속되며, 제2전류원을 경유하여, 상기 제2 MOS 트랜지스터 및 제4 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 상기 제5 MOS 트랜지스터 및 제7 MOS 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 차동 증폭기의 입력을 형성하고, 상기 제6 MOS 트랜지스터 및 제8 MOS 트랜지스터의 게이트 전극은 상호 결합되어 상기 제8 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 접합되며, 상기 증폭기 회로는 그 소스 전극이 제6 MOS 트랜지스터와 제8 MOS 트랜지스터 및 전력 공급 단자에 결합되며, 그 게이트 전극이 상기 제6 트랜지스터의 드레인 전극에 결합되는 제9 MOS 트랜지스터를 구비하며, 상기 제9 MOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 증폭기 회로의 출력을 형성하며, 상기 제5 MOS 트랜지스터 및 제7 트랜지스터는 상기 추가적인 MOS 트랜지스터에 상보적인 것을 특징으로 하는 MOS 기법 증폭기 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023261A 1992-11-17 1993-11-04 모스 기술 증폭기 회로 KR100284628B1 (ko)

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