KR101306393B1 - 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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장정인
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Abstract

실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 다수의 패턴을 포함하는 지지 기판;상기 지지 기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 패턴은 제 1 내측면, 제 2 내측면 및 바닥면을 포함하는 언더컷 구조로 형성된다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 다수 개의 패턴을 형성하는 단계; 상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴은 제 1 내측면, 제 2 내측면 및 바닥면을 포함하는 언더컷 구조로 형성된다.

Description

태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
태양광을 전기 에너지로 변환시키기 위한 태양광 발전 장치는 태양전지 패널, 다이오드 및 프레임 등을 포함한다.
상기 태양전지 패널은 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 태양전지 패널은 사각 플레이트 형상을 가진다. 상기 태양전지 패널은 상기 프레임 내측에 배치된다. 상기 태양전지 패널의 4개의 측면이 상기 프레임 내측에 배치된다.
상기 태양전지 패널은 태양광을 입사받아, 전기 에너지로 변화시킨다. 상기 태양전지 패널은 다수 개의 태양전지 셀들을 포함한다. 또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들을 보호하기 위한 기판, 필름 또는 보호유리 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들에 접속되는 버스 바를 포함한다. 상기 버스 바는 최외곽의 태양전지 셀들의 상면으로부터 각각 연장되어 배선에 연결된다.
상기 다이오드는 상기 태양전지 패널과 병렬로 연결된다. 상기 다이오드에는 선택적으로 전류가 흐른다. 즉, 상기 태양전지 패널의 성능이 저하되는 경우, 상기 다이오드를 통하여 전류가 흐른다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 자체의 단락이 방지된다. 또한, 태양광 발전 장치는 상기 다이오드 및 상기 태양전지 패널에 연결되는 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 배선은 서로 인접하는 태양전지 패널을 연결한다.
상기 프레임은 상기 태양전지 패널을 수용한다. 상기 프레임은 금속으로 이루어진다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면에 배치된다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면을 수용한다. 또한, 상기 프레임은 다수 개의 서브 프레임들로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 서브 프레임들은 서로 연결될 수 있다.
이와 같은 태양광 발전 장치는 야외에 장착되어, 태양광을 전기 에너지로 변환시킨다. 이때, 태양광 발전 장치는 외부의 물리적인 충격, 전기적인 충격 및 화학적인 충격에 노출될 수 있다.
이와 같은 태양광 발전 장치와 관련된 기술은 한국 공개 특허 공보 10-2009-0059529 등에 기재되어 있다.
한편, 이와 같은 태양광 발전 장치에서는 다수의 패턴 라인을 형성하여, 전기적으로 연결하는데, 이러한 다수의 패턴 라인 형성 시, 공정 오류가 발생하거나 저항 손실에 의하여 효율이 감소할 가능성이 있다는 문제점이 있다.
실시예는 지지 기판 상에 언더컷 구조를 가지는 다수의 패턴을 형성하여, 태양 전지 제조 공정을 단순화할 수 있는 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 다수의 패턴을 포함하는 지지 기판;상기 지지 기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 패턴은 제 1 내측면, 제 2 내측면 및 바닥면을 포함하는 언더컷 구조로 형성된다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 다수 개의 패턴을 형성하는 단계; 상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴은 제 1 내측면, 제 2 내측면 및 바닥면을 포함하는 언더컷 구조로 형성된다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 상기 지지 기판 상에 일정한 간격으로 다수 개의 패턴을 형성한 후, 상기 패턴이 형성된 지지 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층, 버퍼층, 고저항 버퍼층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성한다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 이전에, 상기 지지 기판 상에 일정한 간격으로 언더컷의 형상을 가지는 다수 개의 패턴을 형성하는 전처리 공정을 수행한다.
이에 따라, 상기 패턴이 형성된 지지 기판에 의해 상기 지지 기판 상에 상기 후면 전극층을 형성한 후, 상기 후면 전극층에 홈을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법에 따르면, 상기 공정의 생략에 따라, 태양광 발전 장치의 모듈 공정을 단순화할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있고, 공정 효율 및 공정 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전 장치를 도시한 평면도이다.
도 2 및 도 3은 실시예에 따른 지지 기판의 단면을 도시한 도면이다.
도 4는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 실시예에 따른 태양광 발전 장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 홈 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지 패널을 도시한 평면도이고, 도 2 및 도 3은 실시예에 따른 지지 기판의 단면을 도시한 도면이며, 도 4는 도 1에서 A-A`선을 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 태양전지 패널은 지지 기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면 전극층(600) 들을 포함한다.
상기 지지 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면 전극층(600)을 지지한다.
상기 지지 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 또는 금속 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블할 수 있다.
또한, 상기 지지 기판(100)은 다수 개의 패턴을 포함할 수 있다. 상기 패턴에 대해서는 이하, 자세하게 설명한다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 후면 전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200) 상에 배치된다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조,구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드캡(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
이어서, 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다.
이어서, 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 전면 전극층(500)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면 전극층(500)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다.
상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 전면 전극층(500)은 투명하다. 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnC;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면 전극층(500)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(500)이 알루미늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면 전극층(500)은 도전층이다.
이하, 상기 지지 기판(100)에 대해 도면을 참고하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 지지 기판(100)은 다수의 패턴을 포함할 수 있다. 상기 패턴(10)은 상기 지지 기판(100) 상에 일정한 간격으로 파여 있는 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 패턴(10)은 상기 지지 기판(100) 상에 언더컷(undercut) 구조로 형성될 수 있다.
상기 패턴은 에칭, 니들(neddle) 또는 사출 성형법을 이용하여 제작될 수 있다. 바람직하게는, 상기 기판이 유리 기판일 경우에는, 상기 유리 기판 상에 에칭 또는 니들을 이용한 기계적 가공을 통해 상기 언더컷 구조의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기 기판이 플라스틱 또는 금속 기판일 경우에는, 사출 성형법을 이용하여 상기 언더컷 구조의 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 지지 기판 상에 패턴을 형성할 수 있는 공지의 다양한 방법이 사용될 수 있다.
상기 패턴(10) 즉, 언더컷 구조의 패턴(10)은 제 1 내측면(10a), 제 2 내측면(10b) 및 바닥면(10c)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a)과 상기 제 2 내측면(10b)는 서로 대향할 수 있다. 또한, 상기 바닥면(10c)은 상기 제 1 내측면(10a)과 상기 제 2 내측면(10b)을 서로 연결할 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b) 중 어느 하나는 상기 지지 기판(100)의 상면에 대하여 경사질 수 있다. 또는, 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b) 모두가 상기 지지 기판(100)의 상면에 대하여 경사질 수 있다. 즉, 도 2에 도시되어 있듯이, 상기 패턴의 형상은, 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b) 중 어느 하나만이 경사지거나 또는, 도 3에 도시되어 있듯이, 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b) 모두가 경사지도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b) 중 어느 하나는 상기 지지 기판(100)의 상면에 대하여 수직으로 형성될 수 있다. 즉, 도 2에 도시되어 있듯이, 상기 제 1 내측면(10a)은 상기 지지 기판(100)의 상면에 대하여 수직으로 형성되고, 상기 제 2 내측면(10b)는 상기 지지 기판(100)의 상면에 대하여 경사지도록 형성될 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b)이 모두 경사지도록 형성되는 경우에는 전기적인 단락을 효과적으로 방지할 수 있으며, 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b) 중 어느 하나만이 경사지도록 형성되는 경우 데드(dead) 면적을 감소시킬 수 있어 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)이 경사지도록 형성되는 경우, 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)의 간격은, 상기 지지 기판의 상면에서 상기 바닥면 방향으로 깊어질수록 넓어질 수 있다. 즉, 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)은 상기 지지 기판(100)의 상면에서 상기 패턴 즉, 언더컷 구조의 바닥면(10c) 방향으로 갈수록 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)의 간격이 서로 넓어지는 방향으로 경사질 수 있다. 다시 말해, 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b)은 서로 반대 방향으로 경사질 수 있으며, 일례로, 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b)이 모두 경사진 형상인 경우, 상기 언더컷 구조의 형상은 사다리꼴 형상일 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)이 경사지도록 형성되는 경우, 상기 지지 기판(100)의 상면과 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)의 각도(θ)는 10° 내지 80°일 수 있다. 그러나, 상기 각도(θ) 범위는 이에 제한되지 않고, 상기 태양광 발전 장치의 전기적 단락 위험과 태양광 발전 장치의 효율을 감안하여 적절하게 제어될 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a), 상기 제 2 내측면(10b) 및 상기 바닥면(10c)를 포함하는 언더컷 구조를 포함하는 상기 패턴(10)이 형성된 지지 기판(100) 상에는 상기 후면 전극층(200)이 배치될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100)의 상면과 상기 패턴(10) 즉, 상기 언더컷 구조의 바닥면(10c)과 직접 접촉하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 후면 전극층(200) 상에 배치되는 상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200)의 상면과 상기 언더컷의 바닥면(10c)에 배치된 상기 후면 전극층(200)의 일부 또는 전부와 직접 접촉하도록 배치될 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치는, 상기 지지 기판 상에 일정한 간격으로 다수 개의 패턴을 형성한 후, 상기 패턴이 형성된 지지 기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층, 버퍼층, 고저항 버퍼층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성한다. 이에 따라, 상기 패턴이 형성된 지지 기판에 의해 상기 지지 기판 상에 상기 후면 전극층을 형성한 후, 상기 후면 전극층에 홈을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
따라서, 상기 공정의 생략에 따라, 태양광 발전 장치의 모듈 공정을 단순화할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있고, 공정 효율 및 공정 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법을 상세하게 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 태양광 발전 장치와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 5 내지 도 9를 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전 장치의 제조 방법이 순차적으로 도시되어 있다.
실시예에 따른 태양광 발전 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 다수 개의 패턴을 형성하는 단계; 상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴은 제 1 내측면, 제 2 내측면 및 바닥면을 포함하는 언더컷 구조로 형성된다.
상기 지지 기판 상에 다수 개의 패턴을 형성하는 단계는, 지지 기판 상에 언더컷 구조의 패턴을 형성할 수 있다. 상기 언더컷은 도 5에 도시되어 있듯이, 제 1 내측면(10a), 제 2 내측면(10b) 및 바닥면(10c)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a)과 상기 제 2 내측면(10b)은 서로 대향하고, 상기 바닥면(10c)은 상기 제 1 내측면(10a)과 상기 제 2 내측면(10b)을 서로 연결할 수 있다.
상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)은 상기 지지 기판의 상면에 대하여 경사지거나 수직일 수 있다. 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)의 경사 방향은, 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)이 지지 기판의 상면에서 상기 바닥면(10c)으로 깊어질수록 상기 제 1 내측면(10a) 및/또는 상기 제 2 내측면(10b)의 간격이 넓어지는 방향으로 경사질 수 있다. 즉, 상기 상기 제 1 내측면(10a) 및 상기 제 2 내측면(10b)은 서로 반대 방향으로 경사질 수 있다. 일례로, 상기 패턴은 사라디꼴 형상일 수 있다.
상기 패턴은 에칭 공정 또는 기계적인 공정에 의해 형성할 수 있다. 일례로, 상기 지지 기판(100)이 유리 기판일 때에는, 에칭 또는 니들을 통해 상기 지지 기판(100) 상에 패턴을 형성할 수 있고, 상기 지지 기판(100)이 플라스틱 또는 금속 기판일 때에는, 사출 성형을 통해 상기 지지 기판(100) 상에 패턴을 형성할 수 있다.
이어서, 상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계에서는, 상기 패턴이 형성된 지지 기판(100) 상에 후면 전극층(200)을 형성할 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다. 도 6에 도시되어 있듯이, 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 지지 기판의 패턴 즉, 언더컷의 바닥면(10c)에 직접 접촉되어 형성될 수 있다.
이어서, 상기 후면 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계에서는, 상기 후면 전극층(200) 상에 상기 광흡수 층(300)을 형성할 수 있다. 상기 광 흡수층(300)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
도 7에 도시되어 있듯이, 상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200)의 상면, 측면 및 상기 언더컷의 바닥면(10c)에 위치하는 후면 전극층(200)의 일부 또는 전부와 직접 접촉할 수 있다.
이어서, 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계에서는 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(50)을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 전면 전극층(600)을 형성한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)을 형성할 수 있다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 증착되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
이어서, 상기 전면 전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다.상기 전면 전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 또는 보론 등이 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(600)은 알루미늄 또는 보론 등이 도핑된 징크 옥사이드 등을 스퍼터링 하여 형성될 수 있다.
앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 태양광 발절 장치 제조 방법은, 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계 이전에, 상기 지지 기판 상에 일정한 간격으로 언더컷의 형상을 가지는 다수 개의 패턴을 형성하는 전처리 공정을 수행한다.
이에 따라, 상기 패턴이 형성된 지지 기판에 의해 상기 지지 기판 상에 상기 후면 전극층을 형성한 후, 상기 후면 전극층에 홈을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 및 이의 제조 방법에 따르면, 상기 공정의 생략에 따라, 태양광 발전 장치의 모듈 공정을 단순화할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있고, 공정 효율 및 공정 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 다수의 패턴을 포함하는 지지 기판;
    상기 지지 기판 상에 배치되는 후면 전극층;
    상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,
    상기 패턴은 제 1 내측면, 제 2 내측면 및 바닥면을 포함하는 언더컷 구조로 형성되고,
    상기 광 흡수층은 상기 후면 전극층의 상면, 측면 및 상기 언더컷의 바닥면에 위치하는 후면 전극층의 일부 또는 전부와 직접 접촉하는 태양광 발전 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 내측면 및 상기 제 2 내측면 중 어느 하나는 상기 지지 기판의 상면에 대하여 경사지는 태양광 발전 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 내측면 및 상기 제 2 내측면은 상기 지지 기판의 상면에 대하여 경사지는 태양광 발전 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 내측면 및 상기 제 2 내측면의 간격은, 상기 지지 기판의 상면에서 상기 바닥면 방향으로 깊어질수록 넓어지는 태양광 발전 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 내측면 또는 상기 제 2 내측면과 상기 지지 기판의 상면의 각도는 10° 내지 80°인 태양광 발전 장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 내측면 및 상기 제 2 내측면과 상기 지지 기판의 상면의 각도는 10° 내지 80°인 태양광 발전 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 내측면 및 상기 제 2 내측면 중 어느 하나는 상기 지지 기판의 상면에 대하여 수직인 태양광 발전 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 후면 전극층은 상기 지지 기판의 상면 및 상기 언더컷의 바닥면과 직접 접촉하는 태양광 발전 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101556367B1 (ko) 2014-03-13 2015-10-01 한국과학기술연구원 아민기가 고정화된 부석 기반 흡착제 및 그 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295406A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Sekisui Jushi Co Ltd 色素増感型太陽電池
KR20100037862A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
JP2005197537A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2007201304A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Honda Motor Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
KR101494153B1 (ko) * 2007-12-21 2015-02-23 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
EP2161758A1 (en) 2008-09-05 2010-03-10 Flexucell ApS Solar cell and method for the production thereof
CN201435396Y (zh) * 2009-06-08 2010-03-31 王若曼 太阳能电池板
KR20110001823A (ko) 2009-06-30 2011-01-06 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치
US8878055B2 (en) * 2010-08-09 2014-11-04 International Business Machines Corporation Efficient nanoscale solar cell and fabrication method
CN102315335A (zh) * 2011-04-13 2012-01-11 东旭集团有限公司 一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295406A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Sekisui Jushi Co Ltd 色素増感型太陽電池
KR20100037862A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101556367B1 (ko) 2014-03-13 2015-10-01 한국과학기술연구원 아민기가 고정화된 부석 기반 흡착제 및 그 제조방법

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