KR950030400A - 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체 및 그 제조 방법 - Google Patents
광 투과성 수지로 밀봉된 반도체 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 내후성, 내열성 및 난연성이 우수하고, 수분 침투로 인해 장기간 동안 광기전력 소자의 성능 열화를 최소한으로 제한하며, 반도체 소자를 보호하는데 필요한 고무 강성을 갖고 있고, 불연성 또는 난연성인 표면 피복제를 갖고 있는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 피복제가 광기전력 소자(101)의 입사광 측의 표면에 제공되고, 주 성분으로서 비닐리덴 플루오라이드 및 헥사플루오프로필렌을 포함하는 가교형 다원 공중합체인 투명 필러(102)를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체 디바이스의 예를 도시하는 개략 단면도, 제2A도 및 제2B도는 제1도에 도시된 태양 전지 모듈에 사용된 광전 트랜스듀서의 기본 구조의 예를 도시한 것으로, 제2A도는 개략적인 단면도이고, 제2B도는 상부 평면도.
Claims (21)
- 광전 트랜듀서의 입사광 측의 표면에 제공된 피복제, 및 주성분으로서 비닐리덴 플루오라이드(vinylidene fluoride) 및 헥사플루오르프로필렌(hexafluorpropylene)을 포함하는 가교형 다원 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제1항에 있어서, 상기 다원 공중합체는 50 내지 85몰%의 비닐리덴 플루오파이드 및 15 내지 50몰%의 헥사플루오르프로필렌을 포함하는 이원 공중합체, 또는 50-x 내지 85-x몰%의 비닐리덴 플루오라이드, 15 내지 50몰%의 헥사플루오르프로필렌 및 x몰%의 테트라플루오르에틸렌(x는 1 내지 30)을 포함하는 삼원 공중 합체, 또는 그의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제1항에 있어서, 상기 다원 공중합체는 폴리머 체인의 단부에 브롬 원자를 갖고 있고, 브롬 원자의 가교점에 유기 과산화물에 의해 가교된 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제1항에 있어서, 상기 피복제는 실란 커플링제를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제1항에 있어서, 40 내지 60%증량의 플루오르를 포함하는 표면막은 상기 피복제 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제5항에 있어서, 상기 표면막은 에틸렌 테트라플루오라이드-에틸렌 공중합체(ethylene tetrafluoride-ethylene copolymer)인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제5항에 있어서, 상기 표면막은 연신 처리되지 않은 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제1항에 있어서, 상기 광기전력 소자는 광 피복제로서의 반도체 광활성층 및 도전성 기판 상의 투명 도전층으로 형성된 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제8항에 있어서, 상기 반도체 광활성층은 바단결정 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 제9항에 있어서, 상기 비단결정 반도체 박막은 비결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체.
- 광전 트랜듀서의 입사광 측의 표면에 제공된 피복제가 필러 및 상기 필러의 최외측 표면에 제공된 표면막을 포함하는 2개의 층을 갖는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법에 있어서, 주 성분으로서 비닐리덴 플루오라이드 및 헥사플루오르프로필렌을 포함하는 플루오르가 함유된 다원 공중합체로 주로 구성된 수지가 가교제에 첨가되고, 막 내에 형성되어 시트 형태의 필러를 제조하는 스텝, 및 상기 필러층 및 플루오르수지를 포함하는 표면막이 광전 트랜듀서에 적층된 후, 상기 광전 트랜듀서, 상기 필러 및 상기 표면막이 열적 결합됨과 동시에 상기 필러가 가교되는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조방법.
- 광전 트랜듀서의 입사광 측의 표면에 제공된 피복제가 필러 및 상기 필러의 최외측 표면에 제공된 표면막을 포함하는 2개의 층을 갖는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조방법에 있어서, 주 성분으로서 비닐리덴 플루오라이드 및 헥사플루오르프로필렌을 포함하는 플루오르가 함유된 다원 공중합체로 주로 구성된 수지 및 가교제가 용액에 용해되고, 그 결과가 상기 광전 트랜듀서에 도포된 후, 건조시켜 상기 광전 트랜듀서에 필러를 형성하는 스텝, 및 플루오르수지를 포함하는 표면막이 상기 필러에 적층된 후, 상기 필러 및 상기 표면막이 열적 결합됨과 동시에 상기 필러가 가교되는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.
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- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다원 공중합체는 50 내지 85몰%의 비닐리덴 플루오라이드 및 15 내지 50몰%의 헥사플루오르프로필렌을 포함하는 이원 공중합체, 또는 50-x 내지 85-x몰%의 비닐리덴 플루오라이드, 15 내지 50몰%의 헥사플루오르프로필렌 및 x몰%의 테트라플루오프에틸렌(x는 1 내지 30)을 포함하는 삼원 공중합체, 또는 그의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필러는 열 접착시에 유기 과산화물에 의해 가교되는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 실란 커플링제는 상기 필러에 첨가되는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면막은 에틸렌-테트라플루오라이드에틸렌 공중합체인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면막은 연신 처리를 하지 않는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광전 트랜듀서는 광 변환 부재로서의 반도체 광활성층 및 도전 기판상에 투명 도전층을 제공함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 광활성층은 비단결정 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비단결정 반도체 박막은 비결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 광 투과성 수지로 밀봉된 반도체의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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