KR950034741A - 산화물 전극을 이용한 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치의 커패시터 형성방법에 개시되어 있다. 반도체 기판상에 제1산화물 전극을 형성하고, 상기 제1산화물 전극 상에 유전막을 형성한 다음, 상기 유전막 상에 제2산화물 전극을 형성한다. 저저항의 산화물을 이용하여 전극을 형성함으로써, 접착 특성을 개선함과 동시에 전극의 산화를 방지하고, 커패시턴스의 저하를 방지하며, 구조적으로 간단하면서도 신뢰성 있는 커패시터를 제조할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 따르는 반도체 장치의 산화물 전극을 이용한 커패시터 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (6)
- 반도체 기판 상에 제1산화물 전극을 형성하는 단계; 상기 산화물 전극 상에 유전막을 형성하는 단계; 및 상기 유전막 상에 제2산화물 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2산화물 전극은 Bi2Ru2O7의 단일층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2산화물 전극은 폴리실리콘/Bi2Ru2O7의 이중층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 폴리 실리콘층의 두께는 전체 두께에 대해 5∼95%로 변화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2산화물 전극은 500∼5000A의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유전막은 PbZrO3, PbTiO3, BaTiO3, SrTiO3, PLZT, PLT, PT, ST, 및 Ta2O5등의 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR950034741A true KR950034741A (ko) | 1995-12-28 |
| KR0150985B1 KR0150985B1 (ko) | 1998-10-01 |
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ID=19383397
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0150985B1 (ko) |
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1994
- 1994-05-19 KR KR1019940010949A patent/KR0150985B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0150985B1 (ko) | 1998-10-01 |
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