KR950021600A - 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 Download PDF

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노부오 단바
마사미 우사미
다까히데 이께다
가즈오 다나까
아쯔오 와따나베
사또루 이소무라
도시요끼 기꾸찌
도오루 고이즈미
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Abstract

반도체기판에 형성한 분리홈에 의해서 소자분리를 실행하는 반도체 집적회로장치에 적용해서 유효한 기술로서, 홈에 의해서 소자 사이를 분리하는 반도체집적회로장치의 전기적 신뢰성을 향상시키기 위해, 반도체기판에 소자분리용의 홈을 마련하고, 홈에 의해서 둘러싼 활성영역에 반도체소자를 형성하고 반도체소자를 형성한 활성영역의 바깥둘레에 활성영역의 전둘레를 둘러싸는 제1의 홈을 마련하고, 제1의 홈의 바깥둘레에 제1의 홈의 적어도 일부를 둘러싸는 제2의 홈을 마련하는 구성으로 한다. 이러한 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법을 이용하는 것에 의해, 소자분리를 확실하게 실행할 수 있다.

Description

반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1인 반도체 집적회로장치를 도시한 반도체기판의 주요부평면도
제2도는 제1도의 A-A′선에 있어서의 반도체기판의 단면도.

Claims (12)

  1. 반도체기판에 소자분리용의 홈을 마련하고, 상기 홈에 의해서 둘러싼 활성영역에 반도체소자를 형성한 반도체 집적회로장치로서, 상기 반도체소자를 형성한 활성영역의 바깥둘레에 상기 활성영역의 전둘레를 둘러싸는 제1의 홈을 마련하고, 상기 제1의 홈의 바깥둘레에 상기 제1의 홈의 적어도 일부를 둘러싸는 제2의 홈을 마련한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2의 홈을 여러개의 소블럭으로 분할한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2의 홈을 여러개의 활성영역에 대해서 1개의 비율로 마련한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2의 홈을 상기 활성영역과 이것에 인접하는 활성영역에 사이의 필드영역에 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반도체기판은 SOI기판인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  6. 반도체기판에 소자분리용의 홈을 형성하고, 상기 홈에 의해서 둘러싼 활성영역에 반도체소자를 형성하는 반도체 집적회로장치의 제조방법으로서, 상기 반도체소자가 형성되는 활성영역의 바깥둘레에 상기 활성영역의 전둘레를 둘러싸는 제1의 홈과 상기 제1의 홈의 적어도 일부를 둘러싸는 제2의 홈을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  7. 절연층상에 적층된 단결정 실리콘층의 능동영역과 필드영역이 이 단결정 실리콘층의 주면에서 상기 절연층에 도달하는 분리홈에 의해 서로 절연분리되는 반도체 집적회로장치로서, 상기 단결정 실리콘층의 능동영역, 필드영역의 각각을 동일의 고정 전위로 설정한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 단결정 실리콘층의 능동영역에는 바이폴라 트랜지스터가 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 단결정 실리콘층의 능동영역에는 MISFET가 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  10. 절연층상에 적층된 단결정 실리콘층의 제1의 능동영역과 제2의 능동영역이 이 단결정 실리콘층의 주면에서 상기 절연층에 도달하는 분리홈에 의해 서로 분리되고, 상기 단결정 실리콘층의 제1의 능동영역에 바이폴라 트랜지스터, 제2의 능동영역에 MISFET의 각각이 구성되는 반도체 집적회로장치로서, 상기 단결정 실리콘층의 제1의 능동역역, 제2의 능동영역의 각각을 동일의 고정전위로 설정한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 단결정 실리콘층은 절연층의 표면에서 반도체기판, 에피택셜층의 각각을 순차 적층한 다층구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반도체기판의 전 영역에는 상기 에피텍셜 층과 동일의 도전형으로 설정되고, 또한 그것에 비해서 고불순물농도로 설정된 매립형 반도체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940032771A 1993-12-09 1994-12-05 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 KR950021600A (ko)

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