KR950030220A - 다이아몬드 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다이아몬드 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 표면 탄성파 소자, 반도체 장치, 연마 디스크등에 이용하기 위하여 기판 위에 다이아몬드를 피복한 평탄한 다이아몬드 웨이퍼를 제조하는 것으로, 기판위에 기상 합성법에 의해 (100) 배향한 다이아몬드막을 형성하고, 형성후의 휘어짐이 2㎛∼150㎛이 되도록 하고, 이것을 연마해서 Rmax 500Å 이하의 평활한 면으로 하며, 표면 탄성 소자로 할 경우에는 표면 탄성파의 성장의 5배 또는

Description

다이아몬드 웨이퍼 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 다이아몬드를 피복하여 연마하고 또한 전극 형성하는 공정을 나타내는 개략단면도.

Claims (14)

1. 기판 및 기상 합성법에 의해 기판위에 코팅된(100) 배향한 다이아몬드막으로 이루어지며, 다이아몬드막은 기상합성법에 의해 형성된 후, 연마에 의해 Rmax 500Å, Ra200Å이하의 면조도로 마무리되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
2. 제1항에 있어서, 웨이퍼가 원형이고, 바깥 둘레에서 중심을 향해서 단조롭게 휘어져 있는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 바깥 둘레 면으로부터 웨이퍼 중앙부의 휘어지는 양 ΔH가 2㎛≤│ΔH│≤150㎛인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
4. 제1항에서 제3항 중 어느 한 항에 있어서, Si(100)웨이퍼를 기판으로 하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
5. 다이아몬드 막이 2㎛∼1000㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
6. 제1항에서 제5항중 어느 한 항에서, 다이아몬드막의 다결정 다이아몬드 입자의 평균 입자 직경 Da가 Da≤0.5㎛인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
7. 제1항에서 제5항중 어느 한 항에 있어서, 다이아몬드막 위에 압전 재료막 및, 빗살형 전극이 압전 재료/전극순으로 또는 전극/압전 재료 순으로 복수 셋트로 형성되고, 표면 탄성파 소자가 다이아몬드 막위에 종횡으로 복수개 제조되어 있는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
8. 제7항에 있어서, 다이아몬드막의 다결정 다이아몬드 입자의 평균 입자 직경 Da가 형 전극에 의해서 결정되는 표면 탄성판의 파장 λ의 5배 이상인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
9. 제7항에 있어서, 다이아몬드막이 다결정 다이아몬드 입자의 평균 입자 직경 Da가 빗살형 전극에 의해서 결정되는 표면 탄성파의 파장 λ의 5분의 1이하인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
10. 제7항에서 제9항중 어느 한 항에 있어서, 표면 탄성파의 다이아몬드막 부분에서의 1파장당 이송 손실이 0.02〔dB/파장〕이하인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
11. 수소와 탄화수소를 포함하는 원료 가스를 진공 용기에 도입하여 원료 가스를 여기함으로써 기상 반응을 일으키는 기상 합성법에 의해 기판 위에 (100)면조도 Rmax 500Å, Ra 200Å이하로 마무리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼.
12. 제11항에 있어서, 기상 합성의 초기에 있어서, 탄화 수소의 농도를 높이고, 이후는 탄화 수소의 농도를 낮게 하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼 제조 방법.
13. 제12항에 있어서, 다이아몬드막 형성후 휘어짐의 절대값이 2㎛∼150㎛이며, 연마후 휘어짐의 절대값이 2㎛∼150㎛이하인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼의 제조 방법.
14. 제13항에 있어서, 기판의 흠을 처리하고, 표면 조도를 Ra 50Å∼Ra 100Å로 하고 나서 기상 반응을 일으켜 핵발생 밀도를 10¹⁰개/㎤ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 웨이퍼 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임