KR970004087A - 박막 커패시터 - Google Patents

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KR970004087A
KR970004087A KR1019950015193A KR19950015193A KR970004087A KR 970004087 A KR970004087 A KR 970004087A KR 1019950015193 A KR1019950015193 A KR 1019950015193A KR 19950015193 A KR19950015193 A KR 19950015193A KR 970004087 A KR970004087 A KR 970004087A
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KR
South Korea
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thin film
lower electrode
film capacitor
high dielectric
barrier layer
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Application number
KR1019950015193A
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English (en)
Inventor
김광영
Original Assignee
구자홍
Lg 전자 주식회사
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Publication date
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 커패시터에 관한 것으로, 하부전극, 고유전율 박막, 상부전극의 다층막으로 구성되는 박막커패시터 제조시, 상ㆍ하부전극을 산화물 전도성 박막으로 구성한 것이다.
본 발명은 실리콘기판과, 상기 실리콘기판 상부에 형성된 산화물 전도성박막으로 이루어진 하부전극, 상기 하부전극과 실리콘기판 사이에 형성되며 상기 산화물 전도성 박막을 이루는 전도성 물질로 이루어진 확산방지층, 상기 하부 전극 전면에 형성된 고유전박막, 및 상기 고유전박막 전면에 형성되며 상기 하부전극을 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어진 상부전극을 구성된 박막 커패시터를 제공한다.

Description

박막 커패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 박막 커패시터 단면도, 제4도는 RIE를 이용한 식각시 RF파워에 따른 RuO2와 Pt의 식각 속도를 비교하여 나타낸 도면, 제5도는 본 발명의 커패시터 단위면적당 축전용량을 도시한 도면, 제6도는 Ru-Ti혼합물을 확산방지층으로 사용했을때의 반응 모델.

Claims (10)

  1. 실리콘기판과, 상기 실리콘기판 상부에 형성된 산화물 전도성박막으로 이루어진 하부전극, 상기 하부전극과 실리콘기판 사이에 형성되며 상기 산화물 전도성 박막을 이루는 전도성 물질로 이루어진 확산방지층, 상기 하부 전극 전면에 형성된 고유전박막, 및 상기 고유전박막 전면에 형성되며 상기 하부전극을 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어진 상부전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 RuO2박막으로 이루어지고, 확산방지층은 Ru로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 IrO2박막으로 이루어지고, 확산방지층은 Ir로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 SrRuTiO3로 이루어지고, 확산방지층은 Ru로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 RuO2또는 SrRuO3로 이루어지고, 확산방지층은 Ru -Ti합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고유전박막은 (Br,Sr)TiO3로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 확산방지층은 10∼200nm의 두께를 가짐을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 50∼500㎚의 두께를 가짐을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 고유전박막은 10∼100nm의 두께를 가짐을 특징으로 하는 박막 커패시터.
  10. 제1항에 있어서, 상기 상부전극은 50∼500nm의 두께를 가짐을 특징으로 하는 박막 커패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015193A 1995-06-09 1995-06-09 박막 커패시터 KR970004087A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272390B1 (ko) * 1996-02-13 2000-12-01 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 고유전율 박막 구조 및 고유전율 박막 형성 방법
KR100440072B1 (ko) * 2001-12-10 2004-07-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 캐패시터 형성방법

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