KR101283237B1 - 태양광 발전장치 - Google Patents

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Abstract

태양광 발전장치가 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제 1 방향으로 연장되는 다수 개의 태양 전지들; 및 상기 태양 전지들에 연결되고, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 버스 바를 포함한다.

Description

태양광 발전장치{SOLAR APPARATUS}
실시예는 태양광 발전장치에 관한 것이다.
태양광을 전기에너지로 변환시키기 위한 태양광 발전장치는 태양전지 패널, 다이오드 및 프레임 등을 포함한다.
상기 태양전지 패널은 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 태양전지 패널은 사각 플레이트 형상을 가진다. 상기 태양전지 패널은 상기 프레임 내측에 배치된다. 상기 태양전지 패널의 4개의 측면이 상기 프레임 내측에 배치된다.
상기 태양전지 패널은 태양광을 입사받아, 전기에너지로 변환시킨다. 상기 태양전지 패널은 다수 개의 태양전지 셀들을 포함한다. 또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들을 보호하기 위한 기판, 필름 또는 보호유리 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들에 접속되는 버스 바를 포함한다. 상기 버스 바는 최외곽의 태양전지 셀들의 상면으로부터 각각 연장되어 배선에 연결된다.
상기 다이오드는 상기 태양전지 패널과 병렬로 연결된다. 상기 다이오드에는 선택적으로 전류가 흐른다. 즉, 상기 태양전지 패널의 성능이 저하되는 경우, 상기 다이오드를 통하여 전류가 흐른다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치 자체의 단락이 방지된다. 또한, 태양광 발전장치는 상기 다이오드 및 상기 태양전지 패널에 연결되는 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 배선은 서로 인접하는 태양전지 패널을 연결한다.
상기 프레임은 상기 태양전지 패널을 수용한다. 상기 프레임은 금속으로 이루어진다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면에 배치된다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면을 수용한다. 또한, 상기 프레임은 다수 개의 서브 프레임들로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 서브 프레임들은 서로 연결될 수 있다.
이와 같은 태양광 발전장치는 야외에 장착되어, 태양광을 전기 에너지로 변환시킨다. 이때, 태양광 발전장치는 외부의 물리적인 충격, 전기적인 충격 및 화학적인 충격에 노출될 수 있다.
이와 같은 태양광 발전장치와 관련된 기술은 한국 공개 특허 공보 10-2009-0059529 등에 기재되어 있다.
실시예는 향상된 신뢰성을 가지는 태양광 발전장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제 1 방향으로 연장되는 다수 개의 태양 전지들; 및 상기 태양 전지들에 연결되고, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 버스 바를 포함한다.
특히, 일 실시예에서, 상기 태양 전지들은 상기 버스 바에 의해서, 서로 병렬로 연결될 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들을 상기 버스 바에 연결시킨다. 상기 버스 바는 상기 태양전지들과 서로 다른 방향으로 연장된다. 이에 따라서, 상기 태양전지들은 상기 버스 바에 서로 병렬로 연결될 수 있다. 이에 따라서, 상기 태양전지들 중 일부가 작동하지 않더라도, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 전체적으로 발전할 수 있다.
특히, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들을 서로 이격시킬 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들에 의해서, 투과 영역 및 비투과 영역을 형성할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 건물의 창호 등으로 사용될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 바, 프레임, 기판, 홈 또는 필름 등이 각 패널, 바, 기판, 홈 또는 필름 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 도 1에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판(100), 복수의 태양전지들(C1, C2...Cn), 복수의 연결전극들(210), 제 1 버스 바(810) 및 제 2 버스 바(820)를 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn), 상기 연결전극들(210), 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)를 지지한다.
상기 지지기판(100)(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 제 1 방향으로 연장된다. 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 서로 나란히 연장된다. 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 서로 소정의 간격으로 이격된다. 즉, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)(210)은 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다.
상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 입사되는 태양광을 전기에너지로 변환시킨다. 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 서로 병렬로 연결될 수 있다. 더 자세하게, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)를 통하여, 서로 병렬로 연결될 수 있다.
상기 태양전지들(C1, C2...Cn)(210)은 예를 들어, CIGS계 태양전지, 실리콘 계열 태양전지, 연료감응 계열 태양전지, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 태양전지 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 태양전지일 수 있다.
더 자세하게, 각각의 태양전지들(C1, C2...Cn)은 후면전극(200), 광 흡수부(300), 버퍼(400), 고저항 버퍼(500) 및 전면전극(600)을 포함할 수 있다.
상기 후면전극(200)은 상기 지지기판(100)(100) 상에 배치된다. 상기 후면전극(200)은 도전층이다. 상기 후면전극(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 후면전극(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수부(300)는 상기 후면전극(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수부(300)는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수부(300)는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수부(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼(400)는 상기 광 흡수부(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼(400)는 상기 광 흡수부(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼(400)는 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼(400)의 에너지 밴드갭은 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다.
상기 고저항 버퍼(500)는 상기 버퍼(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼(500)는 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 전면전극(600)은 상기 광 흡수부(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극(600)은 상기 고저항 버퍼(500) 상에 배치된다.
상기 전면전극(600)은 상기 고저항 버퍼(500) 상에 배치된다. 상기 전면전극(600)은 투명하다. 상기 전면전극(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면전극(600)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극(600)이 알루니늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극(600)은 도전층이다.
상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 의해서, 상기 지지기판(100)에는 투과 영역(TA) 및 비투과 영역(NTA)이 정의된다.
상기 투과 영역(TA)은 상기 태양전지들(C1, C2...Cn) 사이의 영역이다. 상기 투과 영역(TA)에는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)이 배치되지 않는다. 상기 투과 영역(TA)은 광이 투과되는 영역이다.
상기 비투과 영역(NTA)은 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 대응되는 영역이다. 즉, 상기 비투과 영역(NTA)은 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)이 배치되는 영역이다. 상기 비투과 영역(NTA)은 광이 투과되지 않는 영역이다.
상기 연결전극들(210)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 연결전극들(210)은 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200)과 같은 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결전극들(210) 및 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 직접 배치될 수 있다.
상기 연결전극들(210)은 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200) 옆에 배치된다. 상기 연결전극들(210)은 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200)과 서로 이격된다. 각각의 후면전극(200) 및 각각의 연결전극(210)은 제 1 관통홈(TH1)에 의해서, 서로 분리될 수 있다.
상기 연결전극들(210)은 각각의 태양전지에 전기적으로 연결된다. 더 자세하게, 상기 연결전극들(210)은 각각의 태양전지의 전면전극(600)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 연결전극들(210)은 각각의 태양전지의 광 흡수부(300)를 관통하는 접속부(700)를 통하여, 각각의 태양전지의 전면전극(600)에 연결된다.
또한, 각각의 연결전극(210)의 일부는 외부에 노출된다. 더 자세하게, 각각의 연결전극(210)의 상면의 일부가 외부에 노출된다.
상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)과 교차하는 방향으로 연장된다. 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된다. 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 일 끝단에 대응하여 배치될 수 있다.
상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200)에 접속된다. 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200) 중 외부에 노출된 부분을 통하여, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 접속된다. 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 후면전극(200)에 직접 접촉될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 후면전극(200)의 노출된 상면에 솔더 공정 등을 통하여 직접 접합될 수 있다.
상기 제 1 버스 바(810)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 일 끝단에 연결된다. 상기 제 1 버스 바(810)는 상기 지지기판(100)에 형성된 홀을 통하여, 상기 지지기판(100)의 배면으로 연장될 수 있다.
상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)과 교차하는 방향으로 연장된다. 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된다. 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 다른 끝단에 대응하여 배치될 수 있다.
상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 전면전극(600)에 접속된다. 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 연결전극들(210) 및 접속부(700)를 통하여, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 접속된다. 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 연결전극(210)에 직접 접촉될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 연결전극(210)의 노출된 상면에 솔더 공정 등을 통하여 직접 접합될 수 있다.
상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)의 다른 끝단에 연결된다. 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 지지기판(100)에 형성된 홀을 통하여, 상기 지지기판(100)의 배면으로 연장될 수 있다.
상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)는 도전체를 포함한다. 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)는 금속 리본일 수 있다. 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)는 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)는 도전성 테이프일 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 지지기판(100) 상에 몰리브덴 등이 증착되고, 후면전극층(201)이 형성되고, 상기 후면전극층(201)에 제 1 관통홈(TH1)이 레이저에 의해서 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 후면전극층(201) 상에 광 흡수층(301), 버퍼층(401) 및 고저항 버퍼층(501)이 차례로 형성된다.
상기 광 흡수층(301)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(301)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CGS계 광 흡수층이 형성될 수 있다.
이후, 상기 광 흡수층(301) 상에 버퍼층(401) 및 고저항 버퍼층(501)이 형성된다.
상기 버퍼층(401)은 화학 용액 증착 공정(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(301)이 형성된 후, 상기 광 흡수층(301)은 황화 카드뮴을 형성하기 위한 물질들을 포함하는 용액에 침지되고, 상기 광 흡수층(301) 상에 황화 카드뮴을 포함하는 상기 버퍼층(401)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(401) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(501)이 형성된다.
이후, 상기 광 흡수층(301), 상기 버퍼층(401) 및 상기 고저항 버퍼층(501)에 제 2 관통홈(TH2)이 형성된다. 상기 제 2 관통홈(TH2)은 상기 후면전극층(201)을 노출시킨다.
도 6을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(501) 상에 전면전극층(601)이 형성된다.
상기 전면전극층(601)(600)은 상기 고저항 버퍼층(501) 상에 투명한 도전물질이 적층되어 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드 등을 들 수 있다.
상기 투명한 도전 물질은 상기 제 2 관통홈(TH2)에 채워진다. 이에 따라서, 상기 제 2 관통홈(TH2) 내에 상기 접속부(700)가 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 후면전극층(201), 상기 광 흡수층(301), 상기 버퍼층(401), 상기 고저항 버퍼층(501) 및 상기 전면전극층(601)은 패터닝된다. 즉, 상기 투과 영역(TA)에 대응되는 후면전극층(201), 광 흡수층(301), 버퍼층(401), 고저항 버퍼층(501) 및 전면전극층(601)은 제거된다. 또한, 상기 광 흡수층(301), 상기 버퍼층(401), 상기 고저항 버퍼층(501) 및 상기 전면전극층(601)은 각각의 후면전극(200)의 일부 및 각각의 연결전극(210)의 일부가 노출되도록 패터닝될 수 있다.
이후, 각각의 후면전극(200)의 노출된 상면 및 각각의 연결전극(210)의 노출된 상면에 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)가 솔더 공정 등에 의해서 접합된다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)을 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)에 연결시킨다. 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)과 서로 다른 방향으로 연장된다. 이에 따라서, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)은 상기 제 1 버스 바(810) 및 상기 제 2 버스 바(820)에 의해서, 서로 병렬로 연결될 수 있다. 이에 따라서, 상기 태양전지들(C1, C2...Cn) 중 일부가 작동하지 않더라도, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 전체적으로 발전할 수 있다.
특히, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)을 서로 이격시킬 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들(C1, C2...Cn)에 의해서, 상기 투과 영역(TA) 및 상기 비투과 영역(NTA)을 형성할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 건물의 창호 등으로 사용될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 후면전극, 상기 후면전극 상에 배치되는 광 흡수부 및 상기 광 흡수부 상에 배치되는 전면전극을 각각 포함하고, 제 1 방향으로 서로 나란히 연장되는 다수 개의 태양 전지들;
    상기 후면전극 옆에 배치되고, 상기 전면전극과 연결되는 연결 전극들; 및
    상기 연결 전극들에 연결되어 상기 태양 전지들에 연결되고, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 버스 바를 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 태양 전지들은 상기 버스 바에 의해서, 서로 병렬로 연결되는 태양광 발전장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은
    상기 태양 전지들에 각각 대응되는 비투과 영역들; 및
    상기 태양 전지들 사이에 각각 대응되는 투과 영역들을 포함하는 태양광 발전장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 버스 바는 상기 태양 전지들의 끝 단에 연결되는 태양광 발전장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 후면전극에 직접 연결되는 다른 버스바를 더 포함하는 태양광 발전장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 후면전극 및 상기 연결전극은 동일한 층에 형성되는 태양광 발전장치.
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JP2000049369A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュール
KR20110001335A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000049369A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュール
KR20110001335A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치

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