JPS6066871A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPS6066871A JPS6066871A JP58175187A JP17518783A JPS6066871A JP S6066871 A JPS6066871 A JP S6066871A JP 58175187 A JP58175187 A JP 58175187A JP 17518783 A JP17518783 A JP 17518783A JP S6066871 A JPS6066871 A JP S6066871A
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- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical class FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- -1 trifluoroethylene, tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 5
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 5
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDEZYHHMIZHERM-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(fluoranyl)ethene Chemical compound FC(F)=C.FC(F)=C WDEZYHHMIZHERM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000013527 bean curd Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 201000009240 nasopharyngitis Diseases 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006112 polar polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、無機゛)′導体と高分子からなる複合系尤起
−1力素了に関するものである。
−1力素了に関するものである。
光起市山土rは典型的には、ケイ素、ケルマニ・“)i
・′への中本−晶にp II相接合形成させ、光エネル
A゛−を゛電気工ネルキーに変換するものであるが、+
14 ’kになって、<σ届とフタロシアニン、メロシ
アニン等の有機色素との間に接合を形成したり1品分子
−中にフタロシアニン1の有機色素を分1我したものを
金属と接合することにより、光エネルギーを電気工ネル
キーに変換する、いわゆるイI機先起゛屯力素子もしく
は有機太陽゛1に池か研究されている(たとえば、J、
Chem、 Phys、 71(3) 1211−1
217頁)。この中でも高分子中にイf a色素微Rf
を分11シI7た、いわゆる分散型有機太陽′−し池は
製造山状かきわめて簡単で、コストか安く、大面イ」−
素rかイ′1りやすい等の特徴を右するものである。
・′への中本−晶にp II相接合形成させ、光エネル
A゛−を゛電気工ネルキーに変換するものであるが、+
14 ’kになって、<σ届とフタロシアニン、メロシ
アニン等の有機色素との間に接合を形成したり1品分子
−中にフタロシアニン1の有機色素を分1我したものを
金属と接合することにより、光エネルギーを電気工ネル
キーに変換する、いわゆるイI機先起゛屯力素子もしく
は有機太陽゛1に池か研究されている(たとえば、J、
Chem、 Phys、 71(3) 1211−1
217頁)。この中でも高分子中にイf a色素微Rf
を分11シI7た、いわゆる分散型有機太陽′−し池は
製造山状かきわめて簡単で、コストか安く、大面イ」−
素rかイ′1りやすい等の特徴を右するものである。
これらの分散型有機太陽11池においては、そのエネル
ギー変換効−(べが、へインターポリマーの種灯1によ
って大きく影響を受けることがtμm1fされており(
例えば]」本化学会第44秋手づ1会、勃2L04 (
1981) ヲ参!!(D 、 イ」4戊’l’−A(
4ト品分(の界面状態が電荷分離に弔問な役:’!iを
になうことか指摘されている。
ギー変換効−(べが、へインターポリマーの種灯1によ
って大きく影響を受けることがtμm1fされており(
例えば]」本化学会第44秋手づ1会、勃2L04 (
1981) ヲ参!!(D 、 イ」4戊’l’−A(
4ト品分(の界面状態が電荷分離に弔問な役:’!iを
になうことか指摘されている。
力、無機半導体と高分子の複合素rについては、界面現
象を用いた例としては、S ! QX#+’i品を用い
たFETのゲートにイオン選択+1の品分1’ IIω
を用いてf+られた絶縁11つ)を1没けることにより
、イぢノの吸ノ1によるケーi・’11位の変化を利用
したイオノセッサ′へに紀、川されている例はあるが、
無機1′塀休とl;71分子の複合系を用いた光゛電池
もしくは人r1,1屯池、光センサ″9の光起電力木r
に関する報l’lはこれまではとんとなされていない。
象を用いた例としては、S ! QX#+’i品を用い
たFETのゲートにイオン選択+1の品分1’ IIω
を用いてf+られた絶縁11つ)を1没けることにより
、イぢノの吸ノ1によるケーi・’11位の変化を利用
したイオノセッサ′へに紀、川されている例はあるが、
無機1′塀休とl;71分子の複合系を用いた光゛電池
もしくは人r1,1屯池、光センサ″9の光起電力木r
に関する報l’lはこれまではとんとなされていない。
本発明は、IL較的容易に形成u)能な無機゛1′1′
導末と高分子との複合系を利用した光起電力素子を提供
することを目的とする。
導末と高分子との複合系を利用した光起電力素子を提供
することを目的とする。
本発明りらは、1.述のII的で研究した結果、無機’
P・q体粉末?lj独の圧粉成形体を用いるときに比・
\−(−迎、機゛l’: 、’jj一体粉末表面をフン
化ヒニリデン重「1体で被覆したものの1粉成形体を用
いれば、特に”l 硯L i¥1域上(〕波長側で、開
放端′市川(V oc)おj、 U′AII絡゛屯流(
I sc)で代表される光起電効−4べが+I゛1L−
(向1することを見出した。
P・q体粉末?lj独の圧粉成形体を用いるときに比・
\−(−迎、機゛l’: 、’jj一体粉末表面をフン
化ヒニリデン重「1体で被覆したものの1粉成形体を用
いれば、特に”l 硯L i¥1域上(〕波長側で、開
放端′市川(V oc)おj、 U′AII絡゛屯流(
I sc)で代表される光起電効−4べが+I゛1L−
(向1することを見出した。
侵、i7明の光起゛屯力2も1°は、このような知見に
基″)〈t〕のであり、より、i’fシ<は、フン化ビ
ニリゾ・−<IN・1・合体薄11りで被1”Qした無
機半導体粉末の圧粉成11::、 tivの両側に電極
を設けてなることを11□′F徴とするものである。
基″)〈t〕のであり、より、i’fシ<は、フン化ビ
ニリゾ・−<IN・1・合体薄11りで被1”Qした無
機半導体粉末の圧粉成11::、 tivの両側に電極
を設けてなることを11□′F徴とするものである。
本発明で利用されている現象は、゛1′1′導末と極性
高分子との相!ノー作用を利用するという・、I、・、
で、前記した分散型有機太陽電池におけると類似する点
もある。しかしながら、有機゛1′導体と無機)1′導
体の差異と関連して、その他の点では大きな差異がある
。たとえば、本発明の素rにおいては、フン化ヒニリテ
ン重合体(以1・、しはしはrVDF屯合体」という)
は、無機゛1′1′導末を分j1!1.させる程度に増
大させると光起電効率の向]−は(jlられない。有機
゛ト導体分1)II系においては、光゛上流スペクトル
がバインダーに依イfしないとされているが1本発明の
素子においては、4.1rにIll視血似亙J域低波長
側において、苫しい光起゛IL効率の向1.か↓、I、
られる。
高分子との相!ノー作用を利用するという・、I、・、
で、前記した分散型有機太陽電池におけると類似する点
もある。しかしながら、有機゛1′導体と無機)1′導
体の差異と関連して、その他の点では大きな差異がある
。たとえば、本発明の素rにおいては、フン化ヒニリテ
ン重合体(以1・、しはしはrVDF屯合体」という)
は、無機゛1′1′導末を分j1!1.させる程度に増
大させると光起電効率の向]−は(jlられない。有機
゛ト導体分1)II系においては、光゛上流スペクトル
がバインダーに依イfしないとされているが1本発明の
素子においては、4.1rにIll視血似亙J域低波長
側において、苫しい光起゛IL効率の向1.か↓、I、
られる。
以下、本発明を更に1;T細に説明する。以1・の記載
において、星比を表わす「部」は、411に断らない限
り重1β、基準とする。
において、星比を表わす「部」は、411に断らない限
り重1β、基準とする。
第1図は、本発明の光起電力木rの最も基本的な実施例
のJゾさ方向模式断面図である。
のJゾさ方向模式断面図である。
i′目図に極めて筒中に示されているように、光jti
’、1!: J、 rl ハ、VDF重合体で表面積
Yaなし)シ改質処理された無機゛1′1′導末の圧粉
成形板2のtiliJ面に゛―lL極3.4(受光面側
の電極3は透明電極と4−る)を設け、それぞれリード
線5.6を取りlliした4111晶を右している。
’、1!: J、 rl ハ、VDF重合体で表面積
Yaなし)シ改質処理された無機゛1′1′導末の圧粉
成形板2のtiliJ面に゛―lL極3.4(受光面側
の電極3は透明電極と4−る)を設け、それぞれリード
線5.6を取りlliした4111晶を右している。
1111機゛l′導体としては、trJ視光波Jk域で
光導電性を右するものか好ましく用いられる。例えば、
Ge、Si、Seなとの元素半導体、およびGaAs、
GaP、GaAlAs、GaAsP、InP 、ZnS
、Zn5e 、ZnTe 、CdS、CdSe、In
Seなとの化合物半導体かあげられるか、太陽光で効−
(tよく、キャリア生成を行うにIまたどえは、・)□
−1n2 Se3.GaAs 、GaA I A S
”、Sノ禁It−、’::) IIIが1−2eVの範
囲にあり、11〜. 、+1+接心移型の゛1′41°
利か好ましく川1/’られる。
光導電性を右するものか好ましく用いられる。例えば、
Ge、Si、Seなとの元素半導体、およびGaAs、
GaP、GaAlAs、GaAsP、InP 、ZnS
、Zn5e 、ZnTe 、CdS、CdSe、In
Seなとの化合物半導体かあげられるか、太陽光で効−
(tよく、キャリア生成を行うにIまたどえは、・)□
−1n2 Se3.GaAs 、GaA I A S
”、Sノ禁It−、’::) IIIが1−2eVの範
囲にあり、11〜. 、+1+接心移型の゛1′41°
利か好ましく川1/’られる。
本発明では、これらの無機゛l′:導体を粉末化して用
いるか、ツ11(機゛1′1′導砕の方法としては1通
常の粉砕)J法でよく、例えはボールミル、乳鉢および
高速空気流を用いた粉砕方法客か用いられる。
いるか、ツ11(機゛1′1′導砕の方法としては1通
常の粉砕)J法でよく、例えはボールミル、乳鉢および
高速空気流を用いた粉砕方法客か用いられる。
本発明においては、これら無機゛1′1′導末のうち、
・!l均粒径が0.1〜500 メLmの範囲のものが
11fましく用いられる。無機゛1′−導体粉末千合表
面の被覆ないしは改質に用いられるV D F千合体と
しては、フン化ビニリデンの中独屯合体1およびフン化
ビニリゾンを少くとも50モル%以上含みこれと共重合
可能な単砥体1種もしくは2種以1.との本型合体が用
いられる。フン化ビニリデンQj、 77f体と共重合
ijl能な中量体としてIJ、例えばフ、化ビニル、ト
リフロロエチレン、テ!・ラフロロエチレン、ヘキサフ
ロロプロピレン、フロロクロロビニリデン、モノクロロ
トリフロロエチレン、エチレン)゛が挙げられる。
・!l均粒径が0.1〜500 メLmの範囲のものが
11fましく用いられる。無機゛1′−導体粉末千合表
面の被覆ないしは改質に用いられるV D F千合体と
しては、フン化ビニリデンの中独屯合体1およびフン化
ビニリゾンを少くとも50モル%以上含みこれと共重合
可能な単砥体1種もしくは2種以1.との本型合体が用
いられる。フン化ビニリデンQj、 77f体と共重合
ijl能な中量体としてIJ、例えばフ、化ビニル、ト
リフロロエチレン、テ!・ラフロロエチレン、ヘキサフ
ロロプロピレン、フロロクロロビニリデン、モノクロロ
トリフロロエチレン、エチレン)゛が挙げられる。
V D F 屯合体は人別して、トランス・1−シュ型
構造であるα型構造と平面ジグザグ構造のβJ(lj構
造(この他に、IJiH9’iにいえばγ−構造、その
他の構造を有するが本発明ではそれらも含めてβ4り構
造と定義する)の2つに分けられる。
構造であるα型構造と平面ジグザグ構造のβJ(lj構
造(この他に、IJiH9’iにいえばγ−構造、その
他の構造を有するが本発明ではそれらも含めてβ4り構
造と定義する)の2つに分けられる。
本発明においては、後述の実施例でそうであるように、
αノ(1!構造のVDF重合体も効果的に用いられるか
、より〃fましくはβ型構造のVDF重合体か用いられ
る。何故ならばβ型構造は、′p、極子か配向している
ため、無機半導体粉末を被覆するV D F 、l’i
、合体により、より高い゛上界か生じ、キャリアの分N
1効−4べか増大される効果が生ずるからである。
αノ(1!構造のVDF重合体も効果的に用いられるか
、より〃fましくはβ型構造のVDF重合体か用いられ
る。何故ならばβ型構造は、′p、極子か配向している
ため、無機半導体粉末を被覆するV D F 、l’i
、合体により、より高い゛上界か生じ、キャリアの分N
1効−4べか増大される効果が生ずるからである。
また、VDF屯合体は、重合度か低すぎるとVDF小、
合体膜か、光起7F力素了の製造上程で機械的ストレス
によりクランクを生じ、無機半導体粉末人血より、11
1〜をするIlfl性能ある。このため、本発明に用い
るVDF千合体としては、VDFΦ合体の良溶媒である
ジメチルポルl、アミドを溶なりと]2、VDF屯合体
の濃度を4g/l、測定温度を30°Cとしたときのイ
ンヒーレントヒスコー、ティか0.7dl/g以1.を
小ず重合度のものかIIIましい。
合体膜か、光起7F力素了の製造上程で機械的ストレス
によりクランクを生じ、無機半導体粉末人血より、11
1〜をするIlfl性能ある。このため、本発明に用い
るVDF千合体としては、VDFΦ合体の良溶媒である
ジメチルポルl、アミドを溶なりと]2、VDF屯合体
の濃度を4g/l、測定温度を30°Cとしたときのイ
ンヒーレントヒスコー、ティか0.7dl/g以1.を
小ず重合度のものかIIIましい。
Q機i’=4体粉末を過剰のV D F 重合体で処理
することは、1υ絡’−1i 1At (I sc)が
減少するために望ましくない。未発り1名らによれば、
無機゛16導体粉末上にVDF重合体の均質な厚さの薄
+1Qが形成されると仮定したときに、0,1〜30人
の厚さの薄11りを形成する11(のVDF重合体で処
理することが好ましい。これは、標準的な粒を千の無機
1′;0体粉末を用いる場合に、その100部に対して
、0.005〜0.5部のVDF千合体を用いることに
相当する。因みに後述の実施例において、01部のVD
F重合体を用いる場合には気体吸着法による表面積が1
.97m27gの剣5機崖導体粉末」二に約2.9人の
平均伺)1゛膜厚がftlられていることに相当する。
することは、1υ絡’−1i 1At (I sc)が
減少するために望ましくない。未発り1名らによれば、
無機゛16導体粉末上にVDF重合体の均質な厚さの薄
+1Qが形成されると仮定したときに、0,1〜30人
の厚さの薄11りを形成する11(のVDF重合体で処
理することが好ましい。これは、標準的な粒を千の無機
1′;0体粉末を用いる場合に、その100部に対して
、0.005〜0.5部のVDF千合体を用いることに
相当する。因みに後述の実施例において、01部のVD
F重合体を用いる場合には気体吸着法による表面積が1
.97m27gの剣5機崖導体粉末」二に約2.9人の
平均伺)1゛膜厚がftlられていることに相当する。
この(Iffは、ポリフッ化ヒニリデン(PVDF)の
側鎖間隔であるH −C−Fの距−の約半分であり、こ
のことは、VDF屯合体が無機゛I′−導体粉末をでき
るだけ均r′↓に被覆することが9ノましいとしても、
均一な薄11シを形成することは必須ではなく、ばらば
らに伺71′シている状51:でも充分に効果があるこ
とを意1抹する。
側鎖間隔であるH −C−Fの距−の約半分であり、こ
のことは、VDF屯合体が無機゛I′−導体粉末をでき
るだけ均r′↓に被覆することが9ノましいとしても、
均一な薄11シを形成することは必須ではなく、ばらば
らに伺71′シている状51:でも充分に効果があるこ
とを意1抹する。
無機半導体粉末」二にできるだけ均質なVDF干合体の
被覆を形成するためには、例えばVDF千合体の希vj
溶液中に無機半導q・粉末を分散し、よ< 1ILi合
撹拌する一ηの方法を用いることができる。
被覆を形成するためには、例えばVDF千合体の希vj
溶液中に無機半導q・粉末を分散し、よ< 1ILi合
撹拌する一ηの方法を用いることができる。
この場合、bfましくは、混合撹拌を短時間で行わす適
宜111f間を分けて混合撹拌を充分行ない、VDFΦ
1合体を無機半導体表面になしませる操作をイ1ったの
ちに溶媒を除去し、乾燥して複合体粉末をtlする。混
合111jに用いる溶媒はV D F ij会合体溶解
する溶媒であれはよく、その例を示せば、ジメヂルホル
ムアミト、ジメチルアセi・アミド゛、ジメチルスルホ
オキサイド、アセトン、メチルエチルケトン′)の極P
1溶奴等か挙げられる。
宜111f間を分けて混合撹拌を充分行ない、VDFΦ
1合体を無機半導体表面になしませる操作をイ1ったの
ちに溶媒を除去し、乾燥して複合体粉末をtlする。混
合111jに用いる溶媒はV D F ij会合体溶解
する溶媒であれはよく、その例を示せば、ジメヂルホル
ムアミト、ジメチルアセi・アミド゛、ジメチルスルホ
オキサイド、アセトン、メチルエチルケトン′)の極P
1溶奴等か挙げられる。
このようにしてvDFIri′合体により表面処理され
た無機)1(導体粉末を、常温下゛であるいは心安に1
47、して加温しなから、圧縮成形することにより圧粉
成形板2かtllられる。圧粉成形板2のJゾさは、8
黄な形状保!、>Plか111られる範囲で薄い力が、
光起屯1’IPIからは望ましく、一般に0.1−5m
mの範囲か用いられる。
た無機)1(導体粉末を、常温下゛であるいは心安に1
47、して加温しなから、圧縮成形することにより圧粉
成形板2かtllられる。圧粉成形板2のJゾさは、8
黄な形状保!、>Plか111られる範囲で薄い力が、
光起屯1’IPIからは望ましく、一般に0.1−5m
mの範囲か用いられる。
次いで9°1られたJ1粉成形板2の両面に真空蒸着も
しくはスパフタリング′τにより金属電極3.4を形成
4し、それぞれの“電極にはんだイ・j″vにより、リ
ード線5.6を取伺けることにより光起゛屯力4゜:f
−1が11)られる。
しくはスパフタリング′τにより金属電極3.4を形成
4し、それぞれの“電極にはんだイ・j″vにより、リ
ード線5.6を取伺けることにより光起゛屯力4゜:f
−1が11)られる。
電極用金属としては、無機半導体表面の種類によっても
異なるが、少くとも受光面側の電極3はV D F 、
iri合体で処理された無機゛I′導体粉末と整流性の
接触特性を示す金属により構成される必°及かある・ その1例を示せば、無機゛1′導体として、γ−In2
Se3を用いたとき、冷症としては、In、 A u
、 A I等が用いられる。
異なるが、少くとも受光面側の電極3はV D F 、
iri合体で処理された無機゛I′導体粉末と整流性の
接触特性を示す金属により構成される必°及かある・ その1例を示せば、無機゛1′導体として、γ−In2
Se3を用いたとき、冷症としては、In、 A u
、 A I等が用いられる。
また良好な整流性をイ1!るために、電極を蒸着した後
、熱処理を行なって、特+!1の改丙をイ11ることが
好ましい。熱処理の方法としては、たとえば熱線を集光
し、蒸着電極面上に開用する方法が挙げられる。
、熱処理を行なって、特+!1の改丙をイ11ることが
好ましい。熱処理の方法としては、たとえば熱線を集光
し、蒸着電極面上に開用する方法が挙げられる。
1、記において、未発クツの光起゛屯山土fならびにそ
の製造法をノ1(末的な一例について説明したが、本発
明の範囲内で上記例を各種変形して実施することができ
る。
の製造法をノ1(末的な一例について説明したが、本発
明の範囲内で上記例を各種変形して実施することができ
る。
たとえば、従来の光起電力木1′についても行なわれる
ように、必ゝ11な集光装置の併用、′IF極の反身1
防11処理、窓あけ等は本発明の素子についても適宜天
施呵能である。また、圧粉成形板2において、キャリヤ
の発生に十として寄′j−するのは、電極3との界面側
の表層である。したかって、第2図に小すように、月、
粉成形板2を二層に分け、その表層2aのみをVDF重
合体で処理した無機半・9体粉末で構成し、中央ないし
表面層2bは、V13 FΦ会合体含まない無機半導体
粉末で構成することもできる。このような構造は、たと
えは一様なツ!11機゛1′−導体粉末の1粉成形板を
形成したのち、その受光側゛−ト極3との接触面側に、
V D F重合体の右l:(・后冶を噴り塗1i笠によ
り塗布し、溶剤を乾燥することにより告られる。更に、
V D F ff<合体による被覆か 様で4〈ても光
起電力4!i t’lがfUら才することからt、って
、V D F 重合体で処理した無1幾゛I′4体粉末
を無機゛1′導体粉末と14合イ、釈したのちハ、粉成
形板をtllる場合にも、それなりの光起電’1.’+
+’lの改y1は(1)られる。また、圧粉成形板の
形状は・1・板に限らず、適宜、曲面形状とし得ること
ば云うまでもない。
ように、必ゝ11な集光装置の併用、′IF極の反身1
防11処理、窓あけ等は本発明の素子についても適宜天
施呵能である。また、圧粉成形板2において、キャリヤ
の発生に十として寄′j−するのは、電極3との界面側
の表層である。したかって、第2図に小すように、月、
粉成形板2を二層に分け、その表層2aのみをVDF重
合体で処理した無機半・9体粉末で構成し、中央ないし
表面層2bは、V13 FΦ会合体含まない無機半導体
粉末で構成することもできる。このような構造は、たと
えは一様なツ!11機゛1′−導体粉末の1粉成形板を
形成したのち、その受光側゛−ト極3との接触面側に、
V D F重合体の右l:(・后冶を噴り塗1i笠によ
り塗布し、溶剤を乾燥することにより告られる。更に、
V D F ff<合体による被覆か 様で4〈ても光
起電力4!i t’lがfUら才することからt、って
、V D F 重合体で処理した無1幾゛I′4体粉末
を無機゛1′導体粉末と14合イ、釈したのちハ、粉成
形板をtllる場合にも、それなりの光起電’1.’+
+’lの改y1は(1)られる。また、圧粉成形板の
形状は・1・板に限らず、適宜、曲面形状とし得ること
ば云うまでもない。
このようにして得られた本発明の光起電力素子は、光(
太陽)電池、光センサ’S(とじて使用ii丁能である
。
太陽)電池、光センサ’S(とじて使用ii丁能である
。
」−述したように本発明によれは、比較的容易に形成可
能な無機半導体粉末を、VDF千合体により表面被覆な
いし改質処理したのち、圧粉成形して1に極間に接触挟
持することにより、VocおよびIscで代表される光
起電特性の改にされた光起電素子かtijられる。
能な無機半導体粉末を、VDF千合体により表面被覆な
いし改質処理したのち、圧粉成形して1に極間に接触挟
持することにより、VocおよびIscで代表される光
起電特性の改にされた光起電素子かtijられる。
以下、本発明の光起電力素子を、実際の製造例により説
明する。
明する。
例
)!!(機半導体γ−In2Se3をメノウ乳鉢を用い
1゛分細かく粉砕した。(11られたJl!’;機゛1
′導体粉末の走査型電イ顕微鏡による平均粒径は54部
m J−’瓜であり、気体吸2i法による表面積は、1
.96g/m2であった。別途、インヒーレントヒスコ
シティーが1.odl/gであるポリフッ化ヒニリデン
(PVDF) (クレハ化学製KF#1000)をジメ
チルアセI・アミド中に溶解し、約Q 、 l IrI
; Ii!%のnr ?ル溶液をイ11・た。
1゛分細かく粉砕した。(11られたJl!’;機゛1
′導体粉末の走査型電イ顕微鏡による平均粒径は54部
m J−’瓜であり、気体吸2i法による表面積は、1
.96g/m2であった。別途、インヒーレントヒスコ
シティーが1.odl/gであるポリフッ化ヒニリデン
(PVDF) (クレハ化学製KF#1000)をジメ
チルアセI・アミド中に溶解し、約Q 、 l IrI
; Ii!%のnr ?ル溶液をイ11・た。
次に、1−記でイlIたy−In2Se3粉末とPVD
Fジメチルアセトアミド溶液を所定11(程合し、y−
1n2Se3粉末lOO部に対するPVD F添加11
Vかそれぞれ1部、0.1部となるようにした。この1
1こ合液を適宜撹拌を続けながら、−週間はと経過させ
たのち、溶媒を真空乾燥した。得られた粉末は一部か凝
集しており、メノウ乳鉢を用いて、I’VDF処理前の
無機半導体粉末と同様のt、’ti’fとなるように解
砕した。このようにして得たy−1n2 S e3 /
PVDF複合体2種およびPVDF無添加(7) y
−1n 2 S e 3粉末を5.1×103kg/c
m2の圧力で、常温下で圧縮し直i’i”、) m m
、厚さ0 、4mm<7)y −I n2 S e33
部体・1・板をイ11た。この1・4反の両面にInを
薄く蒸A111/たのち、100Wタングステンランプ
よりの光を集光し、In電J4i1−に照射して熱処理
して電極を形成した。
Fジメチルアセトアミド溶液を所定11(程合し、y−
1n2Se3粉末lOO部に対するPVD F添加11
Vかそれぞれ1部、0.1部となるようにした。この1
1こ合液を適宜撹拌を続けながら、−週間はと経過させ
たのち、溶媒を真空乾燥した。得られた粉末は一部か凝
集しており、メノウ乳鉢を用いて、I’VDF処理前の
無機半導体粉末と同様のt、’ti’fとなるように解
砕した。このようにして得たy−1n2 S e3 /
PVDF複合体2種およびPVDF無添加(7) y
−1n 2 S e 3粉末を5.1×103kg/c
m2の圧力で、常温下で圧縮し直i’i”、) m m
、厚さ0 、4mm<7)y −I n2 S e33
部体・1・板をイ11た。この1・4反の両面にInを
薄く蒸A111/たのち、100Wタングステンランプ
よりの光を集光し、In電J4i1−に照射して熱処理
して電極を形成した。
かくして111られた実質的に第1図に71<す構造を
有する素子の、光照射時のVoc、IscのスペクI゛
ル!lb性を測定した結果、それぞれ第3図、第4図に
示す結果を得た。
有する素子の、光照射時のVoc、IscのスペクI゛
ル!lb性を測定した結果、それぞれ第3図、第4図に
示す結果を得た。
測定に際しては、各スベクI・ルにおける照射光エネル
ギーを一定とした。
ギーを一定とした。
vOCハ、第3図ニ示すヨウニ、PVDFo、1部の添
加により、無添加のもの、および1部添加のものに比較
し、短波長領域で大11に増加することかわかる。
加により、無添加のもの、および1部添加のものに比較
し、短波長領域で大11に増加することかわかる。
またIscについては、第4図に小すように、PVDF
を0.1部添加のものは、大+1Jに増加することがわ
かる。
を0.1部添加のものは、大+1Jに増加することがわ
かる。
例えば、照射光波長400nmにおけるVoc・Isc
の値を下表に示す。
の値を下表に示す。
1、記の結果を見ると、牛5にPVD F処理h1か、
01部の場合は、無処理の場合に比べて、几導電斗<か
低ドするにもかかわらず、VocのみならずIscも増
大していることか1111される。
01部の場合は、無処理の場合に比べて、几導電斗<か
低ドするにもかかわらず、VocのみならずIscも増
大していることか1111される。
イシ11Δおよび第2図は、それぞれ本発明の実施例に
かかる光起電力素子の厚さ方向模式断面図、第3図およ
び第4図は、本発明の実施例を含む光起゛1L力素f−
の開放端電圧およびハI/if5電流のスペクトル依イ
f性を示すグラフである。 1 、la・・・光起′屯力ふ子 2・・・V D F 、TC合体で処理した無機半導体
粉末の用粉成形体 (2a、2b・・・その層) 3 、4 ・・パ電極 5.6・・・リーI−線 出m1人代理人 差渡 べ?町 j 冨 1 肥 冨ど図 (ΔJンつO△ I/) θ め N %++ (Vwン )9■
かかる光起電力素子の厚さ方向模式断面図、第3図およ
び第4図は、本発明の実施例を含む光起゛1L力素f−
の開放端電圧およびハI/if5電流のスペクトル依イ
f性を示すグラフである。 1 、la・・・光起′屯力ふ子 2・・・V D F 、TC合体で処理した無機半導体
粉末の用粉成形体 (2a、2b・・・その層) 3 、4 ・・パ電極 5.6・・・リーI−線 出m1人代理人 差渡 べ?町 j 冨 1 肥 冨ど図 (ΔJンつO△ I/) θ め N %++ (Vwン )9■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 フ、化ヒニリテン系東合体薄膜で被覆したツ!11
、機甲−導体粉末の用粉成形板の111ツ側に電極を設
けてなることを#lr徴とする光起′屯山土r−02フ
ン化ヒニリテン糸バΦ2合体薄11ジの平均1・、・さ
か0.1〜30人の範囲′にあるQ5: 、i/1請求
の範囲’i’z l #lに記載の光起゛屯山土イ。 3、 プ11(機゛1′Jq体粉末の・11均粒径かo
、i〜500 JLm (7) F1i’ll囲にある
45.1’l’ 請求の範囲第1snまた1」第2 r
nに記載の光起電山土f−0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58175187A JPS6066871A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58175187A JPS6066871A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 光起電力素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6066871A true JPS6066871A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=15991799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58175187A Pending JPS6066871A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6066871A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0680098A2 (en) * | 1994-04-30 | 1995-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58175187A patent/JPS6066871A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0680098A2 (en) * | 1994-04-30 | 1995-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof |
EP0680098A3 (en) * | 1994-04-30 | 1998-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof |
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