KR101349454B1 - 태양광 발전장치 - Google Patents
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Abstract
태양광 발전장치가 개시된다. 태양광 발전장치는 투과 영역 및 상기 투과 영역에 인접하는 비투과 영역이 정의되는 기판; 상기 기판 상에, 상기 비투과 영역에 배치되는 태양전지; 및 상기 비투과 영역에 배치되는 격자 패턴을 포함한다.
Description
실시예는 태양광 발전장치에 관한 것이다.
태양광을 전기에너지로 변환시키기 위한 태양광 발전장치는 태양전지 패널, 다이오드 및 프레임 등을 포함한다.
상기 태양전지 패널은 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 태양전지 패널은 사각 플레이트 형상을 가진다. 상기 태양전지 패널은 상기 프레임 내측에 배치된다. 상기 태양전지 패널의 4개의 측면이 상기 프레임 내측에 배치된다.
상기 태양전지 패널은 태양광을 입사받아, 전기에너지로 변환시킨다. 상기 태양전지 패널은 다수 개의 태양전지 셀들을 포함한다. 또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들을 보호하기 위한 기판, 필름 또는 보호유리 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들에 접속되는 버스 바를 포함한다. 상기 버스 바는 최외곽의 태양전지 셀들의 상면으로부터 각각 연장되어 배선에 연결된다.
상기 다이오드는 상기 태양전지 패널과 병렬로 연결된다. 상기 다이오드에는 선택적으로 전류가 흐른다. 즉, 상기 태양전지 패널의 성능이 저하되는 경우, 상기 다이오드를 통하여 전류가 흐른다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치 자체의 단락이 방지된다. 또한, 태양광 발전장치는 상기 다이오드 및 상기 태양전지 패널에 연결되는 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 배선은 서로 인접하는 태양전지 패널을 연결한다.
상기 프레임은 상기 태양전지 패널을 수용한다. 상기 프레임은 금속으로 이루어진다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면에 배치된다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면을 수용한다. 또한, 상기 프레임은 다수 개의 서브 프레임들로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 서브 프레임들은 서로 연결될 수 있다.
이와 같은 태양광 발전장치는 야외에 장착되어, 태양광을 전기 에너지로 변환시킨다. 이때, 태양광 발전장치는 외부의 물리적인 충격, 전기적인 충격 및 화학적인 충격에 노출될 수 있다.
이와 같은 태양광 발전장치와 관련된 기술은 한국 공개 특허 공보 10-2009-0059529 등에 기재되어 있다.
실시예는 향상된 광전 변환 효율을 가지는 태양광 발전장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 투과 영역 및 상기 투과 영역에 인접하는 비투과 영역이 정의되는 기판; 상기 기판 상에, 상기 비투과 영역에 배치되는 태양전지; 및 상기 비투과 영역에 배치되는 격자 패턴을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 복수의 투과 영역들 및 상기 투과 영역들에 인접하는 복수의 비투과 영역들이 정의되는 기판; 상기 기판 상에, 상기 비투과 영역들에 각각 배치되는 복수의 태양전지들; 및 상기 비투과 영역들에 배치되는 편광부를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 투과 영역에 격자 패턴 또는 편광부를 배치시킨다. 이에 따라서, 상기 격자 패턴 또는 편광부는 상기 투과 영역으로 입사되는 광의 일부를 투과시키고, 다른 일부를 반사시킬 수 있다. 반사되는 다른 일부의 광은 상기 태양전지들에 입사될 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 건물의 창호 등으로 적용될 수 있다. 이때, 상기 투과 영역으로 입사되는 광의 일부는 상기 격자 패턴 또는 상기 편광부를 통과하여, 건물 내부의 채광으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 투과 영역을 통하여, 건물 내부의 사람은 외부의 경치를 볼 수 있다.
또한, 상기 투과 영역으로 입사되는 광의 다른 일부는 상기 격자 패턴 또는 상기 편광부에서 반사되어, 상기 태양전지들에 입사된다. 이에 따라서, 상기 태양전지들에는, 상기 격자 패턴 또는 상기 편광부에 의해서, 많은 광이 입사될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 격자 패턴을 도시한 사시도이다.
도 4는 투과 영역에 광이 입사되는 과정을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 격자 패턴을 도시한 사시도이다.
도 4는 투과 영역에 광이 입사되는 과정을 도시한 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 바, 프레임, 기판, 홈 또는 필름 등이 각 패널, 바, 기판, 홈 또는 필름 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 격자 패턴을 도시한 사시도이다. 도 4는 투과 영역에 광이 입사되는 과정을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판(100), 복수의 태양전지들(C), 복수의 반사 투과부들(200), 완충 시트(300) 및 보호기판(400)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 태양전지들(C) 및 상기 반사 투과부들(200)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 태양전지들(C)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 태양전지들(C)은 상기 지지기판(100)의 상면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 태양전지들(C)은 상기 지지기판(100)의 상면에 직접 배치될 수 있다.
상기 태양전지들(C)은 제 1 방향으로 연장된다. 상기 태양전지들(C)은 서로 나란히 연장된다. 상기 태양전지들(C)은 서로 소정의 간격으로 이격된다. 즉, 상기 태양전지들(C)은 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다.
상기 태양전지들(C)은 입사되는 태양광을 전기에너지로 변환시킨다. 상기 태양전지들(C)은 서로 병렬로 연결될 수 있다. 더 자세하게, 상기 태양전지들(C)은 상기 제 1 버스 바 및 상기 제 2 버스 바를 통하여, 서로 병렬로 연결될 수 있다.
상기 태양전지들(C)은 예를 들어, CIGS계 태양전지, 실리콘 계열 태양전지, 연료감응 계열 태양전지, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 태양전지 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 태양전지일 수 있다.
더 자세하게, 각각의 태양전지들(C)은 후면전극, 광 흡수부, 버퍼, 고저항 버퍼 및 전면전극을 포함할 수 있다.
상기 후면전극은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면전극은 도전층이다. 상기 후면전극으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 후면전극은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수부는 상기 후면전극 상에 배치된다. 상기 광 흡수부는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수부는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수부의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼는 상기 광 흡수부 상에 배치된다. 상기 버퍼는 상기 광 흡수부에 직접 접촉한다. 상기 버퍼는 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼의 에너지 밴드갭은 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다.
상기 고저항 버퍼는 상기 버퍼 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼는 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 전면전극은 상기 광 흡수부 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극은 상기 고저항 버퍼 상에 배치된다.
상기 전면전극은 상기 고저항 버퍼 상에 배치된다. 상기 전면전극은 투명하다. 상기 전면전극으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면전극의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극이 알루니늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극은 도전층이다.
또한, 각각의 태양전지(C)는 서로 직렬로 연결되는 서브 태양전지들을 포함할 수 있다.
상기 태양전지들(C)에 의해서, 상기 지지기판(100)에는 복수의 투과 영역들(TA) 및 복수의 비투과 영역들(NTA)이 정의된다.
상기 투과 영역들(TA)은 상기 태양전지들(C) 사이의 영역이다. 상기 투과 영역들(TA)에는 상기 태양전지들(C)이 배치되지 않는다. 상기 투과 영역들(TA)은 광이 투과되는 영역이다.
상기 비투과 영역들(NTA)은 상기 태양전지들(C)에 대응되는 영역이다. 즉, 상기 비투과 영역들(NTA)은 상기 태양전지들(C)이 배치되는 영역이다. 상기 비투과 영역들(NTA)은 광이 투과되지 않는 영역이다.
상기 투과 영역들(TA) 및 상기 비투과 영역들(NTA)은 서로 번갈아 배치될 수 있다. 또한, 상기 투과 영역들(TA) 및 상기 비투과 영역들(NTA)은 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역들(TA) 및 상기 비투과 영역들(NTA)은 서로 인접하고, 서로 나란히 배치될 수 있다.
또한, 상기 태양전지들(C)의 일 끝단에는 제 1 버스 바가 배치되고, 상기 태양전지들(C)의 다른 끝단에는 제 2 버스바가 배치될 수 있다.
상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)과 교차하는 방향으로 연장된다. 상기 제 1 버스 바는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된다. 상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 일 끝단에 대응하여 배치될 수 있다.
상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 후면전극에 접속된다. 상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 후면전극 중 외부에 노출된 부분을 통하여, 상기 태양전지들(C)에 접속된다. 상기 제 1 버스 바는 상기 후면전극에 직접 접촉될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 후면전극의 노출된 상면에 솔더 공정 등을 통하여 직접 접합될 수 있다.
상기 제 1 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 일 끝단에 연결된다. 상기 제 1 버스 바는 상기 지지기판(100)에 형성된 홀을 통하여, 상기 지지기판(100)의 배면으로 연장될 수 있다.
상기 제 2 버스 바는 상기 태양전지들(C)과 교차하는 방향으로 연장된다. 상기 제 2 버스 바는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된다. 상기 제 2 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 다른 끝단에 대응하여 배치될 수 있다.
상기 제 2 버스 바는 상기 태양전지들(C)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바는 상기 태양전지들(C)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 전면전극에 접속된다. 상기 제 2 버스 바는 상기 연결전극들(210) 및 접속부(700)를 통하여, 상기 태양전지들(C)에 접속된다. 상기 제 2 버스 바는 상기 연결전극(210)에 직접 접촉될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바는 상기 연결전극(210)의 노출된 상면에 솔더 공정 등을 통하여 직접 접합될 수 있다.
상기 제 2 버스 바는 상기 태양전지들(C)의 다른 끝단에 연결된다. 상기 제 2 버스 바는 상기 지지기판(100)에 형성된 홀을 통하여, 상기 지지기판(100)의 배면으로 연장될 수 있다.
상기 제 1 버스 바 및 상기 제 2 버스 바는 도전체를 포함한다. 상기 제 1 버스 바 및 상기 제 2 버스 바는 금속 리본일 수 있다. 상기 제 1 버스 바 및 상기 제 2 버스 바는 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 제 1 버스 바 및 상기 제 2 버스 바는 도전성 테이프일 수 있다.
상기 반사 투과부들(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 반사 투과부들(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 배치된다. 상기 반사 투과부들(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 직접 배치될 수 있다.
상기 반사 투과부들(200)은 상기 투과 영역들(TA)에 각각 배치된다. 각각의 반사 투과부(200)는 각각의 투과 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 반사 투과부들(200)은 상기 태양전지들(C) 사이에 배치된다. 또한, 상기 반사 투과부들(200)은 상기 태양전지들(C) 옆에 배치된다. 상기 반사 투과부들(200)은 상기 태양전지들(C)과 서로 같은 평면에 배치될 수 있다. 상기 반사 투과부들(200)은 상기 태양전지들(C)과 서로 인접한다. 상기 반사 투과부들(200) 및 상기 태양전지들(C)은 서로 교대로 배치된다.
상기 반사 투과부들(200)은 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 일부를 투과시키고, 다른 일부를 반사시킬 수 있다. 더 자세하게, 상기 반사 투과부(200)는 소정의 방향으로 편광되는 광을 투과시키고, 다른 방향으로 편광되는 광을 반사시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 투과부(200)는 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광 중, p파를 반사시키고, s파를 투과시킬 수 있다. 즉, 상기 반사 투과부들(200)은 소정의 방향으로 편광되는 광 만을 투과시키는 편광부일 수 있다.
또한, 상기 반사 투과부들(200)은 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 다른 일부를 측방에 더 가깝도록 반사시킬 수 있다. 특히, 상기 반사 투과부들(200)은 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 다른 일부를 상기 지지기판(100)의 상면에 대하여 수평한 방향에 가까운 방향으로 반사시킬 수 있다. 즉, 상기 반사 투과부들(200)은 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 다른 일부를 입사각보다 더 큰 반사각으로 반사시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 투과부들(200)은 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광 중, p파를 측방에 가깝게 반사시킬 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반사 투과부들(200)은 격자 패턴(210)을 포함한다. 상기 격자 패턴(210)은 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 격자 패턴(210)은 막대 형상을 가질 수 있다. 상기 격자 패턴(210)에는 광이 투과될 수 있는 투과홈(220)이 형성될 수 있다.
상기 투과홈(220)은 상기 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 투과홈(220)을 통하여, 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 일부가 투과될 수 있다.
상기 격자 패턴(210)의 폭(W)은 약 50㎚ 내지 약 200㎚일 수 있다. 또한, 상기 격자 패턴(210)의 깊이(H)는 약 50㎚ 내지 약 200㎚일 수 있다. 상기 격자 패턴(210)의 피치(P)는 약 75㎚ 내지 약 300㎚일 수 있다. 더 자세하게, 상기 격자 패턴(210)의 피치(P)는 약 50㎚ 내지 약 200㎚일 수 있다. 또한, 상기 투과홈(220)의 폭(D)은 약 25㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다.
더 자세하게, 상기 격자 패턴(210)의 폭(W)은 약 50㎚ 내지 약 200㎚이고, 상기 격자 패턴(210)의 깊이(H)는 약 50㎚ 내지 약 200㎚이고, 상기 격자 패턴(210)의 피치(P)는 약 75㎚ 내지 약 300㎚이고, 상기 투과홈(220)의 폭(D)은 약 25㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다.
상기 격자 패턴(210)이 위와 같은 폭(W), 깊이(H) 및/또는 피치(P)를 가지는 경우, 상기 격자 패턴(210)은 소정의 방향으로 편광되는 광 만을 투과시킬 수 있다. 즉, 위와 같은 경우, 상기 격자 패턴(210)은 편광 기능을 수행할 수 있다.
상기 격자 패턴(210)은 투명 또는 불투명할 수 있다. 상기 격자 패턴(210)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 등과 같은 금속 등을 들 수 있다. 이와는 다르게, 상기 격자 패턴(210)으로 알루미늄 화합물 등과 같은 금속 화합물 또는 폴리이미드 등과 같은 폴리머 등이 사용될 수 있다.
상기 반사 투과부(200) 및 상기 지지기판(100) 사이에는 접착부(201)가 개재될 수 있다. 상기 접착부(201)는 상기 지지기판(100)의 상면에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 접착부(201)로 사용되는 물질의 예로서는 광 경화성 수지 등을 들 수 있다. 상기 접착부(201)는 투명할 수 있다.
상기 격자 패턴(210)은 상기 접착부(201)의 상면에 배치된다. 상기 격자 패턴(210)은 상기 접착부(201)의 상면에 접착된다. 상기 격자 패턴(210)은 상기 접착부(201)를 통하여, 상기 지지기판(100)에 접착될 수 있다.
상기 완충 시트(300)는 상기 태양전지들(C) 및 상기 반사 투과부(200) 상에 배치된다. 상기 완충 시트(300)는 상기 지지기판(100) 상에 배치되고, 상기 태양전지들(C) 및 상기 반사 투과부(200)를 덮는다.
상기 완충 시트(300)는 투명하고, 탄성을 가진다. 상기 완충 시트(300)로 사용되는 물질의 예로서는 에틸렌비닐아세테이트(ethylenevinylacetate;EVA) 수지 등을 들 수 있다.
상기 완충 시트(300)는 상기 지지기판(100) 및 상기 보호기판(400) 사이에 개재된다. 상기 완충 시트(300)는 상기 지지기판(100) 및 상기 보호기판(400) 사이에서 기계적 및 광학적인 완충 기능을 수행할 수 있다.
상기 보호기판(400)은 상기 완충 시트(300) 상에 배치된다. 상기 보호기판(400)은 상기 지지기판(100)과 대향된다. 상기 보호기판(400)은 상기 태양전지들(C)을 보호한다. 상기 보호기판(400)으로 사용되는 물질의 예로서는 강화 유리 등을 들 수 있다.
상기 보호기판(400)은 상기 완충 시트(300)를 통하여, 상기 지지기판(100)의 상면에 밀착된다. 즉, 상기 보호기판(400)은 상기 완충 시트(300)를 통하여, 상기 지지기판(100)의 상면에 라미네이팅될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 보호기판(400)을 통하여, 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 일부는 상기 반사 투과부(200)를 통과한다. 또한, 상기 보호기판(400)을 통하여, 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 다른 일부는 상기 반사 투과부(200)에서 반사된다. 예를 들어, 상기 반사 투과부(200), 더 자세하게, 상기 격자 패턴(210)은 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광 중, s파를 투과시키고, p파를 반사시킬 수 있다.
특히, 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 다른 일부는 상기 반사 투과부(200)에 의해서, 측방에 가깝게, 예를 들어, 측상방으로 반사될 수 있다. 이에 따라서, 상기 반사 투과부(200)에 의해서 반사되는 광은 상기 보호기판(400)의 하면에서 반사되어, 상기 태양전지들(C)에 입사될 수 있다.
즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 다른 일부를 반사시켜서, 상기 태양전지들(C)로 입사시킨다. 또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 광의 일부를 투과시킨다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 창호 등으로 사용될 때, 외부의 경관 등을 용이하게 보여줄 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 건물의 창호 등으로 사용되면서, 동시에, 상기 투과 영역들(TA)로 입사되는 태양광의 일부를 전기에너지로 변환시킬 수 있다. 결국, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 창호 등으로 사용되면서, 동시에, 높은 광전 변환 효율을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (12)
- 투과 영역 및 상기 투과 영역에 인접하는 비투과 영역이 정의되는 기판;
상기 기판 상에, 상기 비투과 영역에 배치되는 태양전지; 및
상기 태양전지와 같은 평면에서, 상기 투과 영역에 배치되고, 투과홈이 형성되는 격자 패턴을 포함하고,
상기 투과홈은 상기 격자 패턴의 높이와 같은 깊이로 형성되며,
상기 격자 패턴의 높이는 상기 태양전지의 높이보다 낮은 태양광 발전장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 투과 영역은 일 방향으로 연장되는 형상을 가지고,
상기 격자 패턴은 상기 투과 영역과 같은 방향으로 연장되는 태양광 발전장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 격자 패턴의 높이는 50㎚ 내지 200㎚이고,
상기 격자 패턴의 폭은 50㎚ 내지 200㎚이고,
상기 격자 패턴의 피치는 75㎚ 내지 300㎚인 태양광 발전장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 격자 패턴은 금속, 금속 화합물 또는 폴리머를 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 격자 패턴은 알루미늄을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 격자 패턴은 일 방향으로 편광되는 광을 투과시키고, 다른 방향으로 편광되는 광을 반사시키는 태양광 발전장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 격자 패턴은 S파를 투과시키고, P파를 반사시키는 태양광 발전장치.
- 복수의 투과 영역들 및 상기 투과 영역들에 인접하는 복수의 비투과 영역들이 정의되는 기판;
상기 기판 상에, 상기 비투과 영역들에 각각 배치되는 복수의 태양전지들; 및
상기 태양전지들과 같은 평면에서, 상기 투과 영역들에 배치되고, 투과홈들이 형성되는 편광부를 포함하고,
상기 투과홈들은 상기 편광부의 높이와 같은 깊이로 형성되며,
상기 편광부의 높이는 상기 태양전지들의 높이보다 낮은 태양광 발전장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 편광부는 상기 투과 영역들과 같은 방향으로 연장되는 격자 패턴을 포함하는 태양광 발전장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 편광부는 일 방향으로 편광되는 광을 투과시키고, 다른 방향으로 편광되는 광을 반사시키는 태양광 발전장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 편광부는 상기 기판의 상면에, 상기 태양전지들 옆에 배치되는 태양광 발전장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 편광부 및 상기 기판에 접착되는 접착부를 포함하는 태양광 발전장치.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000101124A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 集光型太陽光発電モジュール及びその製造方法並びに集光型太陽光発電システム |
KR20100010255A (ko) * | 2008-07-22 | 2010-02-01 | (주) 비제이파워 | 고효율 bipv 모듈 |
JP2010092899A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2010287688A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3944732A (en) * | 1975-02-12 | 1976-03-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University | Method and apparatus for improving acousto-electric scanning |
WO2004038462A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-05-06 | Sunray Technologies, Inc. | Diffractive structures for the redirection and concentration of optical radiation |
WO2007060744A1 (ja) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
GB2434914A (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-08 | Univ College Cork Nat Univ Ie | Vertical cavity surface emitting laser device |
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US20090178704A1 (en) * | 2007-02-06 | 2009-07-16 | Kalejs Juris P | Solar electric module with redirection of incident light |
KR101273508B1 (ko) | 2007-12-06 | 2013-06-14 | 삼성전자주식회사 | 화상 형성 장치 및 그 옵션 설정 방법 |
CN201159021Y (zh) | 2007-12-28 | 2008-12-03 | 深圳市瑞华建设股份有限公司 | 一种太阳能光伏电池中空玻璃组件 |
US20090266413A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Sagi Mathai | Photovoltaic Cells With Gratings For Scattering Light Into Light-absorption Layers |
CN201687353U (zh) | 2010-05-14 | 2010-12-29 | 攀枝花市瑞星中空玻璃有限公司 | 光伏夹层玻璃建筑外窗 |
US8369664B2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-02-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical apparatus for forming a tunable cavity |
CN202090782U (zh) | 2011-01-11 | 2011-12-28 | 上海泰莱钢结构工程有限公司 | 一种基于太阳能电池的真空玻璃窗装置 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000101124A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 集光型太陽光発電モジュール及びその製造方法並びに集光型太陽光発電システム |
KR20100010255A (ko) * | 2008-07-22 | 2010-02-01 | (주) 비제이파워 | 고효율 bipv 모듈 |
JP2010092899A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2010287688A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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