KR950019963A - 정전하상 현상용 토너, 화상 형성 방법 및 프로세스 카트리지 - Google Patents

정전하상 현상용 토너, 화상 형성 방법 및 프로세스 카트리지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 분자량이 5×105이하이고 분지화 지수(g')가 1 이하인 저분자량 성분을 함유하는 결합제 수지 성분 및 착색제를 포함하는 조성물로 이루어진 정전하상 현상용 토너에 관한 것이다. 저분자량 중합체 성분은

Description

정전하상 현상용 토너, 화상 형성 방법 및 프로세스 카트리지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에서 사용된 화상 형성 장치의 개략도.
제3도는 필름이 구동되지 않은 상태에 있는 본 발명의 실시예에서 사용된 정착 장치의 확대 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 프로세스 카트리지의 일 구현예의 개략도.
제6도는 본 발명에 따른 화상 형성 방법의 실시양태를 실시하는 데에 사용되는 화상 형성 장치의 개략도.
제7도는 분지화 지수를 계산하는 방법을 나타낸 그래프도.

Claims (51)

  1. 분자량이 5×104이하이고 분지화 지수(g')가 1 이하인 저분자량 성분을 함유하는 결합제 수지 성분 및 착색제를 포함하는 조성물로 이루어진 정전하상 현상용 토너.
  2. 제1항에 있어서, 결합제 수지 성분이 결합제 수지 성분의 테트라히드로푸란(TFH)-가용성 성분의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 근거한 분자량 분포에 있어서 각각 2×103∼3×104의 분자량 영역에 주피크를 제공하는 저분자량 중합체 성분과 5×104를 초과하는 분자량 영역에 부피크 또는 견부를 제공하는 고분자량 성분을 함유하는 것인 토너.
  3. 제1항에 있어서, 저분자량 중합체 성분이 0.97 이하의 분지화 지수(g')를 갖는 것인 토너.
  4. 제3항에 있어서, 저분자량 중합체 성분이 0.95 이하의 분지화 지수(g')를 갖는 것인 토너.
  5. 제4항에 있어서, 저분자량 중합체 성분이 0,93 이하의 분지화 지수(g')를 갖는 것인 토너.
  6. 제1항에 있어서, 결합제 수지 성분이 5 중량% 이하의 THF-불용 성분 함량을 갖는 것인 토너.
  7. 제6항에 있어서, 결합제 수지 성분이 3 중량% 이하의 THF-불용 성분 함량을 갖는 것인 토너.
  8. 제2항에 있어서, 결합제 수지 성분의 THF-가용 성분이 2×105이상의 분자량 영역에서 부피크를 제공하는 것인 토너.
  9. 제8항에 있어서, 결합제 수지 성분의 THF-가용 성분이 3×105이상의 분자량 영역에서 부피크를 제공하는 것인 토너.
  10. 제1항에 있어서, 결합제 수지 성분의 THF-가용 성분이 30 보다 큰 중량평균 분자량(Mw) 대 수평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)를 갖는 것인 토너.
  11. 제10항에 있어서, 결합제 수지 성분의 THF-가용 성분이 35 이상의 Mw/Mn비를 갖는 것인 토너.
  12. 제1항에 있어서, 결합제 수비 성분이 50∼70℃의 유리전이온도(Tg)를 갖는 것인 토너.
  13. 제1항에 있어서, 조성물이 저분자량 왁스를 더 포함하는 것인 토너.
  14. 제13항에 있어서, 저분자량 왁스가 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 미결정 왁스, 카나우바 왁스, 사솔 왁스, 파라핀 왁스, 및 그의 산화 생성물 및 그래프트 변성 생성물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물인 토너.
  15. 제13항에 있어서, 저분자량 왁스가 3×104이하의 중량평균 분자량(Mw)을 갖는 것인 토너.
  16. 제1항에 있어서, 저분자량 왁스가 1×104이하의 MW을 갖는 것인 토너.
  17. 제13항에 있어서, 저분자량 왁스가 결합제 수지 성분 100중량부당 1∼20 중량부로 함유되어 있는 토너.
  18. 제13항에 있어서, 저분자량 왁스가 R-Y(여기에서, R은 겔투과 크로마토그래피로 측정하여 3×103이하의 중량평균 분자량을 갖는 탄화수소기를 나타내고, Y는 히드록실기, 카르복실기, 알킬에테르기, 에스테르기 또는 술포닐기를 나타냄)으로 나타내는 화합물을 60 중량% 이상 함유하는 것인 토너.
  19. 제18항에 있어서, 저분자량 왁스가 상기 화합물을 70 중량% 이상 함유하는 것인 토너.
  20. 제18항에 있어서, 상기 화합물이 200∼2000의 Mn, 400∼3000의 Mw, 및 3.0 이하의 Mw/Mn 비를 갖는 것인 토너,
  21. 제1항에 있어서, 조성물이 결합제 수지 성분 100중량부당 40∼150중량부의 자성 재료를 함유하는 것인 토너.
  22. 제1항에 있어서, 조성물이 결합제 수지 성분 100중량부당 0.1∼20중량부로 비자성 착색제를 함유하는 것인 토너.
  23. 제9항에 있어서, 조성물이 전하 조절제를 함유하는 것인 토너.
  24. 제23항에 있어서, 전하 조절제가 결합제 수지 성분 100 중량부당 0.1∼5 중량부로 함유되어 있는 토너.
  25. 제23항에 있어서, 전하 조절제가 살리실산, 나프톤산 및 그의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속 착화합물인 토너.
  26. 제1항에 있어서, 저분자량 수지 성분이 스티렌 공중합체를 함유하는 것인 토너.
  27. 제1항에 있어서, 저분자량 중합체 성분이 스티렌-아크릴산 공중합체를 함유하는 것인 토너.
  28. 제1항에 있어서, 저분자량 중합체 성분이 스티렌-메타크릴산 공중합체를 함유하는 것인 토너.
  29. 전압이 공급된 충전 부재를 충전시킬 부재와 접촉시켜 충전시킬 부재를 충전시키는 충전 단계, 충전된 충전 대상 부재 위에 정전하상을 형성하는 단계, 정전하상을 현상하여 충전 대상 부재 위에 토너 화상을 형성하는 현상 단계, 충전 대상 부재 위의 토너 화상을 전사 재료 위에, 임의로는 중간 전사 부재를 거쳐서 전사하는 전사 단계, 토너 화상을 전사 재료 위에 가열 정착시히는 정착 단계로 이루어지고, 상기 토너는 분자량이 5×104이하이고 분지화 지수(g')가 1 이하인 저분자량 성분을 함유하는 결합제 수지 성분 및 착색제를 포함하는 조성물로 이루어진 것인 화상 형성 방법.
  30. 제29항에 있어서, 결합제 수지 성분이 결합제 수지 성분의 테트라히드로푸란(THF)-가용성 성분의 겔투과 크로마토그래피 (GPC)에 근거한 분자량 분포에 있어서 각각 2×103∼3×104의 분자량 영역에 주피크를 제공하는 저분자량 중합체 성분과 5×104를 초과하는 분자량 영역에 부피크 또는 견부를 제공하는 고분자량 성분을 함유하는 화상 형성 방법.
  31. 제29항에 있어서, 정착 단계가 필름을 통하여 견고하게 지지된 가열 부재 및 가열 부재에 대향하는 압착 부재를 위치시키고, 필름을 통하여 토너 화상을 지닌 전사 재료를 가열 부재에 대해 압착 부재에 의하여 압착시켜 가열 및 가압 하에 전사 재료 위에 토너 화상을 정착시키는 것으로 이루어진 화상 형성 방법.
  32. 제29항에 있어서, 토너가 제3항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 따른 것인 화상 형성 방법.
  33. 제31항에 있어서, 토너가 제3항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 따른 것인 화상 형성 방법.
  34. 분자량이 5×104이하이고 분지화 지수(g')가 1 이하인 저분자량 성분을 함유하는 결합제 수지 성분 및 착색제를 포함하는 조성물로 이루어진 토너를 포함하는 현상 수단과 감광 부재가 화상 형성 장치의 본체에 착탈 가능하게 탑재될 수 있는 카트리지 중에 통합되어 있는, 적어도 하나의 현상 수단 및 감광 부재로 이루어진 프로세스 카트리지.
  35. 제34항에 있어서, 감광 부재를 충전하기 위한 충전 수단을 더 포함하는 프로세스 카트리지.
  36. 제35항에 있어서, 충전 수단이 감광 부재와 접촉하는 접촉 충전 수단인 프로세스 카트리지.
  37. 제36항에 있어서, 접촉 충전 수단이 충전 롤러를 포함하는 것인 프로세스 카트리지.
  38. 제36항에 있어서, 접촉 충전 수단이 충전 브러쉬를 포함하는 것인 프로세스 카트리지.
  39. 제36항에 있어서, 접촉 충전 수단이 충전 블레이드를 포함하는 것인 프로세스 카트리지.
  40. 제34항에 있어서, 토너가 제2항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 따른 것인 프로세스 카트리지.
  41. 분자량이 5×104이하이고 짐 스톡메이어(Zimm StockRayer) 분지화 지수가 1 이하인 저분자량 중합체 성분과 고분자량 중합체 성분의 혼합물로 이루어진 수지 조성물.
  42. 제41항에 있어서, 혼합물이 혼합물의 테트라히드로푸란(THF)-가용성 성분의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 근거한 분자량 분포에 있어서 각각 2×103∼3×104의 분자량 영역에 주피크를 제공하는 저분자량 중합체 성분과 5×104를 초과하는 분자량 영역에 부피크 또는 견부를 제공하는 고분자량 성분을 함유하는 것인 수지 조성물.
  43. 제41항에 있어서, 저분자량 중합체 성분이의 작용기를 가진 과산화물로 이루어진 중합 개시제의 존재 하에 예비 중합체와의 혼합물 상태에 있는 제2단량체를 중합시킴으로써 수득한 것인 수지 조성물.
  44. 제41항에 있어서, 고분자량 중합체 성분이 다관능성 중합 개시제의 존재 하의 중합에 의하여 수득한 것인 수지 조성물.
  45. 제41항에 있어서, 혼합물이 고분자량 중합체, 혼합물의 분자량 분포에서 주피크를 제공하는 저분자량 중합체, 및 저분차량 왁스를 유기 용매에 용해 또는 분산시키고, 유기 용매를 제거하여 수득한 것인 수지 조성물.
  46. 제41항에 있어서, 혼합물이 고분자량 중합체 및 저분자량 왁스를 용해 또는 분산시키고, 생성된 용액 또는 분산물을 혼합물의 분자량 분포에서 주피크를 제공하는 저분자량 중합체의 유기 용매 중의 별도로 제조한 용액과 혼합하고, 유기 용매를 제거하여 수득한 것인 수지 조성물.
  47. 의 작용기를 가진 과산화물로 이루어진 중합 개시제의 존재 하에 단량체를 중합시켜, 분자량이 5×104이하이고 분지화 지수(g')가 1 이하인 저분자량 중합체 성분을 제조하는 것을 포함하는, 저분자량 중합체 성분과 고분자량 중합체 성분의 혼합물을 함유하는 수지 조성물의 제조 방법.
  48. 제47항에 있어서, 저분자량 중합체 성분과 고분자량 중합체 성분을 서로 혼합하여, 수지 조성물의 테트라히드로푸란-가용성 성분의 겔투과 크로마토그래피에 근거한 분자량 분포에 있어서 2×103∼3×104의 분자량 영역에서 주피크와 5×104를 초과하는 분자량 영역에서 부피크 또는 견부를 각각 갖는 수지 조성물을 제공하는 방법.
  49. 제47항에 있어서, 고분자량 중합체 성분이 다관능성 중합 개시제의 존재 하에 단량체를 중합시켜 제조한 것인 방법.
  50. 제47항에 있어서, 수지 조성물이 고분자량 중합체, 혼합물의 분자량 분포에서 주피크를 제공하는 저분자량 중합체, 및 저분자량 왁스를 유기 용매에 용해 또는 분산시키고, 유기 용매를 제거함으로써 제조되는 방법.
  51. 제47항에 있어서, 수지 조성물이 고분자량 중합체 및 저분자량 왁스를 용해 또는 분산시키고, 생성된 용액 또는 분산물을 혼합물의 분자량 분포에서 주피크를 제공하는 저분자량 중합체의 유기 용매 중의 별도로 제조한 용액과 혼합하고, 유기 용매를 제거함으로써 제조되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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