KR970024140A - 강유전체 커패시터를 가지는 반도체 장치 - Google Patents

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KR970024140A
KR970024140A KR1019950034921A KR19950034921A KR970024140A KR 970024140 A KR970024140 A KR 970024140A KR 1019950034921 A KR1019950034921 A KR 1019950034921A KR 19950034921 A KR19950034921 A KR 19950034921A KR 970024140 A KR970024140 A KR 970024140A
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강창석
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

강유전체 커패시터의 상부전극과 동일한 원소가 함유된 금속배선을 가지는 반도체 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 하부전극, 강유전체막, 및 상부전극으로 구성되는 강유전체 커패시터가 형성된 반도체 장치에 있어서, 상기 상부전극 상에 마련되는 금속배선은 상기 상부전극의 원소가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다. 상기 상부전극은 백금족 원소 또는 백금족 원소의 산화물로 이루어지며, 상기 백금족 원소는 Pt, Ir, Ru, 및 Pd으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 구성한다. 또한 상기 금속배선은 Al, Cu 및 Au으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 구성한다. 본 발명은 강유전체 커패시터의 상부 전극 상에 형성되는 금속배선에 상기 상부전극의 원소를 함유시켜 상호확산을 방지 할 수 있다.

Description

강유전체 커패시터를 가지는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 강유전체 커패시터를 갖는 반도체 장치를 도시한 단면도이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 상에 하부전극, 강유전체막, 및 상부전극으로 구성되는 강유전체 커패시터가 형성된 반도체 장치에 있어서, 상기 상부전극 상에 마련되는 금속배선은 상기 상부전극의 원소가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부전극은 백금족 원소 또는 백금족 원소의 산화물로 이루어진 막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 백금족 원소는 Pt, Ir, Ru, 및 Pd으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 반도체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속배선은 Al, Cu 및 Au으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 강유전체막은 Bi4Ti3O12, SrBi2Ta2O9, PZT, PbTiO3, PbLaTiO3, BaTiO3, Bi3Ti4O12, BST 및 STO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034921A 1995-10-11 1995-10-11 강유전체 커패시터를 가지는 반도체 장치 KR970024140A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100602289B1 (ko) * 1998-02-16 2006-07-14 지멘스 악티엔게젤샤프트 적어도 하나의 커패시터를 갖는 회로 및 그 제조 방법

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KR100602289B1 (ko) * 1998-02-16 2006-07-14 지멘스 악티엔게젤샤프트 적어도 하나의 커패시터를 갖는 회로 및 그 제조 방법

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