KR970054073A - 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 커패시터 제조 방법 Download PDF

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KR970054073A
KR970054073A KR1019950059247A KR19950059247A KR970054073A KR 970054073 A KR970054073 A KR 970054073A KR 1019950059247 A KR1019950059247 A KR 1019950059247A KR 19950059247 A KR19950059247 A KR 19950059247A KR 970054073 A KR970054073 A KR 970054073A
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이병택
장원준
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 고집적화된 반도체 장치의 커패시터의 유전체막으로 사용되는 다층의 유전체막의 열처리에 의해 커패시터의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 기판상에 커패시터의 하부전극을 형성하는 공정과; 상기 하부전극상에 Ta2O5를 포함한 금속산화막을 이용하여 다층의 유전체막을 형성하는 공정과; 상기 유전체막을 UV-O3어닐링, 드라이 O2어닐링, O2플라즈마를 이용하여 열처리하는 공정과; 상기 유전체막상에 커패시터의 상부전극을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해서, 종래 반도체 장치의 다층의 유전체막을 갖는 커패시터의 누설전류가 증가하고, 이 방법에 의해서, 종래 반도체 장치의 다층의 유전체막을 갖는 커패시터의 누설전류가 증가하고, 유전체막의 파괴전압이 낮아지는 문제를 해결할 수 있고, 아울러 커패시터의 수율 향상이 가능하다.

Description

반도체 장치의 커패시터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 커패시터 형성 방법을 보이는 순차 공정도.

Claims (5)

  1. 기판(10)상에 커패시터의 하부전극(12)을 형성하는 공정과; 상기 하부전극(12)상에 금속산화막을 이용하여 다층의 유전막(14)을 형성하는 공정과; 상기 다층의 유전체막(14)을 후속 열처리(15)하는 공정과; 상기다층의 유전체막(14)상에 커패시터의 상부전극(16)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부전극(12)은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 또는 Mo 또는 W 또는 Ti 또는 Ta 또는 WSi 또는 MOSi 또는 Tisi 또는Tisi 또는 TiN 또는 TaN 또는 Wn 또는 MoN 또는 알루미늄 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다층의 유전체막(14)은 Ta2O5또는 TiO2또는 SnO2또는 ZrO2또는 HfO2또는 WO2또는 Al2O3또는 Cr2O3또는 Y2O3또는 La2O3또는 Bi2O3또는 Tb2O3또는 PbO 또는 BaO 또는 SnO 또는 SrO 또는 MnO 또는 MgO중 적어도 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다층의 유전체막(14)의 각 박막의 두께는 약 100Å 이하의 범위내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 후속 열처리(15) 공정은 UV-O3열처리 방법과 드라이 O2열처리 방법, 그리고 O2플라즈마 방법 중 적어도 하나 이상의 열처리 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
    ※ 참고 사항 : 최초출원 냉용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010088207A (ko) * 2000-03-11 2001-09-26 윤종용 탄탈륨산화막-티타늄산화막 복합유전막 형성방법
KR100373162B1 (ko) * 1999-12-29 2003-02-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100388467B1 (ko) * 2001-06-30 2003-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비스무스-란탄-티타늄 산화막 형성방법
KR100390849B1 (ko) * 2001-06-30 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 하프늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법
KR100390844B1 (ko) * 2001-06-30 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 및 그 형성방법
KR100451501B1 (ko) * 1998-12-30 2004-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리소자의캐패시터형성방법
KR100494124B1 (ko) * 2002-12-09 2005-06-13 주식회사 하이닉스반도체 엠아이엠 구조 캐패시터 형성방법
KR100520140B1 (ko) * 1997-12-31 2005-12-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의캐패시터제조방법
KR100624927B1 (ko) * 1999-08-09 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100685631B1 (ko) * 2000-10-09 2007-02-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
US7320943B2 (en) 2003-12-29 2008-01-22 Hynix Semiconductor Inc. Capacitor with hafnium, lanthanum and oxygen mixed dielectric and method for fabricating the same
KR100854428B1 (ko) * 2004-09-09 2008-08-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박막 커패시터와 그 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억매체
KR100892341B1 (ko) * 2002-05-30 2009-04-08 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터의 제조 방법
KR20160007221A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 삼성전기주식회사 박막 커패시터
US11678476B2 (en) 2020-09-21 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitor and DRAM device including the same

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520140B1 (ko) * 1997-12-31 2005-12-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의캐패시터제조방법
KR100451501B1 (ko) * 1998-12-30 2004-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리소자의캐패시터형성방법
KR100624927B1 (ko) * 1999-08-09 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100373162B1 (ko) * 1999-12-29 2003-02-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR20010088207A (ko) * 2000-03-11 2001-09-26 윤종용 탄탈륨산화막-티타늄산화막 복합유전막 형성방법
KR100685631B1 (ko) * 2000-10-09 2007-02-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
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KR100388467B1 (ko) * 2001-06-30 2003-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비스무스-란탄-티타늄 산화막 형성방법
KR100892341B1 (ko) * 2002-05-30 2009-04-08 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터의 제조 방법
KR100494124B1 (ko) * 2002-12-09 2005-06-13 주식회사 하이닉스반도체 엠아이엠 구조 캐패시터 형성방법
US7320943B2 (en) 2003-12-29 2008-01-22 Hynix Semiconductor Inc. Capacitor with hafnium, lanthanum and oxygen mixed dielectric and method for fabricating the same
US7499259B2 (en) 2003-12-29 2009-03-03 Hynix Semiconductor Inc. Capacitor with hafnium, lanthanum and oxygen mixed dielectric and method for fabricating the same
KR100854428B1 (ko) * 2004-09-09 2008-08-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박막 커패시터와 그 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억매체
KR20160007221A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 삼성전기주식회사 박막 커패시터
US11678476B2 (en) 2020-09-21 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitor and DRAM device including the same
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