KR950012500A - 탄탈늄 고체 전해 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

고체전해 커패시터는 장기간 전류 인가에 따른 누설전류의 증가에 의한 불량발생 가능성이 줄어들며 신뢰성이 개선된다.
도전성 고분자화합물을 갖는 고체전해 커패시터는 공동을 갖는 탄탈늄 플레이트내의 세공표면을 덮는 절연 산화물층 위에 형성된다.
공동 표면은 산소공급원으로서의 역할을 한다.

Description

탄탈늄 고체 전해 커패시터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 탄탈늄 고체 전해 커패시터의 바람직한 실시예를 도식적으로 나타낸 단면도
제4도는 제3도의 탄탈늄 고체전해 커패시터의 표면 산화막에 세공이 발생한 경우의 상태를 도식적으로 나타낸 단면도.

Claims (10)

  1. 표면상에 다수의 세공을 갖는 탄탈늄분말 소결체로 형성되는 양극측전극과, 상기 세공 표면을 덮는 절연 표면 산화막과, 상기 절연 표면 산화막을 덮는 도전성 고분자 화합물로 형성되며 다수의 공동을 정의하는 고체전해질과, 상기 고체전해질의 표면상에 형성되는 음극측 전극을 포함하는 탄탈늄 고체 전해 커패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고체전해질의 체적은 상기 세공체적의 70% 이하인 것을 특징으로 하는 고체전해 커패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전성 고분자 화합물은 폴리피놀 또는 폴리아닐린인것을 특징으로 하는 탄탈늄 고체전해 커패시터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 음극측 전극은 흑연층과 은층의 적층체인 것을 특징으로 하는 탄탈늄 고체전해 커패시터.
  5. 표면상에 다수의 세공을 갖는 탄탈늄분말 소결체로 형성되는 양극측 전극과, 상기 세공의 표면을 덮는 절연 표면 산화막과, 다수의 공동을 정의하며 상기 세공체적의 70% 이하의 체적을 갖고, 상기 절연 표면 산화물층을 덮는 폴리피롤 또는 폴리아닐린으로 형성되는 고체전해질과, 상기 고체전해질 표면에 형성되는 음극측전극을 포함하는 탄탈늄 고체전해 커패시터.
  6. 표면상에 다수개의 세공을 갖고 양측측 전극으로 기여하는 탄탈늄 분말 소결체의 표면상에 절연 표면 산화물층을 형성하는 단계, 화학 산화중합에 의해 상기 절연 표면 산화막위에 고체 전해질로서 도전성 고분자 화합물을 형성하는 단계, 공동을 갖는 상기 도전성 고분자 화합물로 세공을 채우기 위해 상기 화학산화중합을 반복하는 단계 및, 상기 도전성 고분자 화합물의 표면상에 음극측 전극을 형성하는 단계를 포함하는 제1항 기재의 탄탈늄 고체전해 커패시터 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연 표면 산화물층은 인산용액내에서 상기 소결체를 양극산화하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 탄탈늄 고체전해 커패시터의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 화학 산화중합에 의한 상기 도전성 고분자화합물의 형성단계는 피놀용액과 산화제용액내에 상기 절연 표면 산화물층을 갖는 상기 소결체를 연속적으로 담가 형성하는 것을 특징으로 하는 탄탈늄 고체전해 커패시터의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 산화제는 도데실벤젠술폰네이트산 제3철과 에탄놀의 혼합물인 것을 특징으로 하는 탄탈늄 고체전해 커패시터의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 화학 산화중합을 반복하는 횟수는 상기 형성된 도전성 고분자 화합물의 무게와 상기 얻어진 무게에 의거하여 상기 도전성 고분자 화합물의 체적 수득과 상기 소결체의 세공내에 상기 도전성 고분자 화합물을 채우는 채움율을 얻는 것에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 탄탈늄 고체전해 커패시터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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